存储装置的制作方法

本发明的实施方式涉及存储装置。

背景技术：

1、提出了在半导体基板上将包括磁阻效应元件等可变电阻存储元件和选择器(开关元件)的存储单元集成化而得到的存储装置。

技术实现思路

1、实施方式之一提供一种能够准确地判定可变电阻存储元件的电阻状态的存储装置。

2、实施方式涉及的存储装置具备：各自在第1方向上延伸的多条第1布线；各自在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸的多条第2布线；多个存储单元，其连接于所述多条第1布线与所述多条第2布线之间，所述多个存储单元中的每个存储单元包括可变电阻存储元件和开关元件，所述可变电阻存储元件能够呈现第1电阻状态和具有比所述第1电阻状态的电阻高的电阻的第2电阻状态，所述开关元件与所述可变电阻存储元件串联连接，具有当施加于两端子间的电压增加而达到第1电压时从截止状态转变为导通状态、并且当施加于所述两端子间的电压减少而达到比所述第1电压低的第2电压时从导通状态转变为截止状态的特性；以及判定动作控制电路，其控制连接于所选择的所述第1布线与所选择的所述第2布线之间的所选择的所述存储单元所包括的所述可变电阻存储元件的电阻状态的判定动作，所述判定动作控制电路，在第1读出期间，在所述所选择的第2布线被设定为浮置状态的状态下在第1导通状态设定时间点使所述所选择的第1布线的电压变化而将所述所选择的存储单元所包括的所述开关元件设定为导通状态，在从所述第1导通状态设定时间点起经过了第1经过时间的判定对象电压取得时间点取得施加于所述所选择的第1布线与所述所选择的第2布线之间的判定对象电压，在所述第1读出期间之后的写入期间，对所述所选择的存储单元所包括的所述可变电阻存储元件设定从所述第1电阻状态和所述第2电阻状态中选择出的参照电阻状态，在所述写入期间之后的第2读出期间，在所述所选择的第2布线被设定为浮置状态的状态下在第2导通状态设定时间点使所述所选择的第1布线的电压变化而将所述所选择的存储单元所包括的所述开关元件设定为导通状态，在从所述第2导通状态设定时间点起经过了第2经过时间的参照电压取得时间点取得施加于所述所选择的第1布线与所述所选择的第2布线之间的参照电压，基于所述判定对象电压与所述参照电压的电压差，判定在所述第1读出期间之前对所述所选择的存储单元所包括的所述可变电阻存储元件设定的判定对象电阻状态，所述判定对象电压取得时间点和所述参照电压取得时间点根据所述所选择的存储单元而变化。

技术特征：

1.一种存储装置，具备：

2.根据权利要求1所述的存储装置，

3.根据权利要求1所述的存储装置，

4.根据权利要求1所述的存储装置，

5.根据权利要求1所述的存储装置，

6.根据权利要求5所述的存储装置，

7.根据权利要求6所述的存储装置，

8.根据权利要求6所述的存储装置，

9.根据权利要求1所述的存储装置，

10.根据权利要求1所述的存储装置，

11.根据权利要求10所述的存储装置，

12.根据权利要求11所述的存储装置，

13.一种存储装置，具备：

14.根据权利要求13所述的存储装置，

15.根据权利要求13所述的存储装置，

16.根据权利要求13所述的存储装置，

17.根据权利要求1或13所述的存储装置，

技术总结实施方式之一提供一种能够准确地判定可变电阻存储元件的电阻状态的存储装置。实施方式涉及的存储装置具备：第1布线、第2布线、包括可变电阻存储元件和开关元件的存储单元、以及控制所选择的存储单元所包括的可变电阻存储元件的电阻状态的判定动作的判定动作控制电路，判定动作控制电路，在第1读出期间的判定对象电压取得时间点取得施加于第1布线与第2布线之间的判定对象电压，在第2读出期间的参照电压取得时间点取得施加于第1布线与第2布线之间的参照电压，基于判定对象电压与参照电压的电压差，判定在可变电阻存储元件设定的判定对象电阻状态，判定对象电压取得时间点和参照电压取得时间点根据所选择的存储单元而变化。技术研发人员：岩山昌由受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/4/29