一种NandFlash存储器的坏块判断与数据存储方法与流程

本发明涉及nand flash存储器，尤其涉及一种nand flash存储器的坏块判断与数据存储方法。

背景技术：

1、随着嵌入式系统的快速发展，nand flash存储器因其成本低、容量大的优点被广泛应用。由于制造工艺的关系，nand flash存储器在出厂时就存在一个或多个坏位的存储块(即坏块)，同时nand flash的擦写寿命有限，当使用到一定期限后也会产生坏块，导致在该区块的数据存取时无法保证可靠性，引发数据丢失、存储器寿命缩短等问题。

技术实现思路

1、本发明提供了一种nand flash存储器的坏块判断与数据存储方法，能够解决现有技术中nand flash存储器存在坏块导致数据存取时可靠性较低的技术问题。

2、根据本发明的一方面，提供了一种nand flash存储器的坏块判断与数据存储方法，所述方法包括：

3、s10、获取nand flash存储器的出厂坏块，并建立原始坏块表；

4、s20、基于原始坏块表对nand flash存储器中的非出厂坏块进行擦除，获取擦除过程中新产生的坏块，并将新产生的坏块的编号更新至原始坏块表；

5、s30、基于更新后的坏块表对nand flash存储器中的非坏块按页进行写入，以完成nand flash存储器的数据存储；

6、其中，在s30中，基于更新后的坏块表对nand flash存储器中的非坏块按页进行写入，以完成nand flash存储器的数据存储包括：

7、s31、基于更新后的坏块表判断待写入的当前页所在块是否为坏块，若是，转至s32，否则，转至s33；

8、s32、当前页地址增加64，并转至s31；

9、s33、判断当前页是否为首页，若是，转至s35，否则，转至s34；

10、s34、将待拷贝坏块中当前页之前的所有页的数据拷贝至当前块对应页，并判断是否拷贝成功，若是，转至s35，否则，转至s37；其中，待拷贝坏块为当前块之前最近的有效块之后的第一个坏块；

11、s35、写入当前页，并判断是否写入成功，若是，转至s36，否则，转至s37；

12、s36、判断是否完成当前块所有页的写入，若是，当前页地址增加1，并转至s31，否则，当前页地址增加1，并转至s35；

13、s37、将当前页所在块的编号加入更新后的坏块表，并转至s32。

14、优选的，在s10中，获取nand flash存储器的出厂坏块，并建立原始坏块表包括：

15、s11、判断当前块的标志是否为ffh，若是，转至s13，否则，转至s12；

16、s12、将当前块的编号加入原始坏块表，并转至s13；

17、s13、判断是否遍历完所有待擦除块，若是，完成原始坏块表的建立，并转至s20，否则，跳至下一个块，并转至s11。

18、优选的，在s20中，基于原始坏块表对nand flash存储器中的非出厂坏块进行擦除，获取擦除过程中新产生的坏块，并将新产生的坏块的编号更新至原始坏块表包括：

19、s21、基于原始坏块表判断当前待擦除块是否为坏块，若是，转至s22，否则，转至s23；

20、s22、跳至下一个待擦除块，并转至s21；

21、s23、擦除当前块，并判断是否擦除成功，若是，转至s25，否则，转至s24；

22、s24、将当前块的编号加入原始坏块表，得到更新后的坏块表，并转至s22；

23、s25、判断是否遍历完所有待擦除块，若是，转至s30，否则，转至s22。

24、根据本发明的又一方面，提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一所述方法。

25、应用本发明的技术方案，通过将新产生的坏块的编号更新至原始坏块表，数据存储时对于更新后的坏块表中登记的坏块直接弃用即可；通过将待拷贝坏块中当前页之前的所有页的数据拷贝至当前块对应页，以实现将擦除和写入过程中新产生的坏块进行替换处理，达到延长存储器使用寿命的目的。

技术特征：

1.一种nandflash存储器的坏块判断与数据存储方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在s10中，获取nandflash存储器的出厂坏块，并建立原始坏块表包括：

3.根据权利要求1和2所述的方法，其特征在于，在s20中，基于原始坏块表对nandflash存储器中的非出厂坏块进行擦除，获取擦除过程中新产生的坏块，并将新产生的坏块的编号更新至原始坏块表包括：

4.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至3任一所述方法。

技术总结本发明提供了一种NandFlash存储器的坏块判断与数据存储方法，所述方法包括：S10、获取NandFlash存储器的出厂坏块，并建立原始坏块表；S20、基于原始坏块表对NandFlash存储器中的非出厂坏块进行擦除，获取擦除过程中新产生的坏块，并将新产生的坏块的编号更新至原始坏块表；S30、基于更新后的坏块表对NandFlash存储器中的非坏块按页进行写入，以完成NandFlash存储器的数据存储。本发明能够解决现有技术中NandFlash存储器存在坏块导致数据存取时可靠性较低的技术问题。技术研发人员：周俊,张龙,宋殿光,唐雅琴,刘焕雨,杨斌,吕伟,王尉,刘梦瑶受保护的技术使用者：航天科工惯性技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/18