存储器件、存储器系统及其操作方法与流程

本公开涉及存储器件及其操作方法。

背景技术：

1、闪存是一种低成本、高密度、非易失性固态存储介质，可以电擦除和重新编程。闪存包括nor闪存和nand闪存。闪存可以执行各种操作，例如读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储单元的阈值电压改变到期望的电平。对于nand闪存，可以在块级执行擦除操作，可以在页级执行编程操作或读取操作。

技术实现思路

1、在一个方面，一种存储器件包括多个存储单元和耦合到多个存储单元的外围电路。外围电路包括页缓冲器。页缓冲器至少包括页缓冲电路和耦合到页缓冲电路的控制逻辑。页缓冲电路耦合到多个存储单元。页缓冲电路包括动态存储单元和第一非动态存储单元。控制逻辑被配置为控制页缓冲电路来基于要对所述页缓冲电路执行的操作的类型以及所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的信息存储方式，来确定是否在所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间执行信息交换过程。控制逻辑还被配置为基于确定是否执行所述信息交换过程来对所述页缓冲电路执行操作。

2、在一些实施方式中，所述页缓冲电路还包括感测节点，并且所述动态存储单元和所述第一非动态存储单元耦合到所述感测节点。所述动态存储单元和所述非动态存储单元通过连接电路耦合。

3、在一些实施方式中，所述控制逻辑还被配置为通过以预定时间间隔执行所述信息交换过程来刷新所述动态存储单元。

4、在一些实施方式中，第一组信息和第二组信息分别初始存储在所述动态存储单元和所述第一非动态存储单元中。所述控制逻辑被配置为通过在所述动态存储单元和所述第一非动态存储单元之间交换所述第一组信息和第二组信息来执行所述信息交换过程。

5、在一些实施方式中，为了交换所述第一组信息和第二组信息，所述控制逻辑还被配置为：配置所述页缓冲电路以基于所述动态存储单元中的所述第一组信息来修改所述感测节点的电位。控制逻辑还配置为将所述第一非动态存储单元中的第二组信息重新存储到所述动态存储单元中，以及配置页缓冲电路以基于所述感测节点的电位来将所述第一组信息重新存储到所述第一非动态存储单元中。

6、在一些实施方式中，所述信息存储方式表示以下之一：所述第一组信息存储于所述动态存储单元中，并且所述第二组信息存储于所述第一非动态存储单元中；或者，所述第一组信息存储于所述第一非动态存储单元中，并且所述第二组信息存储于所述动态存储单元中。

7、在一些实施方式中，所述操作的类型包括更新所述第一组信息、读出所述第一组信息、更新所述第二组信息或读出所述第二组信息中的至少一个。

8、在一些实施方式中，响应于所述操作的类型包括更新所述第一组信息，为了确定是否执行所述信息交换过程，所述控制逻辑还被配置为：确定所述第一组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中。响应于所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定不执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的信息交换过程。或者，响应于所述第一组信息存储在所述动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的信息交换过程。

9、在一些实施方式中，为了对所述页缓冲电路执行所述操作，所述控制逻辑还被配置为：响应于当所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中时确定不执行所述信息交换过程，更新所述第一非动态存储单元上的所述第一组信息。或者，响应于当所述第一组信息存储在所述动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，控制逻辑被配置为执行所述信息交换过程以将所述第一组信息从所述动态存储单元重新存储至所述第一非动态存储单元，以及更新所述第一非动态存储单元上的所述第一组信息。

10、在一些实施方式中，响应于所述操作的类型包括读出所述第一组信息，为了确定是否执行所述信息交换过程，所述控制逻辑还被配置为：确定所述第一组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中。响应于所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程，或者，响应于所述第一组信息存储在所述动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定不执行所述行动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。

