存储器控制器的操作方法和存储器装置与流程

公开涉及存储器装置和存储器装置的操作方法。

背景技术：

1、许多计算装置包括用于存储数据的一个或多个存储器装置以及能够处理存储在存储器装置中的数据的一个或多个处理单元。一些计算操作涉及对存储在存储器装置中的数据的批量逐位运算。批量逐位运算的性能可能受到处理单元可用的存储器带宽的限制。因此，本领域需要用于对存储在存储器装置中的数据执行逐位运算的更高效的系统和方法。

技术实现思路

1、本技术实现要素：以简化的形式介绍在以下具体实施方式中进一步描述的构思的选择。它不旨在确定要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于帮助确定要求保护的主题的范围。

2、根据公开的一个或多个实施例，一种存储器控制器的操作方法包括：确定针对单元的数据的非运算将由存储器装置执行；在连接到所述单元的位线中形成第一电压与第二电压之间的参考电压，第一电压对应于所述数据，第二电压对应于所述数据的反相数据；通过连接所述位线和位线条，在所述位线中形成第二电压与参考电压之间的第三电压；在所述位线条中形成参考电压；以及基于形成在所述位线中的第三电压和形成在所述位线条中的参考电压来感测反相数据，其中，反相数据包括针对所述单元的所述数据的非运算的输出。

3、根据公开的一个或多个实施例，一种存储器控制器的操作方法包括：确定将由存储器装置对第一单元和第二单元执行逻辑运算，其中，逻辑运算包括与运算或者或运算；将第一单元、第二单元和第三单元的数据分别复制到第四单元、第五单元和第六单元中；以及基于形成在连接到第一单元至第六单元的位线中的电压，感测逻辑运算的输出值。

4、根据公开的一个或多个实施例，一种存储器装置包括：多条字线；位线，连接到所述多条字线之中的至少一条激活的字线；位线条，被配置为传送所述位线的反相数据；感测放大器，被配置为感测所述位线的数据和所述位线条的数据；以及预充电单元，被配置为对所述位线和所述位线条进行预充电，其中，所述存储器装置被配置为基于反相数据执行非运算。

5、根据公开的一个或多个实施例，一种方法包括：将数据存储在第一单元中，第一单元经由第一单元的位线连接到感测放大器；将反相数据存储在第二单元中，第二单元经由第一单元的位线条连接到感测放大器；确定将对第一单元的所述数据执行非运算；基于反相数据在所述位线中形成电压；以及通过使用感测放大器感测所述位线中的所述电压来执行非运算。

6、实施例的附加方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中清楚，或者可通过公开的实践来得知。

技术特征：

1.一种存储器装置的存储器控制器的操作方法，所述操作方法包括：

2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，感测所述数据的步骤包括：在所述位线中形成与所述数据对应的第一电压并且在所述位线条中形成与第一电压的反相电压对应的第二电压。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，感测反相数据的步骤包括：使用感测放大器感测反相数据。

4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，控制用于对所述位线进行预充电的晶体管的第一信号独立于用于对所述位线条进行预充电的第二信号而被发送。

5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，形成参考电压的步骤包括：通过将所述位线的初始电压减小到参考电压或将所述位线的初始电压增大到参考电压来对所述位线进行预充电。

6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，连接所述位线和所述位线条步骤包括：操作将所述位线连接到所述位线条的节点中的晶体管。

7.根据权利要求1所述的操作方法，其中，感测反相数据的步骤基于参考电压与形成在所述位线中的第三电压之间的差。

8.一种存储器装置的存储器控制器的操作方法，所述操作方法包括：

9.根据权利要求8所述的操作方法，还包括：

10.根据权利要求8所述的操作方法，还包括：

11.一种存储指令的非暂时性计算机可读存储介质，所述指令在由处理器执行时使所述处理器执行根据权利要求1至10中的任一项所述的方法。

12.一种存储器装置，包括：

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，预充电单元被配置为：通过对所述位线进行预充电来形成第一电压与第二电压之间的参考电压，第一电压对应于单元的数据，第二电压对应于所述单元的所述数据的反相数据。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中，还包括：存储器控制器，被配置为通过连接所述位线和所述位线条，在所述位线中形成第二电压与参考电压之间的第三电压。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，在形成第三电压之后在所述位线条中形成参考电压。

16.根据权利要求14所述的存储器装置，其中，感测放大器被配置为：通过放大参考电压与形成在所述位线中的第三电压之间的差来感测所述单元的所述数据的反相数据。

17.一种操作存储器装置的方法，包括：

18.根据权利要求17所述的方法，还包括：

19.根据权利要求17所述的方法，其中，第一单元和第二单元包括动态随机存取存储器dram存储器单元。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，第一单元和第二单元根据开放位线架构布置，并且其中，第一单元位于与第二单元不同的子阵列中。

技术总结描述了存储器装置和存储器控制器的操作方法，其中，所述操作方法包括：确定针对单元的数据的非运算将由存储器装置执行；在连接到所述单元的位线中形成第一电压与第二电压之间的参考电压，第一电压对应于所述数据，第二电压对应于所述数据的反相数据；通过连接所述位线和位线条，在所述位线中形成第二电压与参考电压之间的第三电压；在所述位线条中形成参考电压；以及基于形成在所述位线中的第三电压和形成在所述位线条中的参考电压来感测反相数据，其中，反相数据包括针对所述单元的所述数据的非运算的输出。技术研发人员：辛薰,李宰旭,金东辉,朴李海受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/4/29