控制电路和半导体存储器的制作方法

本申请涉及半导体存储器，尤其涉及一种控制电路和半导体存储器。

背景技术：

1、启用写入crc(cyclic redundancy check，循环冗余校验)自动禁用模式后，在crc错误次数达到crc自动禁用阈值时，ddr5 sdram在后续检查到crc错误时不会将alert_n(警示信号)驱动为低电平。

2、但是，由于dram内部的时间限制，对于达到crc自动禁用阈值后的第一个crc错误，dram可能仍然会将alert_n驱动为低电平，并且在满足crc警示脉冲最小间隔(crc alert_pw_min)时，alert_n可能被释放，从而产生额外的alert脉冲。

技术实现思路

1、本申请提供一种控制电路和半导体存储器，避免生成额外的警示脉冲。

2、第一方面，本申请提供一种控制电路，包括：数据输入输出模块，所述数据输入输出模块用于在crc数据校验失败后，生成crc警示信号，并在crc数据错误次数达到crc自动禁用阈值时，生成crc校验阻止信号；

3、所述crc校验阻止信号用于阻止所述数据输入输出模块生成所述crc警示信号，所述crc警示信号用于指示所述crc数据出现错误。

4、在一些实施例中，所述数据输入输出模块包括：循环冗余校验模块；

5、所述循环冗余校验模块用于在接收到所述crc数据后，对所述crc数据进行校验，并在校验失败后生成crc错误信号。

6、在一些实施例中，所述数据输入输出模块包括：警示信号控制模块，所述警示信号控制模块与所述循环冗余校验模块连接；

7、所述警示信号控制模块用于在接收到所述crc错误信号后，生成所述crc警示信号。

8、在一些实施例中，所述数据输入输出模块包括：自动禁用阈值校验模块，所述自动禁用阈值校验模块与所述循环冗余校验模块连接；

9、所述自动禁用阈值校验模块用于在接收到所述crc错误信号后，将crc数据错误次数与crc自动禁用阈值进行比较，并在所述crc数据错误次数达到所述crc自动禁用阈值时，生成crc校验阻止信号，将所述crc校验阻止信号发送至所述警示信号控制模块。

10、在一些实施例中，所述自动禁用阈值校验模块还用于在所述crc数据错误次数达到crc自动禁用阈值时，生成crc自动禁用状态更改信号。

11、在一些实施例中，所述控制电路还包括：模式寄存器，所述模式寄存器与所述自动禁用阈值校验模块连接；

12、所述模式寄存器用于在接收到所述crc自动禁用状态更改信号后生成crc自动禁用信号，并将所述crc自动禁用信号发送至所述循环冗余校验模块，所述crc自动禁用信号用于阻止所述循环冗余校验模块对crc数据进行校验。

13、在一些实施例中，所述模式寄存器包括：crc寄存器；

14、所述crc寄存器用于在接收到所述crc自动禁用状态更改信号后，将crc自动禁用状态更改为不可用，以生成所述crc自动禁用信号。

15、在一些实施例中，所述自动禁用阈值校验模块具体用于在接收到所述crc错误信号后，从所述crc寄存器中获取所述crc自动禁用阈值，将crc数据错误次数与所述crc自动禁用阈值进行比较。

16、在一些实施例中，所述自动禁用阈值校验模块包括：计数器和比较器，所述计数器和所述比较器连接；

17、所述计数器用于在接收到所述crc错误信号后，计算所述crc数据错误次数，并将所述crc数据错误次数发送至所述比较器；

18、所述比较器用于在接收到所述crc数据错误次数后，从所述crc寄存器中获取所述crc自动禁用阈值，将所述crc数据错误次数与所述crc自动禁用阈值进行比较。

19、在一些实施例中，所述控制电路包括命令地址模块；

20、所述数据输入输出模块还用于将所述crc警示信号发送至所述命令地址模块。

21、在一些实施例中，所述命令地址模块包括：警示脉冲生成模块；

22、所述警示信号调整模块用于在接收到所述crc警示信号时，生成警示脉冲，所述警示脉冲用于指示crc数据校验失败。

23、在一些实施例中，所述控制电路包括第一信号线；

24、所述第一信号线用于将所述crc自动禁用状态更改信号发送至所述模式。

25、在一些实施例中，所述控制电路包括第二信号线；

26、所述第二信号线用于将所述crc自动禁用信号发送至所述循环冗余校验模块。

27、在一些实施例中，所述控制电路包括第三信号线；

28、所述第三信号线用于将所述crc警示信号发送至所述命令地址模块。

29、第二方面，本申请提供一种半导体存储器，包括上述的控制电路。

30、本申请提供的控制电路包括数据输入输出模块，数据输入输出模块在crc数据校验失败后，生成crc警示信号，并在crc数据错误次数达到crc自动禁用阈值时，生成crc校验阻止信号，crc校验阻止信号能够阻止数据输入输出模块生成crc警示信号，从而在crc数据错误次数达到crc自动禁用阈值后，避免生成额外的crc警示信号，进而避免生成额外的警示脉冲。

技术特征：

1.一种控制电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述数据输入输出模块包括：循环冗余校验模块；

3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述数据输入输出模块包括：警示信号控制模块，所述警示信号控制模块与所述循环冗余校验模块连接；

4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述数据输入输出模块包括：自动禁用阈值校验模块，所述自动禁用阈值校验模块与所述循环冗余校验模块连接；

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述自动禁用阈值校验模块还用于在所述crc数据错误次数达到crc自动禁用阈值时，生成crc自动禁用状态更改信号。

6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路还包括：模式寄存器，所述模式寄存器与所述自动禁用阈值校验模块连接；

7.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，所述模式寄存器包括：crc寄存器；

8.根据权利要求7所述的控制电路，其特征在于，所述自动禁用阈值校验模块具体用于在接收到所述crc错误信号后，从所述crc寄存器中获取所述crc自动禁用阈值，将crc数据错误次数与所述crc自动禁用阈值进行比较。

9.根据权利要求8所述的控制电路，其特征在于，所述自动禁用阈值校验模块包括：计数器和比较器，所述计数器和所述比较器连接；

10.根据权利要求1-9中任意一项所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括命令地址模块；

11.根据权利要求10所述的控制电路，其特征在于，所述命令地址模块包括：警示脉冲生成模块；

12.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括第一信号线；

13.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括第二信号线；

14.根据权利要求10所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括第三信号线；

15.一种半导体存储器，其特征在于，包括：权利要求1-14中任意一项所述的控制电路。

技术总结本申请提供一种控制电路和半导体存储器，包括数据输入输出模块，数据输入输出模块在CRC数据校验失败后，生成CRC警示信号，并在CRC数据错误次数达到CRC自动禁用阈值时，生成CRC校验阻止信号，CRC校验阻止信号能够阻止数据输入输出模块生成CRC警示信号，从而在CRC数据错误次数达到CRC自动禁用阈值后，避免生成额外的CRC警示信号，进而避免生成额外的警示脉冲。技术研发人员：黄泽群受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15