存储器及访问方法、电子设备与流程

本技术涉及半导体，特别是涉及一种存储器及访问方法、电子设备。

背景技术：

1、随着半导体技术的发展，利用半导体技术制造的存储器的类型越来越多，存储器中包括存储单元阵列，用于存储数据。随着各类电子设备对集成度和存储容量等需求的不断提高，三维(3dimension，3d)存储器件应运而生。三维堆叠结构的存储器，可以通过堆叠多个用于存储数据的存储单元阵列来实现，进而提高存储器中能存储的数据容量。

技术实现思路

1、本公开提供一种存储器及访问方法、电子设备，可以实现对目标存储单元阵列中目标字线的选择。

2、本公开提供一种存储器，包括沿垂直衬底方向堆叠的多个存储单元层，以及与所述存储单元层中各存储单元对应连接的多个字线和多个位线；其中，所述字线沿平行衬底的第一方向延伸，一个所述字线连接所述存储单元层中的一行所述存储单元；所述位线沿垂直所述衬底的方向延伸，一个所述位线连接不同所述存储单元层中沿垂直衬底方向排布的一列所述存储单元；

3、字线选择电路，与各所述字线分别连接，被配置为：响应于访问请求提供层选择信号和行选通信号，并根据所述层选择信号和所述行选通信号选通目标字线。

4、在其中一个实施例中，所述字线选择电路包括：

5、层选择电路，包括多个字线层选择线；所述字线层选择线与所述存储单元层对应设置，被配置为：响应于所述访问请求，向对应所述存储单元层连接的各所述字线提供所述层选择信号；

6、行选通电路，包括多个第一行选通电路；所述行选通信号包括第一字线行选通信号；所述第一行选通电路与沿垂直衬底方向排布呈列且用于连接不同所述存储单元层中对应存储单元的一列所述字线对应设置，被配置为：响应于所述访问请求，向对应列的各所述字线提供所述第一字线行选通信号。

7、在其中一个实施例中，所述字线层选择线沿平行衬底的第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；

8、所述第一行选通电路包括：字线行选择线，以及沿垂直衬底方向排布呈列且与一列所述字线一一对应设置的多个第一选择晶体管；其中，

9、所述字线行选择线沿垂直衬底的方向延伸，并与一列所述第一选择晶体管的栅极连接；

10、所述第一选择晶体管位于对应所述字线的第一端，所述第一选择晶体管的第一源漏极连接所述第一端，所述第一选择晶体管的第二源漏极连接对应的所述字线层选择线。

11、在其中一个实施例中，所述行选通电路还包括多个第二行选通电路；所述行选通信号还包括第二字线行选通信号；

12、所述第二行选通电路与沿垂直衬底方向排布呈列且用于连接不同所述存储单元层中对应存储单元的一列所述字线对应设置，被配置为：响应于所述访问请求，向对应列的各所述字线提供所述第二字线行选通信号。

13、在其中一个实施例中，同一条所述字线连接的所述第一行选通电路和所述第二行选通电路分别位于所述字线的两端，且所述第一字线行选通信号和所述第二字线行选通信号的电位相反。

14、在其中一个实施例中，所述第二行选通电路包括：字线行反选择线，以及沿垂直衬底方向排布呈列且与一列所述字线一一对应设置的多个第二选择晶体管；其中，

15、所述字线行反选择线沿垂直衬底的方向延伸，并与一列所述第二选择晶体管的栅极连接；

16、所述第二选择晶体管位于对应所述字线的第二端，所述字线的第一端和第二端在所述第一方向上相对；所述第二选择晶体管的第一源漏极连接所述第二端，所述第二选择晶体管的第二源漏极连接参考电压端。

17、在其中一个实施例中，所述参考电压端包括沿垂直衬底方向延伸的参考电压信号线；其中，同一所述第二行选通电路中各所述第二选择晶体管的第二源漏极连接至同一所述参考电压信号线；

