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一种氮化镓沟槽型MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种氮化镓沟槽型mosfet器件及其制备方法，属于半导体器件。背景技术：1、功率半导体晶体管是电力电子系统的核心，在消费电子、轨道交通、光伏发电和工业控制等多个领域广泛应用。其承担着变频、整......
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一种复合氮化合金球块、制备方法及在钢中的应用与流程
本发明属于氮化合金材料，更具体地说，涉及一种复合氮化合金球块、制备方法及在钢中的应用。背景技术：1、氮化合金是在钢铁冶金过程中使用较广泛的一种合金，在实际钢铁生产中，为了提高钢材的强度，需要在炼钢过程......
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一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法
本发明属于半导体器件，具体涉及一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法。背景技术：1、氮化镓(gan)凭借其更大的禁带宽度、更高的临界击穿电场和较高的电子饱和漂移速度，以及化学性能稳定、耐高温和抗辐射等......
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一种沿c轴织构化的透明氮化铝及其制备方法
本发明涉及一种高织构度、非立方晶系、非氧化物透明陶瓷材料及其制备方法，特别是涉及一种氮化铝透明陶瓷及其制备方法，还涉及一种强磁场下织构化陶瓷的制备方法，应用于透明陶瓷、织构化陶瓷、低对称性非氧化物陶瓷......
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用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件与流程
本技术属于半导体器件制造，尤其涉及用于改善功率特性的氮化镓器件结构及其制备方法、器件。背景技术：1、与第一代硅和第二代砷化镓相比，氮化镓(gan)射频功率器件具有更大的输出功率、更高的效率和更小的体积......
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脉冲加热惰气熔融热导法测定铝灰中氮化铝含量的方法与流程
本申请涉及定量检测领域，更具体地说，它涉及一种脉冲加热惰气熔融热导法测定铝灰中氮化铝含量的方法。背景技术：1、铝在加工生产过程中会产生大量高铝含量的固体废弃物，即铝灰。铝灰主要包括金属铝、氧化铝、氮化......
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铁钴酸镧/氮化碳量子点复合材料及其制备方法和应用
本发明属于纳米材料，具体涉及铁钴酸镧/氮化碳量子点复合材料及其制备方法和应用。背景技术：1、公开该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已......
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一种宽工作栅压的氮化镓功率器件
本发明属于功率半导体器件领域，具体而言是一种宽工作栅压的氮化镓功率器件。背景技术：1、氮化镓(gan)作为宽禁带半导体的典型代表之一，具有宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，其具有更小的......
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集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法
本发明属于射频mems器件领域，具体涉及一种集成能量约束器的氮化铝兰姆波谐振器及其制备方法。背景技术：1、移动通信技术的迅速发展不断推动组件性能和系统集成方面的创新。为了获得更快的信号处理速度和降低系......
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原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法及氮化铝陶瓷与流程
本发明涉及陶瓷流延成型，具体涉及一种原位化学沉积包覆制备氮化铝陶瓷的方法及氮化铝陶瓷。背景技术：1、氮化铝陶瓷(aluminum nitride ceramic)是以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷。a......
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一种双过渡金属氮化物异质结修饰石墨相氮化碳基光电化学适配体传感器的构建方法和用途
本发明属于光电化学以及分析检测，具体涉及一种双过渡金属氮化物异质结修饰g-c3n4基的光电化学适配体传感器的构建方法及其在水体环境有机农药残留检测方面的用途。背景技术：1、有机农药是用于防治危害农、林......
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一种氮化铝单晶衬底的制备方法与流程
本发明涉及陶瓷材料，具体涉及一种氮化铝单晶衬底的制备方法。背景技术：1、第三代半导体具备的宽禁带特性使得以其为基础的器件具有一系列优点，例如耐高压、抗击穿、抗辐照、宽光学窗口等。由此可知，发展新型宽禁......
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一种氮化锌其制备方法与流程
本发明属于半导体材料领域，涉及一种氮化物的制备，具体涉及一种氮化锌及其制备。背景技术：1、在宽禁代半导体领域，锌化合物被广泛的研究，zn3n2为灰黑色晶体，具有反方铁锰矿结构，分子量为224.12，相......
