芯片测试方法与流程

本技术涉及芯片测试，具体涉及一种芯片测试方法。

背景技术：

1、在闪存芯片测试(cp，chip probing)过程中，数据保持(dr，date retention)测试是必不可少的测试项目。目前具体的测试流程主要包括cp1、cp2和cp3这3个阶段，其中dr测试具体为：首先在cp1阶段，在芯片存储区写正棋盘格背景，然后进行高温烘烤，接着在cp2阶段，检查正棋盘格背景并改写为写反棋盘格背景，接着又进行高温烘烤，最后在cp3阶段，检查反棋盘格背景并改写为ffff状态。

2、当cp2阶段和/或cp3阶段出现测试问题或者cp2阶段和/或cp3阶段写入的引导加载程序(bootloader/uid)出现信息错误时，需要进行复测/重测。但由于cp2阶段、cp3阶段的数据背景均被改写，所以dr测试会失败，导致无法进行cp2当步重测或cp3当步重测。目前，通常的解决方法是：需要返回到cp1阶段进行重测，开始下一轮测试流程(cp1-cp2-cp3)，损耗较多的时间和针迹次数。

技术实现思路

1、本技术提供了一种芯片测试方法，可以解决闪存芯片测试过程中，cp2或cp3无法进行当步重测的问题。

2、本技术实施例提供了一种芯片测试方法，包括：

3、第一步骤：在芯片的存储区写入正棋盘格背景；

4、第二步骤：在nvr测试项至少两个指定地址分别写入默认值，建立第一数据保持测试通过标志和第二数据保持测试通过标志；

5、第三步骤：对所述芯片进行高温烘烤；

6、第四步骤：对所述芯片进行电性测试一，所述电性测试一至少依次包括：直流参数测试一、数据保持测试一和功能测试一，其中，在所述电性测试一过程中，若所述数据保持测试一通过，则修改所述第一数据保持测试通过标志的状态，以在当步重测时，根据所述第一数据保持测试通过标志的状态，判断是否跳过所述数据保持测试一并直接进行所述功能测试一的测试；

7、第五步骤：对所述芯片进行高温烘烤；

8、第六步骤：对所述芯片进行电性测试二，所述电性测试二至少依次包括：直流参数测试二、数据保持测试二和功能测试二，其中，在所述电性测试二过程中，若所述数据保持测试二通过，则修改所述第二数据保持测试通过标志的状态，以在当步重测时，根据所述第二数据保持测试通过标志的状态，判断是否跳过所述数据保持测试二并直接进行所述功能测试二的测试。

9、可选的，在所述芯片测试方法中，所述第四步骤：对所述芯片进行电性测试一，所述电性测试一的测试项目至少依次包括：直流参数测试一、数据保持测试一和功能测试一的步骤包括：

10、步骤4.1：进行所述直流参数测试一；

11、步骤4.2：对所述第一数据保持测试通过标志进行识别；

12、步骤4.3：若读到所述第一数据保持测试通过标志为默认值，则进行所述数据保持测试一；若读到所述第一数据保持测试通过标志为更新值，则跳转到步骤4.6；

13、步骤4.4：根据所述数据保持测试一的测试结果，判断当前所述数据保持测试一是否通过；

14、步骤4.5：若所述数据保持测试一通过，则将所述第一数据保持测试通过标志的默认值修改为更新值；若所述数据保持测试一未通过，则不对所述第一数据保持测试通过标志的默认值进行修改；

15、步骤4.6：进行所述功能测试一；

16、步骤4.7：根据所述直流参数测试一、所述数据保持测试一和所述功能测试一的所有测试结果，判断是否需要进行当步重测；

17、步骤4.8：若需要进行当步重测，则返回执行步骤4.1；若不需要进行当步重测，则执行所述第五步骤。

18、可选的，在所述芯片测试方法中，所述数据保持测试一的步骤包括：校验所述正棋盘格背景。

19、可选的，在所述芯片测试方法中，在所述功能测试一中，将所述正棋盘格背景改写成反棋盘格背景。

20、可选的，在所述芯片测试方法中，所述第一数据保持测试通过标志的默认值为ffff。

21、可选的，在所述芯片测试方法中，所述第一数据保持测试通过标志的更新值为5a5a。

22、可选的，在所述芯片测试方法中，所述第六步骤：对所述芯片进行电性测试二，所述电性测试二的测试项目至少依次包括：直流参数测试二、数据保持测试二和功能测试二的步骤包括：

23、步骤6.1：进行所述直流参数测试二；

24、步骤6.2：对所述第二数据保持测试通过标志进行识别；

25、步骤6.3：若读到所述第二数据保持测试通过标志为默认值，则进行所述数据保持测试二；若读到所述第二数据保持测试通过标志为更新值，则跳转到步骤6.6；

26、步骤6.4：根据所述数据保持测试二的测试结果，判断当前所述数据保持测试二是否通过；

27、步骤6.5：若所述数据保持测试二通过，则将所述第二数据保持测试通过标志的默认值修改为更新值；若所述数据保持测试二未通过，则不对所述第二数据保持测试通过标志的默认值进行修改；

28、步骤6.6：进行所述功能测试二；

29、步骤6.7：根据所述直流参数测试二、所述数据保持测试二和所述功能测试二的所有测试结果，判断是否需要进行当步重测；

30、步骤6.8：若需要进行当步重测，则返回执行步骤6.1；若不需要进行当步重测，则结束当前芯片测试。

31、可选的，在所述芯片测试方法中，所述数据保持测试二的步骤包括：校验所述反棋盘格背景。

32、可选的，在所述芯片测试方法中，在所述功能测试二中，将所述反棋盘格背景改写成ffff状态。

33、可选的，在所述芯片测试方法中，所述第二数据保持测试通过标志的默认值为ffff。

34、可选的，在所述芯片测试方法中，所述第二数据保持测试通过标志的更新值为5a5a。

35、本技术技术方案，至少包括如下优点：

36、本技术通过建立第一数据保持测试通过标志(pass flag1)和第二数据保持测试通过标志(pass flag2)，在电性测试一(可理解为cp2测试阶段)中，通过识别nvr测试项指定地址的第一数据保持测试通过标志是否为更新值，以此判断数据保持(dr)测试一在前一次测试值是否通过，从而判断在重测时是否跳过数据保持(dr)测试一，若能跳过通过测试的数据保持(dr)测试一，就可以避免由于cp2的数据背景在校验时被改写而导致dr1重测失败的情况，从而实现cp2的当步重测，同理，在电性测试二(可理解为cp3测试阶段)中，通过识别nvr测试项指定地址的第二数据保持测试通过标志是否为更新值，以此判断数据保持测试二在前一次测试值是否通过，从而在重测时判断是否跳过数据保持(dr)测试二，若能跳过通过测试的数据保持(dr)测试二，就可以避免由于cp3的数据背景在校验时被改写而导致dr2重测失败的情况，从而实现cp3的当步重测。可见，cp2和cp3均可以各自实现当步重测，均不需要回到cp1进行重测，省去了很多不必要的针迹次数，节省了时间和测试成本。