18、或，所述参考电压端包括沿垂直衬底方向延伸的参考电压导电墙；其中，不同所述第二行选通电路中各所述第二选择晶体管的第二源漏极均连接至所述参考电压导电墙。

19、在其中一个实施例中，所述层选择电路还包括：

20、层引出结构，用于连接外部控制电路，包括多个层引出线；所述层引出线与所述字线层选择线对应连接，并沿垂直衬底方向延伸引出。

21、在其中一个实施例中，所述存储器还包括：

22、位线选择电路，位于所述多个存储单元层的顶部或底部，并与各所述位线对应连接，被配置为：响应于所述访问请求提供位线选通信号，并根据所述位线选通信号选通目标位线。

23、一种存储器的访问方法，所述存储器包括沿垂直衬底方向堆叠的多个存储单元层，以及与所述存储单元层中各存储单元对应连接的多个字线和多个位线；其中，所述字线沿平行衬底的第一方向延伸，一个所述字线连接所述存储单元层中的一行所述存储单元；所述位线沿垂直所述衬底的方向延伸，一个所述位线连接不同所述存储单元层中沿垂直衬底方向排布的一列所述存储单元；

24、所述访问方法包括：

25、响应于访问请求，通过字线选择电路向其连接的各所述字线提供层选择信号和行选通信号，并根据所述层选择信号和所述行选通信号选通目标字线。

26、在其中一个实施例中，所述字线选择电路包括层选择电路和行选通电路；所述层选择电路包括与所述存储单元层对应设置的多个字线层选择线；所述行选通电路包括多个第一行选通电路；所述行选通信号包括第一字线行选通信号；所述第一行选通电路与沿垂直衬底方向排布呈列且用于连接不同所述存储单元层中对应存储单元的一列所述字线对应设置；其中，所述响应于访问请求，字线选择电路向连接的各所述字线提供层选择信号和行选通信号，包括：

27、响应于所述访问请求，通过所述字线层选择线向对应所述存储单元层连接的各所述字线提供所述层选择信号；

28、响应于所述访问请求，通过所述第一行选通电路向对应列的各所述字线提供所述第一字线行选通信号。

29、在其中一个实施例中，所述行选通电路还包括多个第二行选通电路；所述第二行选通电路与沿垂直衬底方向排布呈列且用于连接不同所述存储单元层中对应存储单元的一列所述字线对应设置；所述行选通信号还包括第二字线行选通信号；其中，所述响应于访问请求，字线选择电路向连接的各所述字线提供层选择信号和行选通信号，还包括：

30、响应于所述访问请求，通过所述第二行选通电路向对应列的各所述字线提供所述第二字线行选通信号。

31、在其中一个实施例中，同一条所述字线连接的所述第一行选通电路和所述第二行选通电路分别位于所述字线的两端，且所述第一字线行选通信号和所述第二字线行选通信号的电位相反。

32、在其中一个实施例中，存储器的访问方法还包括：

33、响应于所述访问请求，通过位线选择电路向其连接的各所述位线提供位线选通信号，并根据所述位线选通信号选通目标位线。

34、本公开还提供一种电子设备，包括上述任一项存储器。

35、上述存储器中，字线沿平行衬底的第一方向延伸，一个所述字线连接所述存储单元层中的一行所述存储单元，字线选择电路与各所述字线分别连接，响应于访问请求提供层选择信号和行选通信号，并根据所述层选择信号和所述行选通信号选通目标字线，沿垂直于衬底的方向延伸的位线连接不同存储单元层中沿垂直衬底方向排布的一列所述存储单元，可以向确定的目标字线中的目标存储单元提供位线信号，电路结构简单，成本低。

36、上述存储器的访问方法中，响应于访问请求，通过字线选择电路向其连接的各所述字线提供层选择信号和行选通信号，并根据所述层选择信号和所述行选通信号选通目标字线，沿垂直于衬底的方向延伸的位线连接不同存储单元层中沿垂直衬底方向排布的一列所述存储单元，可以向确定的目标字线中的目标存储单元提供位线信号，电路结构简单，成本低。