执行包括编程循环的编程操作的存储器装置及其操作方法与流程

本公开的各种实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器系统是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储器系统可包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置可以是即使当供电中断时也保留所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例可包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和闪存。

3、在具有三维(3d)结构的非易失性存储器装置中，作为编程操作的单位的多个物理页可联接到一条字线。可对联接到一条字线的多个物理页依次执行编程操作。然而，当联接到一条字线的多个物理页中的任一个中所包括的存储器单元的阈值电压增加时，包括在其它物理页中的存储器单元的阈值电压也可改变。

技术实现思路

1、本公开的各种实施方式涉及一种能够在编程操作期间改进存储器单元的阈值电压分布的存储器装置和操作该存储器装置的方法。

2、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：执行增加联接到字线的多个存储器单元当中的通过第一漏极选择线选择的第一存储器单元的阈值电压的第一编程循环；执行增加多个存储器单元当中的通过第二漏极选择线选择的第二存储器单元的阈值电压的第二编程循环；以及交替地重复第一编程循环和第二编程循环，使得第一存储器单元和第二存储器单元的相应阈值电压增加至与相应目标编程状态对应的相应阈值电压。

3、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：在第一编程循环中，执行对联接到字线的第一物理页进行编程的第一编程电压施加操作；在第一编程循环中，执行对联接到字线的第二物理页进行编程的第二编程电压施加操作；在第一编程循环中，执行识别包括在第一物理页中的第一存储器单元的阈值电压的第一验证操作；在第一编程循环中，执行识别包括在第二物理页中的第二存储器单元的阈值电压的第二验证操作；以及基于第一验证操作和第二验证操作的结果执行包括第一编程电压施加操作和第二编程电压施加操作以及第一验证操作和第二验证操作的第二编程循环。

4、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：多个存储器单元串组，各个存储器单元串组包括多个存储器单元串；外围电路，其被配置为执行将数据存储在第一物理页和第二物理页中的编程操作，第一物理页被包括在多个存储器单元串组中的第一存储器单元串组中，并且第二物理页被包括在多个存储器单元串组中的第二存储器单元串组中；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路在编程操作期间执行交替地包括第一编程循环和第二编程循环的多个编程循环，第一编程循环对第一物理页进行编程，并且第二编程循环对第二物理页进行编程。

5、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：联接到字线的存储器单元的第一物理页和第二物理页；以及控制电路，其被配置为执行第一操作和第二操作的序列，并且重复该序列以使存储器单元的阈值电压升高至相应目标电平。第一操作升高第一页内的一个或更多个存储器单元的阈值电压。第二操作升高第二页内的一个或更多个存储器单元的阈值电压。

技术特征：

1.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一编程循环和所述第二编程循环中的每一个包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一编程循环和所述第二编程循环使用具有相同大小的编程电压。

4.根据权利要求1所述的方法，

5.根据权利要求4所述的方法，其中，交替地重复所述第一编程循环和所述第二编程循环的步骤包括：响应于所述第一编程循环的所述第一验证操作失败以及所述第二编程循环的所述第二验证操作失败，执行交替地包括所述第一编程循环和所述第二编程循环的多个编程循环。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，交替地重复所述第一编程循环和所述第二编程循环的步骤包括：基于所述第一编程循环和所述第二编程循环交替地重复的次数，在每次交替地重复第一编程循环和第二编程循环时增加所述编程电压的大小。

7.根据权利要求1所述的方法，

8.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

9.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：通过相应漏极选择线选择所述第一物理页和所述第二物理页。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述第一编程循环和所述第二编程循环中的每一个中，使用相同的编程电压执行所述第一编程电压施加操作和所述第二编程电压施加操作。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，使用比所述第一编程循环中的所述第一编程电压施加操作和所述第二编程电压施加操作中使用的编程电压高的编程电压来执行所述第二编程循环中的所述第一编程电压施加操作和所述第二编程电压施加操作。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，执行所述第二编程循环的步骤包括：

14.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：响应于所述第二编程循环中的所述第一验证操作和所述第二验证操作失败，执行包括所述第一编程电压施加操作和所述第二编程电压施加操作以及所述第一验证操作和所述第二验证操作的第三编程循环。

15.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：响应于所述第二编程循环中的所述第一验证操作失败以及所述第二编程循环中的所述第二验证操作通过，执行包括所述第一编程电压施加操作和所述第一验证操作的第三编程循环。

16.一种存储器装置，该存储器装置包括：

17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述第一编程循环和所述第二编程循环中的每一个包括：

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器响应于在所述第一编程循环中对所述第一存储器单元的所述验证操作通过以及在所述第二编程循环中对所述第二存储器单元的所述验证操作失败，控制所述外围电路在执行所述多个编程循环之后进一步执行所述第二编程循环。

19.根据权利要求17所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器响应于在所述第一编程循环中对所述第一存储器单元的所述验证操作失败以及在所述第二编程循环中对所述第二存储器单元的所述验证操作通过，控制所述外围电路在执行所述多个编程循环之后进一步执行所述第一编程循环。

20.根据权利要求16所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在执行所述多个编程循环之后进一步交替地重复对包括在所述多个存储器单元串组中的第三存储器单元串组中的第三物理页进行编程的第一编程循环以及对包括在所述多个存储器单元串组中的第四存储器单元串组中的第四物理页进行编程的第二编程循环。

技术总结本文可提供一种用于执行包括编程循环的编程操作的存储器装置及其操作方法。操作存储器装置的方法可包括：执行增加联接到字线的多个存储器单元当中的通过第一漏极选择线选择的第一存储器单元的阈值电压的第一编程循环；执行增加多个存储器单元当中的通过第二漏极选择线选择的第二存储器单元的阈值电压的第二编程循环；以及交替地重复第一编程循环和第二编程循环，使得第一存储器单元和第二存储器单元的相应阈值电压增加至与相应目标编程状态对应的相应阈值电压。技术研发人员：崔亨进,高贵韩,朴赞植受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/11