一种基于存储单元单向编程的存储器写保护电路的制作方法

本发明涉及一种基于存储单元单向编程的存储器写保护电路，属于集成电路设计。

背景技术：

1、在当今计算机系统、嵌入式系统和众多信息终端系统中，存储器作为信息存储载体起到越来越重要的作用。同时，随着存储信息数据量的不断增大和广泛传播，人们越来越注重存储信息的数据安全问题，尤其在星载计算机或嵌入式控制系统、军用装备控制系统和电子密钥系统等高安全需求领域，需要确保敏感存储信息的绝对安全存储，防止任何对存储数据有意或无意的改写情况出现。

2、存储器写保护技术是防止存储器数据被改写的主要技术之一，主要可以归纳为三种方式，第一种方式可以归纳为引脚直控法，即在芯片上预留一个专门的控制引脚作为写保护功能启用引脚，芯片使用过程中，外部控制信号将该写保护功能启用引脚配置为某一种逻辑状态时，写保护功能未启用，存储器芯片可以进行存储数据的改写操作；写保护功能启用引脚配置为相反逻辑状态时，写保护功能启用，存储器芯片不可以进行存储数据的改写操作，即该存储器进入写保护模式。这种写保护技术通常应用于单片eeprom芯片中，其虽然可以实现写保护功能，但由于写保护引脚外设，写保护引脚逻辑状态容易被非法修改，导致写保护功能失效。

3、第二种方式可以归纳为写保护指令配置特定寄存器的方式，该方式常应用于串行总线eeprom，使用过程中需要采用特定指令将存储器内相关寄存器配置为特定二进制码型，从而决定是否启用该存储器的写保护功能。该方式可以实现写保护功能，但存在写保护配置指令被破解的风险，从而导致写保护功能失效。

4、第三种方式可以归纳为专用写保护电路方式，实现方式一般为在存储器写使能通路或写操作供电模块的供电通路上引入专用写保护电路，通过配置专用写保护电路状态，实现存储器写使能通路状态或写操作供电模块的供电通路状态的锁定，使外部写使能信号或写操作供电模块提供的写操作电压(或操作电流)无法作用于目标存储单元，导致存储器写操作失效，从而实现存储器的写保护功能。

5、现有技术中，专利us7817456b2提出一种针对掩模编程rom的写保护电路技术，如图1所示，图中主体存储阵列103和编程锁定电路102中的掩模晶体管112、113、114等在制造阶段即完成掩模编程，此后，掩模晶体管112、113、114等将处于导通状态。若高压电路模块101启动并实施高压编程操作，由于pgm同时被驱动到高逻辑电平，则掩模编程rom的字线通过控制晶体管115被连接到地，从而将高压电路模块101产生的高压编程信号旁路掉，避免对已编程存储行的再次写入，从而实现掩模编程rom阵列103存储数据的写保护功能。由于该技术不保留用户在使用阶段的编程能力，极大的限制了其应用场景。

6、专利cn105047225a提出一种基于双存储单元构建存储位的一次编程存储器，配合针对该电路结构的特殊写操作流程实现写保护功能，如图2所示。根据图3所示该写保护电路的启用流程图，尽管该写保护技术可以实现存储器存储数据的写保护，并保留了用户在使用阶段的编程需求，但只允许用户实现一次编程，即用户无法实现存储器存储数据的多次编程调试，这也将极大的限制其应用场景。

7、可见，现有写保护技术存在写保护状态易被非法修改、写保护信息易被非法破解以及不允许用户进行存储信息的多次编程调试等问题，因此，为了解决上述写保护技术存在的诸多问题，需要提出一种新的存储器写保护电路，既可实现存储器的永久写保护功能，也能在启用写保护功能之前允许用户进行存储器存储信息的足够多次编程调试，本文所述一种基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路可以实现上述功能。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题是，克服现有技术的不足，提出一种基于存储单元单向编程的存储器写保护电路，既可实现存储器的永久写保护功能，也能在启用写保护功能之前允许用户进行存储器存储信息的足够多次编程调试。

