执行刷新操作的半导体装置的制作方法

背景技术：

1、dram是一种易失性半导体存储器装置，其中存储器单元中的数据通过周期性地执行刷新操作而留存。期望减少由刷新操作导致的电流消耗以便减少dram中的电流消耗。

技术实现思路

1、描述用于执行刷新操作的半导体装置。一种实例设备包含多个存储体及刷新控制器。所述刷新控制器经配置以响应于第一刷新命令而对具有第一状态的所述多个存储体中的一或多者执行刷新操作，而不对具有第二状态的所述多个存储体中的一或多者执行所述刷新操作。所述刷新控制器进一步经配置以响应于第二刷新命令而对所述多个存储体中的选定者执行所述刷新操作。所述刷新控制器经配置以在响应于所述第二刷新命令而执行所述刷新操作时使所述多个存储体中的所述选定者进入所述第二状态中。

2、另一实例设备包含多个存储体及刷新控制器。所述刷新控制器经配置以：响应于每存储体刷新命令而对所述多个存储体中的选定者执行第一刷新操作；响应于所述每存储体刷新命令而将所述多个存储体中的所述选定者的状态设置为抑制执行刷新操作的设置状态；响应于在所述每存储体刷新命令之后发出的所有存储体刷新命令而对除所述多个存储体中的所述选定者之外的所述多个存储体中的每一者执行第二刷新操作；及响应于所述所有存储体刷新命令而将所述多个存储体中的所述选定者的所述状态设置为允许执行刷新操作的复位状态。

3、另一实例设备包含多个存储体及刷新控制器。所述刷新控制器包含多个sr锁存电路，所述多个sr锁存电路中的每一者对应于所述多个存储体中的相应者。所述多个sr锁存电路中的每一者经配置以被设置为第一状态及第二状态中的一者。所述刷新控制器经配置响应于第一刷新命令而：对其对应sr锁存电路被设置为所述第一状态的所述多个存储体的第一群组执行刷新操作；及跳过对其对应sr锁存电路被设置为所述第二状态的所述多个存储体的第二群组的刷新操作。

技术特征：

1.一种设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述刷新控制器经配置以在响应于所述第一刷新命令而执行所述刷新操作时使所有所述多个存储体都进入所述第一状态中。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述刷新控制器经配置以在响应于多个所述第二刷新命令而对所有所述多个存储体都执行所述刷新操作时使所有所述多个存储体都进入所述第一状态中。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一刷新命令是所有存储体刷新命令。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第二刷新命令是每存储体刷新命令。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一刷新命令是自刷新命令。

7.根据权利要求1所述的设备，

8.根据权利要求7所述的设备，其中所述刷新控制器经配置以响应于第三刷新命令而对所述多个存储体执行所述刷新操作，无论其状态为何。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述刷新控制器经配置以响应于所述第三刷新命令通过使用与由所述刷新控制器产生的所述刷新地址不同的另一刷新地址对所述多个存储体执行所述刷新操作。

10.一种设备，其包括：

11.根据权利要求10所述的设备，

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述刷新控制器进一步经配置以在响应于接收到多个所述每存储体刷新命令而在所有所述多个存储体中执行使用所述经存储地址的所述第一刷新操作时更新所述刷新计数器的所述经存储地址值。

13.根据权利要求11所述的设备，其中所述刷新控制器进一步经配置以：

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述刷新控制器进一步经配置以维持所述经存储地址值，无论是否接收到所述刷新管理命令。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述刷新控制器进一步经配置以独立于所述刷新计数器而产生所述刷新地址。

16.一种设备，其包括：

17.根据权利要求16所述的设备，

18.根据权利要求17所述的设备，其中所有所述多个sr锁存电路响应于所述第一刷新命令被设置为所述第一状态。

19.根据权利要求18所述的设备，其中所述第一刷新命令是所有存储体刷新命令。

20.根据权利要求19所述的设备，其中所述第二刷新命令是每存储体刷新命令。

技术总结本文中公开一种设备，其包含：多个存储体；及刷新控制器，其经配置以响应于第一刷新命令而对具有第一状态的所述多个存储体中的一或多者执行刷新操作，而不对具有第二状态的所述多个存储体中的一或多者执行所述刷新操作，且响应于第二刷新命令而对所述多个存储体中的选定者执行所述刷新操作。所述刷新控制器经配置以在响应于所述第二刷新命令而执行所述刷新操作时使所述多个存储体中的所述选定者进入所述第二状态中。技术研发人员：畠山敦,李铉雨,金康永,山本明义受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/6/20