一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法

本发明涉及一种半导体器件特性优化方法。

背景技术：

1、非易失性存储器件是计算机必不可少的存储设备，其浮栅结构可以分为多晶硅和氮化物两种。随着器件尺寸的减小，在浮栅结构的存储器写/擦操作过程中，高电压会造成过度擦除和反常漏电流现象，而基于氮化物的sonos(硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅)型非易失性存储器件则由于电荷捕获方式更不容易产生缺陷产品，制造工艺相对简单，生产成本相对较低，逐渐受到业界青睐。

2、但是，sonos型非易失性存储器件也存在部分问题，如其ono层生长过程中可能发生物理或化学反应，会降低sonos型非易失性存储器件数据保持能力。

3、并且，如图1所示，sonos型flash存储器件在编程过程中会存储电荷，其存储的电荷既能存在于深能级，又能存在于潜能级，浅能级中的电荷由于距离导带近，因而容易受到激发，使得氮化物中的电荷数目减小，最终导致sonos型flash存储器件的电荷保持特性变差。

技术实现思路

1、本发明的目的是为了克服现有sonos型非易失性存储器件数据保持能力容易降低变差的问题，提供了一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法。

2、本发明的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法具体步骤如下：

3、步骤一、对sonos型flash存储器件进行高压擦除；

4、步骤二、对sonos型flash存储器件进行编程；

5、步骤三、对sonos型flash存储器件进行软擦除；并判断sonos型flash存储器件编程后的阈值电压是否达到饱和；

6、是则完成处理；

7、否则返回执行步骤二。

8、进一步地，步骤三中对sonos型flash存储器件进行软擦除的具体过程如下：

9、步骤三一、在sonos型flash存储器件的栅极施加低压负电压，在sonos型flash存储器件的漏端、源端和衬底施加低压正电压；

10、步骤三二、对sonos型flash存储器件进行擦除。

11、进一步地，低压为大于0v且小于5v的直流电压。

12、进一步地，步骤三二还包括：

13、在50～150℃温度下，对sonos型flash存储器件进行擦除。

14、进一步地，高压为大于20v且小于10v的直流电压。

15、本发明的有益效果是：

16、本发明的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法，操作简单，可以排除sonos型flash器件中浅能级电荷，减少sonos型flash器件浮栅中潜能级贮存电子数，以提高sonos型flash电荷保持特性。

技术特征：

1.一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法，其特征在于，具体步骤如下：

2.根据权利要求1所述的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法，其特征在于，步骤三中对sonos型flash存储器件进行软擦除的具体过程如下：

3.根据权利要求2所述的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法，其特征在于，低压为大于0v且小于5v的直流电压。

4.根据权利要求3所述的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法，其特征在于，步骤三二还包括：

5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种提高sonos型flash电荷保持特性的方法，其特征在于，高压为大于20v且小于10v的直流电压。

技术总结本发明的一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法，涉及一种半导体器件特性优化方法。目的是为了克服现有SONOS型非易失性存储器件数据保持能力容易降低变差的问题，本发明具体步骤如下：步骤一、对SONOS型FLASH存储器件进行高压擦除；步骤二、对SONOS型FLASH存储器件进行编程；步骤三、对SONOS型FLASH存储器件进行软擦除；并判断SONOS型FLASH存储器件编程后的阈值电压是否达到饱和；是则完成处理；否则返回执行步骤二。技术研发人员：魏轶聃,董尚利,刘勇,刘超铭,刘旭东受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学技术研发日：技术公布日：2024/1/15