2、为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

3、一种基于存储单元单向编程的存储器写保护电路，其结构如图4所示，包括：

4、写保护配置信息存储位401、402，用于接收写保护状态配置信号in1和in2并存储写保护状态配置数据；

5、或非门读取控制模块403，用于接收写保护状态配置信号in1和in2并控制写保护配置信息存储位401、402中数据读取通路的开启与关闭；

6、单向编程供电模块404，用于为两组写保护配置信息存储位401、402中的阻变单元提供编程操作所需电压或电流；

7、灵敏放大器数据读取模块405、406，用于分别读取两组写保护配置信息存储位401、402中的写保护状态配置数据，并将读取的数据传输给逻辑判断模块407；

8、逻辑判断模块407，用于判断处理两组灵敏放大器数据读取模块405、406读出的写保护状态配置数据，据此生成写保护控制信号并将此信号传输到并入逻辑模块408的输入端；

9、并入逻辑模块408，用于接收来自于写使能信号产生模块410的写使能输出信号en_out4101和逻辑判断模块407输出的写保护控制信号，逻辑运算后生成写使能输入信号en_in，并将该信号传输到主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091；

10、主存储器模块409，用于接收并入逻辑模块408完成运算后的输出信号en_in，并根据该信号的逻辑状态判断主存储器模块409是否被允许进行写操作；

11、写使能信号产生模块410，用于产生写使能输出信号en_out4101，并将该信号发送给并入逻辑模块408。

12、在上述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路中，

13、写保护配置信息存储位401、402，401包括：n型晶体管m1和m2，一个存储单元，n型晶体管m1和m2源极相连后再连接至存储单元的一端，存储单元的另一端接地gnd；402包括：n型晶体管m1和m2，一个存储单元，n型晶体管m1和m2源极相连后再连接至存储单元的一端，存储单元的另一端接地gnd。

14、或非门读取控制模块403，包括：一个2输入或非门nor单元，其中，或非门单元的两个输入端分别接写保护状态配置信号in1和in2，并且分别与写保护配置信息存储位401和402中的m1晶体管栅极相连；或非门单元的输出端则分两路后分别连接至写保护配置信息存储位401和402中的m2晶体管的栅极。

15、单向编程供电模块404，404包括：一个为存储单元提供单向编程操作电压或操作电流的供电模块，其中，编程供电模块的输出端out同时连接至写保护配置信息存储位401和402中的m1晶体管的漏极。

16、灵敏放大器数据读取模块405、406，405包括：一个读取存储单元存储数据的灵敏放大器模块，其中，灵敏放大器模块的数据读取端tosa1连接至写保护配置信息存储位401中m2晶体管的漏极，数据输出端q1连接至逻辑判断模块407两路输入端的其中一端不考虑顺序；406包括：一个读取存储单元存储数据的灵敏放大器模块，其中，灵敏放大器模块的数据读取端tosa2端连接至写保护配置信息存储位402中m2晶体管的漏极，数据输出端q2连接至逻辑判断模块407两路输入端的另一端。

17、逻辑判断模块407，包括：一个异或门xnor和一个反相器inv，异或门xnor的输出端连接至反相器inv的输入端，其中，异或门xnor的两路输入端分别连接至灵敏放大器数据读取模块405、406的q1端和q2端，反相器inv的输出端连接至并入逻辑模块408中或非门nor的一路输入端。

18、并入逻辑模块408，包括：一个或非门nor和一个反相器inv，其中，或非门nor的输出端连接至反相器inv的输入端，或非门nor的一个输入端连接至逻辑判断模块407的输出端，另一个输入端en_out与写使能信号产生模块410的写使能输出信号en_out4101相连，，反相器inv的输出端en_in则与主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091相连。

19、主存储器模块409，包括：一个写使能信号输入端en_in4091，其与并入逻辑模块408的输出端en_in相连。

20、写使能信号产生模块410，包括：一个写使能信号输出端en_out4101，其与并入逻辑模块408中或非门nor的输入端en_out相连。

21、在上述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路中，所述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的工作原理如下：

22、首先，对于原电路结构，即在引入基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路之前，en_out4101和en_in4091连接在一起，为同一个信号(即主存储器模块409的写使能信号)，写使能信号产生模块410可用于产生该信号en_out4101，最终传输至主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091。该情况下，写使能信号产生模块410的输出端en_out4101(即主存储器模块409的输入端en_in4091)为逻辑“0”时主存储器模块409可以进行写操作，为逻辑“1”时主存储器模块409不可进行写操作。

23、采用基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路实现写使能信号的控制，以实现主存储器模块409的写保护功能，实现方式为：