11、在一些实施方式中，为了对所述页缓冲电路执行所述操作，所述控制逻辑还被配置为：响应于当所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，执行所述信息交换过程以将所述第一组信息从所述第一非动态存储单元重新存储至所述动态存储单元；以及从所述动态存储单元中读出所述第一组信息。或者，响应于当所述第一组信息存储在所述动态存储单元中时确定不执行所述信息交换过程，控制逻辑被配置为从动态存储单元中读出所述第一组信息。

12、在一些实施方式中，页缓冲电路还包括第二非动态存储单元。该操作的类型包括更新存储在第二非动态存储单元中的第三组信息。

13、在一些实施方式中，为了确定是否执行所述信息交换过程，所述控制逻辑还被配置为：确定所述第二组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中。响应于所述第二组信息存储在所述第一非动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定不执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。或者，响应于所述第二组信息存储在所述动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。

14、在一些实施方式中，为了对所述页缓冲电路执行所述操作，所述控制逻辑还被配置为：响应于当所述第二组信息存储在所述第一非动态存储单元中时确定不执行所述信息交换过程，更新所述第一非动态存储单元上的所述第二组信息；以及基于更新的第二组信息来更新所述第二非动态存储单元上的所述第三组信息。或者，响应于当所述第二组信息存储在所述动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，控制逻辑被配置为执行所述信息交换过程以将所述第二组信息从所述动态存储单元重新存储至所述第一非动态存储单元，更新所述第一非动态存储单元上的所述第二组信息，以及基于更新的第二组信息来更新所述第二非动态存储单元上的所述第三组信息。

15、在一些实施方式中，第一组信息包括偏置电平信息。第二组信息包括页数据的一部分。第三组信息包括禁止信息。

16、在一些实施方式中，每个存储单元被配置为用一组n位数据编程，其中n是等于或大于2的整数。所述第一非动态存储单元包括偏置电平存储单元。所述第二非动态存储单元包括感测存储单元。所述页缓冲电路还包括高速缓存存储单元和n-2个数据存储单元。

17、在另一方面，一种存储器系统包括被配置为存储数据的存储器件和耦合到该存储器件并且被配置为控制该存储器件的存储器控制器。存储器件包括多个存储单元和耦合到多个存储单元的外围电路。外围电路包括页缓冲器，页缓冲器至少包括耦合到多个存储单元的页缓冲电路。页缓冲器还包括耦合到页缓冲电路的控制逻辑。页缓冲电路包括动态存储单元和第一非动态存储单元。控制逻辑被配置为基于要对页缓冲电路执行的操作的类型以及动态存储单元和第一非动态存储单元之间的信息存储方式，来确定是否在动态存储单元和第一非动态存储单元之间执行信息交换过程。控制逻辑还被配置为基于确定是否执行信息交换过程来对页缓冲电路执行操作。

18、在一些实施方式中，所述页缓冲电路还包括感测节点，并且所述动态存储单元和所述第一非动态存储单元耦合到所述感测节点。所述动态存储单元和所述非动态存储单元通过连接电路耦合。

19、在一些实施方式中，所述控制逻辑还被配置为通过以预定时间间隔执行所述信息交换过程来刷新所述动态存储单元。

20、在一些实施方式中，第一组信息和第二组信息分别初始存储在所述动态存储单元和所述第一非动态存储单元中。控制逻辑被配置为通过在所述动态存储单元和所述第一非动态存储单元之间交换所述第一组信息和第二组信息来执行所述信息交换过程。

21、在一些实施方式中，为了交换所述第一组信息和第二组信息，所述控制逻辑还被配置为配置所述页缓冲电路以基于所述动态存储单元中的所述第一组信息来修改所述感测节点的电位。控制逻辑还配置为将所述第一非动态存储单元中的所述第二组信息重新存储到所述动态存储单元中，以及配置所述页缓冲电路以基于感测节点的电位将所述第一组信息重新存储到所述第一非动态存储单元中。

22、在一些实施方式中，所述信息存储方式表示以下之一：所述第一组信息存储在所述动态存储单元中，并且所述第二组信息存储在所述第一非动态存储单元中；或者，所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中，并且所述第二组信息存储在所述动态存储单元中。

