固态硬盘的NandFlash测试方法、装置及固态硬盘与流程

本发明涉及数据存储，尤其涉及一种固态硬盘的nand flash测试方法、装置及固态硬盘。

背景技术：

1、固态硬盘(solid state disk或solid state drive，简称ssd)，又称固态驱动器，是用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘。ssd厂商在生产阶段，需要对全盘的nand flash进行压力测试，并将测试中的坏块进行筛选和回收，以提升产品质量。在大量出货时，省时高效的测试系统会为企业大幅度地节约生产成本。

2、现有的固态硬盘nand flash生产检测技术中，未对nand flash在读测试期间出现的uecc进行处理。而且现有技术中提出的在闪存的使用过程中对block中的page进行重读的方法，只要出现uecc，就立刻对所在block选择对应的电压拉偏等级表并逐级进行readretry，不适用于需要对全盘进行大量读操作的生产场景，且当电压拉偏等级达到最高仍重读失败时，未提出对page和block的异常处理策略，不能实现对ssd坏块的识别与回收。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的固态硬盘的nand flash测试方法、装置及固态硬盘。

2、本发明的一个方面，提供了一种固态硬盘的nand flash测试方法，所述方法包括：

3、对固态硬盘的nand flash进行全盘擦除操作，并将用于进行压力测试的原始数据写入固态硬盘的nand flash；

4、以逻辑单元die为读测试单位对nand flash中的目标逻辑单元进行读测试，在对目标逻辑单元的各个plane中的物理页进行数据读取操作时，将检测出的读测试结果发生不可纠错编码uecc的物理页添加重读标记；

5、在目标逻辑单元中各个plane均完成对当前物理页的数据读取操作之后对目标逻辑单元的各个plane中添加有重读标记的物理页进行重读；

6、将重读失败的物理页所在的物理块进行止用并将其作为坏块计入坏块表。

7、进一步地，所述在目标逻辑单元中各个plane均完成对当前物理页的数据读取操作之后对目标逻辑单元的各个plane中添加有重读标记的物理页进行重读包括：

8、根据预设的电压拉偏等级表将当前电压拉偏等级提高一级，并采用提高后的第一电压拉偏等级对目标逻辑单元的各个plane中添加有重读标记的物理页进行一次纠错，若重读成功则将当前物理页的重读标记清除，否则保留重读标记；

9、遍历目标逻辑单元中的各个plane，查找一次纠错后是否还存在添加有重读标记的物理页，若存在则将第一电压拉偏等级再次增高一级，并采用提高后的第二电压拉偏等级对添加有重读标记的物理页进行二次纠错，重复执行上述纠错操作直至目标逻辑单元中物理页的重读标记全部清除。

10、进一步地，所述方法还包括：

11、在对目标逻辑单元中添加有重读标记的物理页进行重读过程中，将在电压拉偏等级低于预设的电压拉偏等级阈值时重读成功的物理页添加可用标记，并清除对应物理页的重读标记；将在电压拉偏等级高于或等于所述电压拉偏等级阈值且小于最高电压拉偏等级时重读成功的物理页进行止用并添加止用标记，并清除对应物理页的重读标记。

12、进一步地，所述方法还包括：

13、对于添加有止用标记的物理页，后续不再对该物理页执行读、写、擦操作。

14、进一步地，所述将重读失败的物理页所在的物理块进行止用并将该物理块作为坏块计入坏块表包括：

15、对于在电压拉偏等级设置为最高级时仍重读失败的物理页，将其所在的物理块进行止用并添加止用标记，清除对应物理页的重读标记，并将其所在的物理块作为坏块计入坏块表。

16、进一步地，在将重读失败的物理页所在的物理块进行止用并将其作为坏块计入坏块表之后，所述方法还包括：

17、将电压拉偏等级恢复至默认值，并对所述nand flash中目标逻辑单元各个plane的下一个物理页并发地进行读测试，直至目标逻辑单元各个plane的全部物理页读测试完毕。

18、第二方面，本发明还提供了一种固态硬盘的nand flash测试装置，所述装置包括：

19、数据擦写模块，用于对固态硬盘的nand flash进行全盘擦除操作，并将用于进行压力测试的原始数据写入固态硬盘的nand flash；

20、数据读模块，用于以逻辑单元die为读测试单位对nand flash中的目标逻辑单元进行读测试，在对目标逻辑单元的各个plane中的物理页进行数据读取操作时，将检测出的读测试结果发生不可纠错编码uecc的物理页添加重读标记；

21、重读模块，用于在目标逻辑单元中各个plane均完成对当前物理页的数据读取操作之后对目标逻辑单元的各个plane中添加有重读标记的物理页进行重读；

22、记录模块，用于将重读失败的物理页所在的物理块进行止用并将其作为坏块计入坏块表。

23、进一步地，所述重读模块，具体用于根据预设的电压拉偏等级表将当前电压拉偏等级提高一级，并采用提高后的第一电压拉偏等级对目标逻辑单元的各个plane中添加有重读标记的物理页进行一次纠错，若重读成功则将当前物理页的重读标记清除，否则保留重读标记；遍历目标逻辑单元中的各个plane，查找一次纠错后是否还存在添加有重读标记的物理页，若存在则将第一电压拉偏等级再次增高一级，并采用提高后的第二电压拉偏等级对添加有重读标记的物理页进行二次纠错，重复执行上述纠错操作直至目标逻辑单元中物理页的重读标记全部清除。

24、进一步地，所述重读模块，还用于在对目标逻辑单元中添加有重读标记的物理页进行重读过程中，将在电压拉偏等级低于预设的电压拉偏等级阈值时重读成功的物理页添加可用标记，并清除对应物理页的重读标记；将在电压拉偏等级高于或等于所述电压拉偏等级阈值且小于最高电压拉偏等级时重读成功的物理页进行止用并添加止用标记，并清除对应物理页的重读标记。

25、第三方面，本发明还提供了一种固态硬盘，包括存储控制器和nand flash，所述存储控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上固态硬盘的nand flash测试方法的步骤。

26、本发明实施例提供的固态硬盘的nand flash测试方法、装置及固态硬盘，以逻辑单元die为读测试单位对固态硬盘的nand flash进行读测试，降低nand busy的总时长，提高生产测试效率；而且，在对一个目标逻辑单元中各个plane均完成当前物理页数据读取操作之后再对该目标逻辑单元的各个plane中添加有重读标记的物理页进行重读，将重读失败的物理页所在的物理块进行止用并将其作为坏块计入坏块表，不仅能实现对ssd坏块的识别与记录，还能统一统计重读过程出现uecc的物理页，减少改变电压拉偏等级的次数，提高重读效率，进一步提高测试效率。

27、上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。