24、将写使能信号通路(原电路结构中en_out4101和en_in4091之间的连线)断开，断开后形成两个节点，分别为en_out4101和en_in4091。将基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路引入该断开的节点，即基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路中，并入逻辑模块408中或非门nor的一路输入端用于接收来自于写使能信号产生模块410的写使能输出信号en_out4101，该信号经过写保护电路运算处理后，形成并入逻辑模块408的输出信号en_in并传送至主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091。此时，写使能信号产生模块410产生的写使能输出信号en_out4101与主存储器模块409接收到的写使能信号en_in4091是否一致取决于基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的逻辑判断模块407的输出端信号，当基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的逻辑判断模块407的输出端信号为逻辑“0”时，en_out4101和en_in4091信号一致；当基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的逻辑判断模块407的输出端信号为逻辑“1”时，en_in4091信号被锁定为逻辑“1”，en_in4091信号将与en_out4101信号无关，此时即使en_out4101信号为逻辑“0”(即写使能信号产生模块410允许主存储器模块409进行写操作)，由于en_in4091信号为逻辑“1”，主存储器模块409也不可以进行写操作，从而实现主存储器模块409写使能信号的锁定，即实现主存储器模块409的写保护功能。

25、在上述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路中，所述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的启用方式如下：

26、首先，单向编程供电模块404和灵敏放大器数据读取模块405、406在整体电路系统上电后即始终处于工作状态，单向编程供电模块404和灵敏放大器数据读取模块405、406的输出端分别为写保护配置信息存储位401、402的存储单元提供相应的单向编程电压(或编程电流)和读电压(或读电流)。

27、状态1，in1和in2均保持逻辑“0”状态(即[00]，后续写法与此类似)，两组写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m1均处于关闭状态，单向编程供电模块404所提供的单向编程电压(或编程电流)对两组写保护配置信息存储位401、402中的存储单元无法进行编程操作，两组写保护配置信息存储位401、402中的存储单元处于编程前的本征状态(此处假设为非导通态)。此时，或非门读取控制模块403的两个输入端也均为逻辑“0”状态(分别与in1和in2相连)，则或非门读取控制模块403的输出端将为逻辑“1”状态，此时两组写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m2均处于开启状态，两组灵敏放大器数据读取模块405、406将可以读取得到存储单元的非导通状态，对应读输出分别为“0”和“0”，组成数据[00]，数据[00]将作为逻辑判断模块407的两路输入信号，逻辑判断模块407的输出端将为逻辑“1”状态，该信号进入并入逻辑模块408，最终将导致en_in4091信号被锁定为逻辑“1”状态，主存储器模块409处于不可写状态。

28、状态2，首先，in1和in2从状态1的[00]先切换到[01],再切换到[00]。in1和in2切换到[01]时，写保护配置信息存储位401中的nmos管m1处于关闭状态，写保护配置信息存储位402中的nmos管m1处于开启状态，则写保护配置信息存储位402中的存储单元将被执行单向编程操作，其状态从非导通态切换为导通态。该过程中，或非门读取控制模块403的输入端为[01]，输出端将切换为逻辑“0”，导致写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m2被关闭，此时，灵敏放大器数据读取模块405、406将无法读取写保护配置信息存储位401、402中存储单元的数据，灵敏放大器数据读取模块405、406输出数据将变为[00](存储单元读出通路未导通，相当于读出非导通态数据)，该数据经过逻辑判断模块407处理后输出端状态为逻辑“1”，该状态将锁定并入逻辑模块408的输出端状态至逻辑“1”，即此时无论写使能信号产生模块410的写使能信号输出端en_out4101是否为逻辑“0”(即写使能信号产生模块410允许主存储器模块409进行写操作)，主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091都为逻辑“1”(主存储器模块不可写状态)，即该过程主存储器模块409处于不可写状态。in1和in2从[01]切换到[00]时，与状态1类似，写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m1均关闭，m2均开启，写保护配置信息存储位401、402处于读状态(单向编程供电模块404提供的单向编程电压(或编程电流)不可施加到写保护配置信息存储位401、402的存储单元上，灵敏放大器数据读取模块405、406的读操作电压可以施加到存储单元上)，此时灵敏放大器数据读取模块405、406读取的数据将为[01]，该数据经过逻辑判断模块407处理后输出端状态为逻辑“0”，该状态下，并入逻辑模块408的输出端状态将取决于其另一输入端信号en_out，即此时写使能信号产生模块410的写使能信号端en_out4101的状态将决定并入逻辑模块408的输出端状态，进一步决定主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091状态，从而决定主存储器模块409是否可以进行写操作。当此时写使能信号产生模块410的写使能信号输出端en_out4101的状态为逻辑“0”(使主存储器模块409进入可写状态)时，并入逻辑模块408的输出端状态也将为逻辑“0”，从而主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091状态也为逻辑“0”，即主存储器模块409可以进行写操作。此后，若基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路和写使能信号产生模块410始终保持该状态，则主存储器模块409始终处于可进行写操作的状态。另外，分析可知，上述整个过程中，如果in1和in2先切换到[10]时，也可以实现同样的功能。

