测试电路及半导体产品的测试方法与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及一种测试电路及半导体产品的测试方法。

背景技术：

1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)作为一种半导体产品，广泛应用于计算机系统，通过内部包含有反相器组的模块实现读写操作。反相器组在运行过程中会产生负偏压温度不稳定性，导致反相器组逐渐老化从而影响动态随机存储器的品质和寿命。

2、例如，为了监控动态随机存储器的品质和寿命，需要对动态随机存储器进行测试。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种测试电路及半导体产品的测试方法。

3、根据本公开实施例的第一方面，提供一种测试电路，所述测试电路包括测量电路和信号转换电路；

4、所述测量电路包括第一信号输入端、第一信号输出端和用于老化测试的电源输入端；所述第一信号输出端与所述信号转换电路的第二信号输入端耦接；所述电源输入端通过第一供电电源供电，所述第一供电电源与向所述信号转换电路供电的第二供电电源不同；

5、所述测量电路被配置为，根据测试输出信号，确定所述半导体产品中反相器组的参数，以确定所述半导体产品的状态；

6、其中，所述测试输出信号包括在通过所述第一供电电源向所述电源输入端输入的用于老化测试的电源电压后，在所述第一信号输出端所获取的测试输出信号。

7、根据本公开的一些实施例，所述测量电路包括与非门和所述半导体产品中的反相器组，所述与非门和所述反相器组耦接；

8、其中，所述与非门包括所述第一信号输入端，所述反相器组包括所述第一信号输出端；所述电源输入端包括设置在所述与非门上的第一供电电源第一输入端和设置在所述反相器组上的第一供电电源第二输入端。

9、根据本公开的一些实施例，所述反相器组包括：多个反相器，多个所述反相器中的每个所述反相器之间串联耦接，且每个所述反相器均包括所述第一供电电源第二输入端；

10、其中，第一个反相器的输入端与所述与非门的输出端耦接，最后一个反相器的输出端包括所述第一信号输出端。

11、根据本公开的一些实施例，所述测试电路还包括输出信号引出端；所述输出信号引出端与所述第一信号输出端耦接。

12、根据本公开的一些实施例，所述输出信号引出端包括连接垫片。

13、根据本公开的一些实施例，所述第一供电电源包括独立于所述半导体产品的供电电源或所述半导体产品内部的供电电源。

14、根据本公开的一些实施例，所述信号转换电路被配置为将所述测试输出信号转换成预设类型的信号并输出。

15、本公开的第二方面提供一种半导体产品的测试方法，所述测试方法由如上所述的测试电路执行，所述测试方法包括：

16、通过所述第一供电电源向所述电源输入端输入用于老化测试的电源电压；其中，所述第一供电电源与向所述信号转换电路供电的第二供电电源不同；

17、向所述第一信号输入端输入测试输入信号；

18、获取所述测试输入信号经过所述测试电路后，经由所述第一信号输出端的测试输出信号；

19、根据所述测试输出信号，确定所述半导体产品中反相器组的参数，以确定所述半导体产品的状态。

20、根据本公开的一些实施例，所述测试输入信号包括输入电压，所述测试输出信号包括输出电压；

21、所述根据所述测试输出信号，确定所述半导体产品中反相器组的参数，以确定所述半导体产品的状态，包括：

22、根据所述输入电压和所述输出电压，确定输出电流；

23、按照时间顺序，确定所述输出电流的变化状态；

24、根据所述变化状态，确定所述半导体产品中反相器组的参数，以确定所述半导体产品的状态。

25、根据本公开的一些实施例，所述根据所述测试输出信号，确定所述反相器组的第一时延参数，包括：

26、根据所述测试输出信号，确定所述反相器组的第一时延参数；

27、获取测试设备对应测试条件下的第二时延参数；

28、根据所述第一时延参数和第二时延参数，验证所确定的所述半导体产品的状态的准确性。

29、根据本公开的一些实施例，所述根据所述测试输出信号，确定所述半导体产品中反相器组的参数，以确定所述半导体产品的状态，包括：

30、根据所述测试输出信号，确定所述反相器组的第一时延参数；

31、获取预设运行条件下所述反相器组的第三时延参数；

32、根据所述第一时延参数和所述第三时延参数，确定所述半导体产品中反相器组的参数，以确定所述半导体产品的状态。

33、根据本公开的一些实施例，所述测试输入信号包括输入电压，所述测试输出信号包括输出电压；所述测试方法还包括：

34、根据所述输入电压和所述输出电压，确定输出电流；

35、按照时间顺序，确定所述输出电流的变化状态；

36、根据所述变化状态，验证所确定的所述半导体产品的状态的准确性。

37、根据本公开的一些实施例，所述根据所述测试输出信号，确定所述反相器组的第一时延参数，包括：

38、获取预设数量的步长内，确定所述测试输入信号的波形周期数；

39、根据所述预设数量、所述波形周期数以及时钟信号周期时长，确定所述第一时延参数。

40、根据本公开的一些实施例，所述根据所述预设数量、所述波形周期数以及时钟信号周期时长，确定所述第一时延参数，包括：

41、将所述预设数量与所述波形周期数的比值与所述时钟信号周期时长的乘积，作为所述第一时延参数。

42、根据本公开的一些实施例，按照下述方式确定所述预设数量：

43、t＝y-x+1；

44、其中，t为预设数量，y为结束步长数，x为起始步长数。

45、根据本公开的一些实施例，所述通过所述第一供电电源向所述电源输入端输入用于老化测试的电源电压，包括：

46、通过所述第一供电电源向所述第一供电电源第一输入端和所述第一供电电源第二输入端输入用于老化测试的所述电源电压。

47、根据本公开的一些实施例，所述获取所述第一信号输出端的测试输出信号，包括：

48、通过所述输出信号引出端获取所述测试输出信号。

49、本公开实施例所提供的测试电路及半导体产品的测试方法中，测试电路包括测量电路和信号转换电路，测量电路的第一信号输出端与信号转换电路的第二信号输入端耦接。测量电路通过第一供电电源供电，信号转换电路通过第二供电电源供电，且第一供电电源和第二供电电源不同。当需要进行半导体产品的状态的确定时，通过测量电路的测试输出信号，确定半导体产品中反相器组的参数。通过反相器组的参数，确定半导体产品的状态，以确定半导体产品的品质和寿命。由于采用了不同的供电电源分别对测量电路和信号转换电路进行供电，避免了测试过程中信号转换电路因高压而老化，提高了半导体产品的寿命。

50、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。