23、在一些实施方式中，所述操作的类型包括更新所述第一组信息、读出所述第一组信息、更新所述第二组信息或读出所述第二组信息中的至少一个。

24、在一些实施方式中，响应于所述操作的类型包括更新第一组信息，为了确定是否执行所述信息交换过程，所述控制逻辑还被配置为：确定所述第一组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中。响应于所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定不执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。或者，响应于所述第一组信息存储在所述动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。

25、在一些实施方式中，为了对所述页缓冲电路执行所述操作，所述控制逻辑还被配置为：响应于当所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中时确定不执行所述信息交换过程，更新所述第一非动态存储单元上的所述第一组信息。或者，响应于当所述第一组信息存储在所述动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，控制逻辑被配置为执行所述信息交换过程以将所述第一组信息从所述动态存储单元重新存储至所述第一非动态存储单元，以及更新所述第一非动态存储单元上的所述第一组信息。

26、在一些实施方式中，响应于所述操作的类型包括读出所述第一组信息，为了确定是否执行所述信息交换过程，所述控制逻辑还被配置为：确定所述第一组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中。响应于所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。或者，响应于所述第一组信息存储在所述动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定不执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。

27、在一些实施方式中，为了对所述页缓冲电路执行所述操作，所述控制逻辑还被配置为：响应于当所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，执行所述信息交换过程以将所述第一组信息从所述第一非动态存储单元重新存储至所述动态存储单元，以及从所述动态存储单元中读出所述第一组信息。或者，响应于当所述第一组信息存储在所述动态存储单元中时确定不执行所述信息交换过程，控制逻辑被配置为从所述动态存储单元中读出所述第一组信息。

28、在一些实施方式中，页缓冲电路还包括第二非动态存储单元。该操作的类型包括更新存储在第二非动态存储单元中的第三组信息。

29、在一些实施方式中，为了确定是否执行所述信息交换过程，所述控制逻辑还被配置为：确定所述第二组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中。响应于所述第二组信息存储在所述第一非动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定不执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。或者，响应于所述第二组信息存储在所述动态存储单元中，控制逻辑被配置为确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。

30、在一些实施方式中，为了对所述页缓冲电路执行所述操作，所述控制逻辑还被配置为：响应于当所述第二组信息存储在所述第一非动态存储单元中时确定不执行所述信息交换过程，更新所述第一非动态存储单元上的所述第二组信息；以及基于更新的第二组信息来更新所述第二非动态存储单元上的所述第三组信息。或者，响应于当所述第二组信息存储在所述动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，控制逻辑被配置为执行所述信息交换过程以将所述第二组信息从所述动态存储单元重新存储至所述第一非动态存储单元，更新所述第一非动态存储单元上的所述第二组信息，以及基于更新的第二组信息来更新所述第二非动态存储单元上的所述第三组信息。

31、在一些实施方式中，第一组信息包括偏置电平信息。第二组信息包括页数据的一部分。第三组信息包括禁止信息。

32、在一些实施方式中，每个存储单元被配置成用一组n位数据编程，其中n是等于或大于2的整数。所述第一非动态存储单元包括偏置电平存储单元。所述第二非动态存储单元包括感测存储单元。所述页缓冲电路还包括高速缓存存储单元和n-2个数据存储单元。

33、在另一方面，公开了一种用于操作存储器件的方法。所述存储器件包括耦合到页缓冲器中的页缓冲电路的多个存储单元。所述页缓冲电路包括动态存储单元和第一非动态存储单元。所述方法包括：基于要对所述页缓冲电路执行的操作的类型以及所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的信息存储方式，来确定是否在所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间执行信息交换过程。该方法还包括：基于确定是否执行所述信息交换过程，对所述页缓冲电路执行所述操作。