29、状态3，首先，in1和in2从状态2的[00]先切换到[11],再切换到[00]。in1和in2切换到[11]时，两组写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m1处于开启状态，则两组写保护配置信息存储位401、402中的存储单元都将被执行单向编程操作，写保护配置信息存储位401中存储单元将从非导通态切换为导通态，写保护配置信息存储位402中存储单元的状态在状态2时已经被单向编程为导通态，其再次执行单向编程操作后状态依然为导通状态。该过程中，或非门读取控制模块403的输入端为[11]，输出端将切换为逻辑“0”，导致写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m2被关闭，此时，灵敏放大器数据读取模块405、406将无法读取写保护配置信息存储位401、402中存储单元的数据，灵敏放大器数据读取模块405、406输出数据将变为[00](存储单元读出通路未导通，相当于读出非导通状态数据)，该数据经过逻辑判断模块407处理后输出端状态为逻辑“1”，该状态将锁定并入逻辑模块408的输出端状态至逻辑“1”，即此时无论写使能信号产生模块410的写使能信号端en_out4101是否为逻辑“0”(即写使能信号产生模块410允许主存储器模块409进行写操作)，主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091都为逻辑“1”(主存储器模块不可写状态)，即该过程主存储器模块409处于不可写状态。in1和in2从[11]切换到[00]时，与状态1类似，写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m1均关闭，m2均开启，写保护配置信息存储位401、402处于读状态(单向编程供电模块404提供的单向编程电压(或编程电流)不可施加到存储单元上，灵敏放大器数据读取模块405、406的读操作电压可以施加到存储单元上)，此时灵敏放大器数据读取模块405、406读取的数据将为[11]，该数据经过逻辑判断模块407处理后输出端状态为逻辑“1”，该信号进入并入逻辑模块408，最终导致en_in4091信号被锁定为逻辑“1”状态，主存储器模块409处于不可写状态。同理可以推出，如果状态2中in1和in2从状态1的[00]先切换到[10],再切换到[00]，而状态3中in1和in2的状态切换方式不变，则状态3执行结果不变，也可以实现同样的功能。

30、状态4，首先，in1和in2从状态3的[00]先切换到[01],再切换到[10]，最后切换到[11]。in1和in2切换到[01]时，写保护配置信息存储位401中的nmos管m1处于关闭状态，写保护配置信息存储位402中的nmos管m1处于开启状态，则写保护配置信息存储位402中的存储单元将被执行单向编程操作，由于状态2和状态3中其已经被执行单向编程操作，则当前操作后其状态仍然保持导通状态。与状态2类似，该过程中，或非门读取控制模块403的输入端为[01]，输出端将切换为逻辑“0”，导致写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m2被关闭，此时，灵敏放大器数据读取模块405、406无法读取写保护配置信息存储位401、402中存储单元的数据，灵敏放大器数据读取模块405、406输出数据将变为[00](存储单元读出通路未导通，相当于读出非导通状态数据)，该数据经过逻辑判断模块407处理后输出端状态为逻辑“1”，该状态将锁定并入逻辑模块408的输出端状态至逻辑“1”，即此时无论写使能信号产生模块410的写使能信号端en_out4101是否为逻辑“0”(即写使能信号产生模块410允许主存储器模块409进行写操作)，主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091都为逻辑“1”(主存储器模块409不可写状态)，即该过程主存储器模块409处于不可写状态。in1和in2切换到[10]时，写保护配置信息存储位402中的nmos管m1处于关闭状态，写保护配置信息存储位401中的nmos管m1处于开启状态，则写保护配置信息存储位401中的存储单元将被执行单向编程操作，由于状态2和状态3中其已经被执行单向编程操作，则当前操作后其状态仍然保持导通状态。该过程中，或非门读取控制模块403的输入端为[10]，输出端将切换为逻辑“0”，导致写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m2被关闭，此时，灵敏放大器数据读取模块405、406将无法读取写保护配置信息存储位401、402中存储单元的数据，灵敏放大器数据读取模块405、406输出数据将变为[00](存储单元读出通路未导通，相当于读出非导通状态数据)，最终主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091锁定为逻辑“1”(主存储器模块409不可写状态)，即该过程主存储器模块409处于不可写状态。in1和in2切换到[11]时，与状态3类似，两组写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m1处于开启状态，则两组写保护配置信息存储位401、402中的存储单元都将被执行单向编程操作，而由于两组写保护配置信息存储位401、402中的存储单元在状态2、状态3和状态4的前两步操作中已经被执行单向编程操作，则当前操作后两个存储单元的状态仍然保持导通状态。该过程中，或非门读取控制模块403的输入端为[11]，输出端将切换为逻辑“0”，导致写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m2被关闭，此时，灵敏放大器数据读取模块405、406将无法读取写保护配置信息存储位401、402中存储单元的数据，灵敏放大器数据读取模块405、406输出数据将变为[00](存储单元读出通路未导通，相当于读出非导通状态数据)，最终主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091锁定为逻辑“1”(主存储器模块409不可写状态)，即该过程主存储器模块(409)处于不可写状态。另外，分析可知，状态4的整个过程中，如果in1和in2的[01]、[10]和[11]状态随机切换，也可以实现同样的功能。

