存储芯片测试方法、存储装置检测方法及相关设备与流程

本公开涉及集成电路，具体而言，涉及一种存储芯片测试方法、存储装置检测方法、存储芯片测试装置、存储装置检测装置、计算机设备及计算机可读存储介质。

背景技术：

1、相关技术中，要求出厂给客户使用的存储芯片(例如dram(dynamic randomaccess memory，动态随机存取存储器)颗粒)上每一个bit(比特或者位)都没有问题，如果在厂内测试时有问题，这个存储芯片例如dram颗粒就会被丢弃。由此导致存储芯片的利用率较低，成本较高。

2、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种存储芯片测试方法、存储装置检测方法、存储芯片测试装置、存储装置检测装置、计算机设备及计算机可读存储介质，至少在一定程度上可以提高存储芯片的利用率，降低存储芯片的成本。

2、本公开实施例提供一种存储芯片测试方法，包括：获得所述存储芯片的测试结果；根据所述存储芯片的测试结果，确定所述存储芯片内的不合格存储单元数量少于或等于k个，k为大于或等于1的正整数，则判定所述存储芯片为合格产品；存储所述存储芯片的测试结果中包含的不合格存储单元地址信息，所述不合格存储单元地址信息少于或等于k个。

3、本公开实施例提供一种存储装置检测方法，所述存储装置上包括存储芯片；其中，所述方法包括：构建所述存储装置上所述存储芯片的地址映射表；获取所述存储芯片内的不合格存储单元地址信息，所述不合格存储单元地址信息少于或等于k个，k为大于或等于1的正整数；根据所述不合格存储单元地址信息屏蔽所述存储芯片的地址映射表中相应的存储单元地址。

4、本公开实施例提供一种存储芯片测试装置，包括：获得单元，用于获得所述存储芯片的测试结果；确定单元，用于若根据所述存储芯片的测试结果，确定所述存储芯片内的不合格存储单元数量少于或等于k个，k为大于或等于1的正整数，则判定所述存储芯片为合格产品；存储单元，用于存储所述存储芯片的测试结果中包含的不合格存储单元地址信息，所述不合格存储单元地址信息少于或等于k个。

5、本公开实施例提供一种存储装置检测装置，所述存储装置上包括存储芯片；其中，所述检测装置包括：构建单元，用于构建所述存储装置上所述存储芯片的地址映射表；获取单元，用于获取所述存储芯片内的不合格存储单元地址信息，所述不合格存储单元地址信息少于或等于k个，k为大于或等于1的正整数；屏蔽单元，用于根据所述不合格存储单元地址信息屏蔽所述存储装置上对应存储芯片的地址映射表中相应的存储单元地址。

6、本公开实施例提供一种计算机设备，包括处理器、存储器、输入输出接口；所述处理器分别与所述存储器和所述输入输出接口相连，其中，所述输入输出接口用于接收数据及输出数据，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器用于调用所述计算机程序，以使得所述计算机设备执行如本公开任一实施例所述的方法。

7、本公开实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于由处理器加载并执行，以使得具有所述处理器的计算机设备执行如本公开任一实施例所述的方法。

8、本公开一些实施例提供的存储芯片测试方法、存储装置检测方法、存储芯片测试装置、存储装置检测装置、计算机设备及计算机可读存储介质，一方面，在获得存储芯片的测试结果之后，若根据该存储芯片的测试结果确定该存储芯片内的不合格存储单元数量少于或等于k个，k为大于或等于1的正整数，则可以将该存储芯片判定为合格产品，而不是选择直接丢弃该存储芯片，由此可以提高该存储芯片的利用率，降低存储芯片的成本；另一方面，将该存储芯片中包含的少于或等于k个不合格存储单元的不合格存储单元地址信息存储起来，以便后续可以根据所存储的不合格存储单元地址信息来避免使用该存储芯片中的不合格存储单元，以此实现该存储芯片的正确读写，保证数据读写的可靠性。

9、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种存储芯片测试方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试结果包括第一测试结果和第二测试结果，所述存储芯片中包括封装后修复资源；

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述存储芯片中包括第一模式寄存器和第二模式寄存器；

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一模式寄存器中包括所述第一预设比特的熔丝，初始时所述第一模式寄存器中的所述第一预设比特的熔丝编码为第一电平状态；

5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，还包括：

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述存储芯片中每行的存储单元数量为p，p为大于或等于1的正整数；

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述存储芯片中包括所述行数量阈值的第一模式寄存器和所述行数量阈值的第二模式寄存器；

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

9.一种存储装置检测方法，其特征在于，所述存储装置上包括存储芯片；其中，所述方法包括：

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述存储芯片中包括行数量阈值的第一模式寄存器和所述行数量阈值的第二模式寄存器；

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，根据所述行数量阈值的第一模式寄存器信息和所述行数量阈值的第二模式寄存器信息，确定所述存储芯片内存在不合格存储单元的n个行的行地址信息，包括：

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法由中央处理器cpu在上电时执行。

13.一种存储芯片测试装置，其特征在于，包括：

14.一种存储装置检测装置，其特征在于，所述存储装置上包括存储芯片；其中，所述检测装置包括：

15.一种计算机设备，其特征在于，包括处理器、存储器、输入输出接口；

16.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于由处理器加载并执行，以使得具有所述处理器的计算机设备执行如权利要求1-8任一项所述的方法或者如权利要求9-12任一项所述的方法。

技术总结本公开提供一种存储芯片测试方法、存储装置检测方法及相关设备，属于集成电路技术领域。存储芯片测试方法包括：获得所述存储芯片的测试结果；若根据所述存储芯片的测试结果，确定所述存储芯片内的不合格存储单元数量少于或等于k个，k为大于或等于1的正整数，则判定所述存储芯片为合格产品；存储所述存储芯片的测试结果中包含的不合格存储单元地址信息，所述不合格存储单元地址信息少于或等于k个。通过本公开实施例提供的方案，可以提高存储芯片的利用率，降低存储芯片的成本。技术研发人员：程景伟受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/29