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氮化镓单晶片及其制备方法和应用
本发明涉及半导体，尤其涉及一种氮化镓单晶片及其制备方法和应用。背景技术：1、宽禁带半导体材料氮化镓（gan）难以采用熔融或溶液法制备生长大尺寸体单晶材料，目前制备氮化镓通常采用蓝宝石衬底或者硅单晶衬底......
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一种金刚石基氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法
本发明属于半导体器件，具体涉及一种金刚石基氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法。背景技术：1、氮化镓(gan)由于其宽带隙、高电子饱和漂移速度、高击穿场强度和高导热率等优良的材料性能，被广泛应用于下一代半......
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一种金刚石基氮化镓与磷化铟异质集成的制备方法与流程
本申请涉及半导体工艺，特别是涉及一种金刚石基氮化镓与磷化铟异质集成的制备方法。背景技术：1、金刚石材料在室温下具有最高的热导率(2000w/m.k)，兼具带隙宽、击穿场强高、载流子迁移率高、耐高温、抗......
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一种管状氮化碳复合材料及其制备方法与应用
本发明涉及光催化剂，尤其涉及一种管状氮化碳复合材料及其制备方法与应用。背景技术：1、半导体光催化是一种能够高效利用太阳能，且对环境无毒害的技术，而光催化性能与所使用的光催化剂本身性能息息相关，在众多光......
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一种全垂直型氮化镓积累型功率器件及其制备方法与流程
本发明属于半导体器件，具体涉及一种全垂直型氮化镓积累型功率器件及其制备方法。背景技术：1、在如今电力电子不断发展的现在，第一代半导体硅锗等器件开始无法适应现在高频高压的应用环境，积极探寻更加合适，性质......
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单原子镍负载石墨相氮化碳材料、制备方法及其在光催化二氧化碳制一氧化碳中的应用
本发明属于复合材料制备及光催化碳转化，具体涉及一种泡沫镍辅助的单原子镍负载石墨相氮化碳复合材料、制备方法及其在光催化二氧化碳制一氧化碳中的应用。背景技术：1、随着社会和工业的快速发展，环境污染和化石燃......
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一种氮化镓基单相全桥逆变电路
本发明涉及逆变器，尤其涉及一种氮化镓基单相全桥逆变电路。背景技术：1、逆变器是逆变领域的核心，逆变器的发展关系到能源转换的效率，当今社会越来越离不开各种各样的电源，逆变器是实现直流交流电压转换的关键。......
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一种耐腐蚀氮化铝陶瓷基板及其制备方法与流程
本发明涉及陶瓷基板，具体的，涉及一种耐腐蚀氮化铝陶瓷基板及其制备方法。背景技术：1、氮化铝陶瓷基板是一种以氮化铝为主要成分制成的新型高性能材料。氮化铝是一种无机化合物，具有低热膨胀系数、高硬度以及优异......
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一种具有应变释放上波导层的氮化镓基半导体激光器的制作方法
本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种具有应变释放上波导层的氮化镓基半导体激光器。背景技术：1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊......
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一种气体氮化炉的压力控制装置和控制方法与流程
本发明属于氮化炉压力控制，具体涉及一种气体氮化炉的压力控制装置和控制方法。背景技术：1、气体氮化是表面改性技术的重要工艺，对提高工件表面的耐磨性和抗腐蚀性有着极其重要的作用，在利用气体氮化炉对金属进行......
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一种氮化铝浆料分选装置的制作方法
本技术涉及浆料分选领域，尤其涉及一种氮化铝浆料分选装置。背景技术：1、氮化铝陶瓷是一种综合性能优良的新型先进陶瓷材料，具有高强度、高硬度、高抗弯强度等良好的物理性能及优异的化学稳定性和耐腐蚀性能。在陶......
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具有氮化钽缓冲层以提高热稳定性的铱锰基隧道磁阻感测元件的制作方法
背景技术：1、基于磁阻效应的磁场传感器被称为磁阻传感器，并且通常被用于磁场感测应用，诸如电流感测、位置感测和角度感测。磁阻是当外部磁场被施加到材料时材料改变材料电阻值的特性。由于磁阻传感器的高信号电平......
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一种河道工程用河道清淤搅动装置的制作方法
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一种数据丢失情况下无人水面航行器的航向控制方法
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一种高低压气瓶组合的氮气推进系统的制作方法
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一种船体上层建筑分段建造工艺的制作方法
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