31、状态5，in1和in2从状态4的[11]切换到[00]。与状态3类似，写保护配置信息存储位401、402中的nmos管m1均关闭，m2均开启，写保护配置信息存储位401、402处于读状态(单向编程供电模块404提供的单向编程电压(或编程电流)不可施加到存储单元上，灵敏放大器数据读取模块405、406的读操作电压可以施加到存储单元上)，此时灵敏放大器数据读取模块405、406读取的数据将为[11]，该数据经过逻辑判断模块407处理后输出端状态为逻辑“1”，该信号进入并入逻辑模块408，最终导致en_in4091信号被锁定为逻辑“1”状态，主存储器模块409处于不可写状态。

32、根据上述状态切换过程和相关功能叙述，保持状态2始终不变(且其中写使能信号产生模块410的写使能输出端4101信号保持为逻辑“0”)，则主存储器模块409处于可写状态，在此期间可以对主存储器模块409中的存储数据进行修改；而经过状态3操作后，主存储器模块409的写使能信号输入端en_in4091状态被始终锁定为逻辑“1”，其值将与写保护状态配置信号in1和in2和写使能信号产生模块410的写使能输出信号en_out4101无关，此后，主存储器模块409即进入不可逆的永久写保护状态，主存储器模块409中的存储数据将永久不可修改。

33、在上述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路中，所述启用基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的过程中，状态1、状态2和状态3需严格按照当前次序进行，状态4和状态5属于配置主存储器模块409进入永久不可写状态后的可写验证过程，需要在前3种状态之后进行，状态4和状态5之间的执行顺序不作要求。如果需要配置主存储器模块409进入可写状态，则基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的启用过程需要保持在状态2不变；如果需要配置主存储器模块409进入永久不可写状态，则基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的启用过程需要完成状态3。

34、在上述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路中，在时序逻辑上([0]代表逻辑“0”，[1]代表逻辑“1”，[x]代表逻辑“0”或逻辑“1”):

35、状态1，en_out(4101)＝[x],[in1、in2]＝[00]时，en_in(4091)＝[1]；

36、状态2，步骤1，en_out(4101)[x],[in1、in2]＝[01]或者[10]时，en_in(4091)＝[1]；

37、状态2，步骤2，en_out(4101)＝[x],[in1、in2]＝[00]时，en_in(4091)＝en_out(4101)；

38、状态3，步骤1，en_out(4101)＝[x],[in1、in2]＝[11]时，en_in(4091)＝[1]；

39、状态3，步骤2，en_out(4101)＝[x],[in1、in2]＝[00]时，en_in(4091)＝[1]；

40、状态4和状态5，en_out(4101)＝[x],[in1、in2]＝[01]或者[10]或者[11]或者[00](不区分先后顺序)时，en_in(4091)＝[1]。

