存储器内运算存储器装置及其运算方法与流程

本发明是有关于一种存储器装置及其运算方法，且特别有关于一种存储器内运算(in-memory computing，imc)存储器装置及存储器内运算方法。

背景技术：

1、随着半导体技术的演进，常使用存储器装置执行存储器内运算(in-memorycomputing，imc)。相变存储器(phase changing memory，pcm)已被用于执行存储器内运算。pcm是一种新型的非易失性存储器，具备高密度、低功耗等优点。

2、目前，已在pcm的基础上又开发出pcms(相变存储器与开关，phase changingmemory and selector)的垂直式整合存储器单元，pcms包含叠层的双向阈值开关(ovonicthreshold switch，ots)与pcm单元。通过堆栈多层pcms有助于实现更高的存储器密度，又能同时维持pcm的效能特性。

3、但如果要让pcm来达成多阶(multi-level)运算的话，需要进行大量的编程-验证(program-verify)操作，导致运算变得较为复杂。

4、在执行多阶存储器内运算时，如何能够在做到高储存密度的前提下，可以减少繁琐运算(大量的编程-验证操作等)，是业界努力方向之一。

技术实现思路

1、根据本公开一实例，提出一种存储器内运算(imc)存储器装置，包括：一存储器阵列，包括多个运算单元，各这些运算单元包括多个并联运算单元，属于同一运算单元的这些并联运算单元接收一相同输入电压，其中，多个输入数据转换成多个输入电压，在接收这些输入电压后，这些运算单元输出多个输出电流，以及根据这些输出电流据以得到这些输入数据与这些运算单元的多个电导值的一乘积和。

2、根据本公开另一实例，提出一种存储器内运算(imc)方法，包括：储存多个电导值于一存储器阵列的多个运算单元的多个运算单元，各这些运算单元包括多个并联运算单元；将多个输入数据转换成多个输入电压；将这些输入电压输入至这些运算单元的这些运算单元，其中，属于同一运算单元的这些并联运算单元接收一相同输入电压；在接收这些输入电压后，这些运算单元输出多个输出电流；以及根据这些输出电流据以得到这些输入数据与这些运算单元的这些电导值的一乘积和。

3、为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：

技术特征：

1.一种存储器内运算存储器装置，包括：

2.根据权利要1所述的存储器内运算存储器装置，其中，

3.根据权利要1所述的存储器内运算存储器装置，其中，在进行存储器内运算的一乘积和运算时，这些运算单元操作于一次阈值区，以读取多个次阈值电流值当成这些输出电流。

4.根据权利要1所述的存储器内运算存储器装置，其中，

5.根据权利要1所述的存储器内运算存储器装置，其中，该运算单元的一等效电导值阶数有关于这些并联运算单元的一总电导值。

6.一种存储器内运算方法，包括：

7.根据权利要6所述的存储器内运算方法，其中，

8.根据权利要6所述的存储器内运算方法，其中，在进行存储器内运算的一乘积和运算时，这些运算单元操作于一次阈值区，以读取多个次阈值电流值当成这些输出电流。

9.根据权利要6所述的存储器内运算方法，其中，

10.根据权利要6所述的存储器内运算方法，其中，该运算单元的一等效电导值阶数有关于这些并联运算单元的一总电导值。

技术总结本公开提供了一种存储器内运算IMC存储器装置及其运算方法。存储器内运算存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个运算单元，各运算单元包括多个并联运算单元，属于同一运算单元的这些并联运算单元接收一相同输入电压，其中，多个输入数据转换成多个输入电压，在接收这些输入电压后，这些运算单元输出多个输出电流，以及根据这些输出电流据以得到这些输入数据与这些运算单元的多个电导值的一乘积和。技术研发人员：简维志,宋政霖,龙翔澜受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/29