34、在一些实施方式中，通过以预定时间间隔执行所述信息交换过程来刷新所述动态存储单元。

35、在一些实施方式中，第一组信息和第二组信息分别初始存储在所述动态存储单元和所述第一非动态存储单元中。所述信息交换过程是通过在所述动态存储单元和所述第一非动态存储单元之间交换所述第一组信息和第二组信息来执行的。

36、在一些实施方式中，交换所述第一组信息和第二组信息包括：配置所述页缓冲电路以基于所述动态存储单元中的所述第一组信息来修改所述感测节点的电位；将所述第一非动态存储单元中的所述第二组信息重新存储到所述动态存储单元中；以及配置页缓冲电路以基于所述感测节点的电位将所述第一组信息重新存储到所述第一非动态存储单元中。

37、在一些实施方式中，所述信息存储方式表示以下之一：所述第一组信息存储在所述动态存储单元中，并且所述第二组信息存储在所述第一非动态存储单元中；或者，所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中，并且所述第二组信息存储在所述动态存储单元中。

38、在一些实施方式中，所述操作的类型包括更新所述第一组信息、读出所述第一组信息、更新所述第二组信息或读出所述第二组信息中的至少一个。

39、在一些实施方式中，响应于所述操作的类型包括更新第一组信息，确定是否执行所述信息交换过程包括：确定所述第一组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中；响应于所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中，确定不执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程；或者响应于所述第一组信息存储在所述动态存储单元中，确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。

40、在一些实施方式中，对所述页缓冲电路执行所述操作包括：响应于当所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元时确定不执行所述信息交换过程，更新所述第一非动态存储单元上的所述第一组信息；或者响应于当第一组信息存储在所述动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，执行所述信息交换过程以将所述第一组信息从所述动态存储单元重新存储至所述第一非动态存储单元；以及更新所述第一非动态存储单元上的所述第一组信息。

41、在一些实施方式中，响应于所述操作的类型包括读出所述第一组信息，确定是否执行所述信息交换过程包括：确定所述第一组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中；响应于所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中，确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程；或者响应于所述第一组信息存储在所述动态存储单元中，确定不执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。

42、在一些实施方式中，对所述页缓冲电路执行所述操作包括：响应于当所述第一组信息存储在所述第一非动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，执行所述信息交换过程以将所述第一组信息从所述第一非动态存储单元重新存储至所述动态存储单元；以及从所述动态存储单元中读出所述第一组信息；或者响应于当所述第一组信息存储在所述动态存储单元中时确定不执行所述信息交换过程，从动态存储单元读取所述第一组信息。

43、在一些实施方式中，页缓冲电路还包括第二非动态存储单元。该操作的类型包括更新存储在所述第二非动态存储单元中的第三组信息。

44、在一些实施方式中，确定是否执行所述信息交换过程包括：确定所述第二组信息是存储在所述动态存储单元还是所述第一非动态存储单元中；响应于所述第二组信息存储在所述第一非动态存储单元中，确定不执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的信息交换过程；或者响应于所述第二组信息存储在所述动态存储单元中，确定执行所述动态存储单元与所述第一非动态存储单元之间的所述信息交换过程。

45、在一些实施方式中，对所述页缓冲电路执行操作包括：响应于当所述第二组信息存储在所述第一非动态存储单元中时确定不执行所述信息交换过程，更新所述第一非动态存储单元上的所述第二组信息；以及基于更新的第二组信息来更新所述第二非动态存储单元上的所述第三组信息；或者响应于当所述第二组信息存储在所述动态存储单元中时确定执行所述信息交换过程，执行所述信息交换过程以将所述第二组信息从所述动态存储单元重新存储至所述第一非动态存储单元；更新所述第一非动态存储单元上的所述第二组信息；以及基于更新的第二组信息来更新所述第二非动态存储单元上的所述第三组信息。

46、在一些实施方式中，第一组信息包括偏置电平信息。第二组信息包括页数据的一部分。第三组信息包括禁止信息。