41、在上述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路中，写保护配置信息存储位可以扩展到n位(n∈[2,∞])，同时灵敏放大器数据读出模块对应写保护配置信息存储位数量匹配相同的数量，对应或非门读取控制模块中或非门nor的输入和逻辑判断模块中异或门xnor的输入也都扩展到n位。其中，逻辑判断模块中的异或门xnor输入位数扩展至n位后，其逻辑要求为：当输入n位逻辑“0”或n位逻辑“1”时，输出为逻辑“0”；n位输入为其他逻辑组合时，输出为逻辑“1”。经过上述扩展后的基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路可以实现与扩展之前写保护电路相同的存储器写保护功能。

42、上述基于存储单元单向编程的存储器写保护电路也能以其他方式应用于主存储器模块的写保护。例如，以锁定主存储器模块内的编程供电模块(如ldo)使能通路的形式，这种方式可以实现主存储器中编程供电模块的关闭；或者以将主存储器内编程供电模块的编程电压输出通路旁路到地的形式，这种方式可以避免编程电压(或编程电流)施加到主存储器模块的存储单元上，之后即使主存储器模块的写使能信号输入端状态en_in4091有效，由于主存储器模块的存储阵列无法接收到编程电压(或编程电流)，主存储器模块的写操作也将无法完成，实现主存储器模块409的写保护功能。

43、在上述基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路中，写保护配置信息存储位401、402中的两个存储单元可以选择与主存储器模块409中存储单元类型相适应的类型，即主存储器模块409中的存储单元类型若依次为阻变单元rram、磁存储单元mram或熔丝单元等，那么写保护配置信息存储位401、402中的两个存储单元也可以依次对应选择工艺相匹配的阻变单元rram、磁存储单元mram或熔丝单元等，同时，单向编程供电模块404也可以选择与当前存储单元相匹配的电路模块，实现基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的应用范围拓展。

44、本发明具有以下优点：

45、(1)本发明公开了一种基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路，可实现永久写保护功能。即当基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路被配置进入写保护模式，则主存储器模块的写使能信号将被永久锁定，使主存储器进入永久不可写状态，且该状态将与写保护状态配置信号和写使能信号产生模块输出的写使能信号无关，写保护功能不可逆，具有永久性和高安全特点。

46、(2)本发明公开了一种基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路，允许用户进行存储器的多次编程调试。即当基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路被配置进入非写保护状态且当写使能信号产生模块输出的写使能信号有效，则主存储器模块可以按照用户需求进行多次存储数据的编程调试，直到主存储器中的存储数据满足用户需求。

47、(3)本发明公开了一种基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路，可以进行写保护配置信息存储位的扩展，以同时增强该电路非写保护模式(即主存储器可写模式)和写保护模式的可靠性。

48、即一方面，为了避免配置基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路进入非写保护模式的过程中，写保护配置信息存储位中nmos晶体管m1全部意外开启，导致写保护配置信息存储位中存储单元被全部编程，从而导致基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路进入写保护模式而使主存储器模块失去多次编程调试功能的问题，可以进行基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的写保护配置信息存储位的扩展，降低写保护配置信息存储位中nmos晶体管m1全部意外开启的几率，以增强非写保护模式可靠性。

49、另一方面，为了避免当主存储器模块在基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路被配置为非写保护模式期间已完成所有的编程调试，之后基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路也被配置进入写保护模式的情况下，如果依然有混乱的写保护状态配置信号进入并随机开启写保护配置信息存储位中nmos晶体管m1，则被开启写保护配置信息存储位中的存储单元将被二次甚至多次编程，导致写保护配置信息存储位中被多次编程的存储单元逻辑状态稳定性(物理稳定性)降低甚至逻辑翻转，从而导致写保护模式读状态下逻辑判断模块识别错误，导致逻辑判断模块输出的写保护控制信号失效，使基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路进入非写保护模式的问题，可以进行基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路的写保护配置信息存储位的扩展，并约定写保护配置信息存储位在特定二进制码型条件下才可以进入非写保护模式(原方案中写保护配置信息存储位的二进制码型在非全“0”和非全“1”的情况下即为非写保护模式)，降低基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路随机进入非写保护模式的几率，以增强写保护模式可靠性。

50、(4)本发明公开了一种基于存储单元单向编程方法的存储器写保护电路，可以用于实现不同类型主存储器模块的写保护功能或其他需要进行逻辑锁定的应用场景。