NORDFLASH的测试方法与流程

本发明涉及半导体，尤其是涉及一种nord flash的测试方法。

背景技术：

1、nord flash用于存储电子数据信息，由于闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失，具有反复擦除、读、写等优点，因此广泛应用于手机、数码照相机、平板电脑等电子设备中。但是在制造闪存出厂前，需要对闪存的电气连接性能、功耗、读、写、擦除、串扰等参数进行测试，目前，上述参数的测试广泛采用闪存测试机进行测试。现有技术中的嵌入式闪存的测试方法中，在进行写入与读取参数测试时，需预先设置闪存芯片的写入与读取的期望值，然后将闪存芯片实际测得的写入与读取的数据值与预先设置的写入与读取的期望值进行比较，当实际测得的数据值等于期望期时，判断该闪存所测试的参数合格，否则不合格。在写入与读取、擦除与读取、串扰与读取等每一项参数进行测试时，每次实际测得的数据值均需与预先设置参数值进行比较判断是否合格。其中，nord flash的读判断是靠参考存储单元作为判断基准的，一般情况下nord flash由8个bits组成并求平均值作为读的基准电流。例如，选中的参考存储单元的电流记为icell，而参考存储单元电流的平均值记为平均参考电流iref(假设iref＝10ua为实测值)，那么：if icell>iref,the bit is“1”status；if icell<iref,the bit is“0”status。

2、然而，当制作nord flash的设备或者材料发生变化时，可能出现参考存储单元出现读当前0编程和/或读相邻位1串扰的测试不通过的现象，从而影响了所有参考存储单元的电流的均一性。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种nord flash的测试方法，当制作nord flash的设备或者材料发生变化时，可以提高读当前位0编程和读相邻位1串扰的测试的通过率，从而可以提高所有参考存储单元的电流的均一性。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种nord flash的测试方法，包括：

3、步骤s1：将芯片的存储单元分为多个参考存储单元和多个与所述参考存储单元对应的用户存储单元；

4、步骤s2：量测每个所述参考存储单元的电流；

5、步骤s3：判断所述参考存储单元的电流是否在第一预设值内，如果是，则对所述参考存储单元对应的用户存储单元进行cp测试；

6、步骤s4：按照步骤s2～步骤s3筛选出所有进行过cp测试的用户存储单元，对所有所述用户存储单元进行良率统计和失效分析，对位于预设标准差内的所述用户存储单元对应的参考存储单元进行电流调节；

7、其中，所述电流调节的方法包括：若所述用户存储单元对写0并对当前位读0的编程失效率高于第二预设值，且所述参考存储单元的电流低于第三预设值，则降低所述参考存储单元的写深度，以提高所述参考存储单元的电流，若所述用户存储单元写0并对相邻位读1串扰的失效率高于第四预设值，且所述参考存储单元的电流低于第五预设值，则增加所述参考存储单元的写深度，以降低所述参考存储单元的电流。

8、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，所述第一预设值为预设的范围。

9、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，所述第一预设值为10ua～35ua。

10、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，步骤s3中，判断所述参考存储单元的电流是否在第一预设值内，如果不是，则判断所述参考存储单元fail。

11、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，步骤s4中，将位于预设标准差外的所述用户存储单元对应的参考存储单元判断为fail。

12、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，所述预设标准差为预设的值。

13、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，所述预设标准差为6σ。

14、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，增加所述参考存储单元的写深度的方法包括：增加写0时的电压或者增加写0的时间或者同时增加写0时的电压和写0的时间。

15、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，降低所述参考存储单元的写深度的方法包括：降低写0时的电压或者降低写0的时间或者同时降低写0时的电压和写0的时间。

16、可选的，在所述的nord flash的测试方法中，第二预设值、第三预设值、第四预设值和第五预设值均为预设的值。

17、在本发明提供的nord flash的测试方法中，包括：步骤s1：将芯片的存储单元分为多个参考存储单元和多个与参考存储单元对应的用户存储单元；步骤s2：量测每个参考存储单元的电流；步骤s3：判断参考存储单元的电流是否在第一预设值内，如果是，则对参考存储单元对应的用户存储单元进行cp测试；步骤s4：按照步骤s2～步骤s3筛选出所有进行过cp测试的用户存储单元，对所有用户存储单元进行良率统计和失效分析，对位于预设标准差内的用户存储单元对应的参考存储单元进行电流调节；其中，电流调节的方法包括：若用户存储单元对写0并对当前位读0的编程失效率高于第二预设值，且参考存储单元的电流低于第三预设值，则降低参考存储单元的写深度，以提高参考存储单元的电流，若用户存储单元写0并对相邻位读1串扰的失效率高于第四预设值，且参考存储单元的电流低于第五预设值，则增加参考存储单元的写深度，以降低参考存储单元的电流。本发明对所有参考存储单元的电流是否受到设备或者材料发生变化的影响进行了判断，如果是，则对参考存储单元的写深度进行了调节，所以当制作nord flash的设备或者材料发生变化时，提高读当前位0编程和读相邻位1串扰的测试的通过率，从而可以提高所有参考存储单元的电流的均一性。

技术特征：

1.一种nord flash的测试方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的nord flash的测试方法，其特征在于，所述第一预设值为预设的范围。

3.如权利要求2所述的nord flash的测试方法，其特征在于，所述第一预设值为10ua～35ua。

4.如权利要求1所述的nord flash的测试方法，其特征在于，步骤s3中，判断所述参考存储单元的电流是否在第一预设值内，如果不是，则判断所述参考存储单元fail。

5.如权利要求1所述的nord flash的测试方法，其特征在于，步骤s4中，将位于预设标准差外的所述用户存储单元对应的参考存储单元判断为fail。

6.如权利要求1所述的nord flash的测试方法，其特征在于，所述预设标准差为预设的值。

7.如权利要求6所述的nord flash的测试方法，其特征在于，所述预设标准差为6σ。

8.如权利要求1所述的nord flash的测试方法，其特征在于，增加所述参考存储单元的写深度的方法包括：增加写0时的电压或者增加写0的时间或者同时增加写0时的电压和写0的时间。

9.如权利要求1所述的nord flash的测试方法，其特征在于，降低所述参考存储单元的写深度的方法包括：降低写0时的电压或者降低写0的时间或者同时降低写0时的电压和写0的时间。

10.如权利要求1所述的nord flash的测试方法，其特征在于，第二预设值、第三预设值、第四预设值和第五预设值均为预设的值。

技术总结本发明提供了一种NORD FLASH的测试方法，包括：将存储单元分为多个参考存储单元和多个用户存储单元；量测参考存储单元的电流并判断是否在第一预设值内，如果是，则对对应的用户存储单元进行CP测试；筛选出所有进行过CP测试的用户存储单元进行良率统计和失效分析，对位于预设标准差内的用户存储单元对应的参考存储单元进行电流调节；方法包括：若用户存储单元对写0并对当前位读0的编程失效率高于第二预设值，且参考存储单元的电流低于第三预设值，则降低参考存储单元的写深度，若用户存储单元写0并对相邻位读1串扰的失效率高于第四预设值，且参考存储单元的电流低于第五预设值，则增加参考存储单元的写深度。技术研发人员：任栋梁,吴蒙瑶,杨其燕受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/29