一种闪存器件的制作方法与流程

本申请涉及半导体制造的，具体涉及一种闪存器件的制作方法。

背景技术：

1、nord flash器件是一种用于嵌入式系统的闪存器件，通常用于存储程序代码、数据和配置信息。它具有快速的读写速度、高可靠性和低功耗等特点，适用于各种应用领域。

2、目前，在nord flash器件的制造工艺中，在闪存结构初步形成后，会通过沉积氮化硅和氧化硅形成侧墙隔离，以保证控制栅的侧壁形成有效隔离。然而，由于闪存结构的复杂性，一步刻蚀多层结构，会在硬掩膜层和控制栅的交界处侧壁形成台阶，在后续沉积氮化硅形成侧墙隔离时，台阶的存在可能会导致沉积的氮化硅发生断裂，如图1所示，在后续进行刻蚀工艺时，断裂位置的氮化硅无法对下方的极间介质层形成保护，导致极间介质层被破坏，形成漏电路径，最终造成器件的可靠性问题。

技术实现思路

1、为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种闪存器件的制作方法。

2、本申请实施例提供了一种闪存器件的制作方法，包括：

3、提供一闪存结构，所述闪存结构分为存储单元区域、载带结构和外围逻辑区域，所述半导体器件包括衬底，位于所述存储单元区域和载带结构中的衬底上形成有叠层，所述叠层由下至上包括隧穿氧化层、浮栅层、极间介质层、控制栅层和硬掩膜层，位于所述载带结构中的所述衬底中形成有浅沟槽隔离，位于所述载带结构中的所述叠层中形成有贯通至所述浅沟槽隔离的凹槽，位于所述外围逻辑区域的所述衬底上形成有栅多晶硅；

4、在所述闪存结构表面沉积保护氧化层；

5、采用光刻和刻蚀工艺，去除所述外围逻辑区域中的所述保护氧化层；

6、采用栅极间隔光刻工艺，去除所述载带结构中的硬掩膜层；

7、形成侧墙结构。

8、在一些实施例中，所述形成侧墙结构，包括：

9、形成第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述叠层结构的竖向侧壁、所述凹槽的竖向侧壁以及所述栅多晶硅的竖向侧壁，所述第一侧墙和所述叠层结构的竖向侧壁、所述凹槽的竖向侧壁之间分别隔离有所述保护氧化层；

10、在所述第一侧墙表面形成第二侧墙。

11、在一些实施例中，所述在所述闪存结构表面沉积保护氧化层，包括：

12、采用化学气相沉积工艺，在所述闪存结构的表面沉积teos，形成所述保护氧化层。

13、在一些实施例中，所述保护氧化层的厚度为80埃~120埃。

14、在一些实施例中，在所述采用栅极间隔光刻工艺，去除所述载带结构中的硬掩膜层的步骤中，采用干法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层。

15、在一些实施例中，所述第一侧墙的材质为氮化硅。

16、在一些实施例中，所述第二侧墙为氧化硅和无机氮化物的混合物。

17、在一些实施例中，在所述采用光刻和刻蚀工艺，去除所述外围逻辑区域中的所述保护氧化层的步骤中，复用前置步骤中使用过的第一掩膜版，所述第一掩膜版上的图案遮挡所述存储单元区域和载带结构，并露出所述外围逻辑区域

18、本申请技术方案，至少包括如下优点：

19、1. 通过在形成侧墙之前，先形成一层保护氧化层，该保护氧化层覆盖硬掩膜层和控制栅之间可能存在的台阶，使得台阶平缓，在后续的形成侧墙的过程中，平缓的台阶可以减小侧墙发生断裂的可能性，进而减小了后续刻蚀工艺时，底部的极间介质层被破坏导致形成漏电路径的可能性，提高了闪存器件的可靠性。

技术特征：

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成侧墙结构，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述闪存结构表面沉积保护氧化层，包括：

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述保护氧化层的厚度为80埃~120埃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用栅极间隔光刻工艺，去除所述载带结构中的硬掩膜层的步骤中，采用干法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙的材质为氮化硅。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二侧墙为氧化硅和无机氮化物的混合物。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用光刻和刻蚀工艺，去除所述外围逻辑区域中的所述保护氧化层的步骤中，复用前置步骤中使用过的第一掩膜版，所述第一掩膜版上的图案遮挡所述存储单元区域和载带结构，并露出所述外围逻辑区域。

技术总结本申请公开了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一闪存结构，闪存结构分为存储单元区域、载带结构和外围逻辑区域，半导体器件包括衬底，位于存储单元区域和载带结构中的衬底上形成有叠层，叠层由下至上包括隧穿氧化层、浮栅层、极间介质层、控制栅层和硬掩膜层，位于载带结构中的衬底中形成有浅沟槽隔离，位于载带结构中的叠层中形成有贯通至浅沟槽隔离的凹槽，位于外围逻辑区域的衬底上形成有栅多晶硅；在闪存结构表面沉积保护氧化层；采用光刻和刻蚀工艺，去除外围逻辑区域中的保护氧化层；采用栅极间隔光刻工艺，去除载带结构中的硬掩膜层；形成侧墙结构。本申请通过上述方案，能够提高闪存器件的可靠性。技术研发人员：黄锦鑫,李志国,徐杰,周洋,赵慧受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29