一种去除MEMS器件上颗粒及异物的方法与流程

本发明属于mems器件工艺制造领域，涉及一种去除mems器件上颗粒及异物的方法。

背景技术：

1、作为现代传感器重要的制造技术，mems工艺深刻地影响了现今传感器产业的发展。mems芯片制造是整个mems产业最重要的环节之一，mems芯片制造采用光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀、薄膜沉积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、键合等基础工艺步骤来制造复杂三维结构的微加工工艺。一般来说，mems芯片制造的基本工艺包括三个关键步骤：沉积（deposition）、图形化转移（patterning）、蚀刻（etching）三个过程，这三个过程重复进行，直到完成整个微观结构。

2、在mems器件工艺制造中，一般需要上述三个关键工艺大量的重复进行，这就必然会导致在实际的加工工艺过程中引入少量的块状和颗粒状的污染物。这些附着在mems器件表面的异物会大大的影响芯片的成品率及可靠性，如何去除这些颗粒及异物对mems器件制造工艺提出了很大的挑战。

3、专利公开号为cn117637441a中提供一种提高晶圆表面洁净度的晶圆清洗方法，其通过泛曝光工艺对晶圆表面进行曝光后，采用碱性溶液对晶圆表面进行显影、并采用清洗液冲洗，但这种方式只适用于不可动结构，一旦结构进行释放后变为可动结构，在使用清洗液进行清洗时，极易造成可动结构吸合，导致整个器件失效。

技术实现思路

1、本发明的目的是为了弥补现有技术的不足，提供一种去除mems器件上颗粒及异物的方法；本发明所述方法不仅可以去除mems器件表面的颗粒异物，还能够有效的避免可动结构吸合，保证器件的完整性。

2、为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

3、一种去除mems器件上颗粒及异物的方法，包括晶圆光刻工艺、湿法工艺，其特征在于：在晶圆光刻前进行清洗，光刻时对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护，刻蚀后对晶圆表面进行等离子风吹扫以及dhf清洗。

4、进一步，所述晶圆光刻前进行清洗的具体步骤如下：

5、（1）使用干法去胶方式对晶圆表面进行处理；

6、（2）使用湿法去胶方式对晶圆表面进行二次处理。

7、进一步，所述对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护的具体步骤如下：

8、（1）首先对晶圆表面的步进标记进行涂胶覆盖保护；

9、（2）在对晶圆表面使用涂胶笔进行旋转涂胶保护。

10、进一步，所述对晶圆表面进行等离子风吹扫的具体步骤如下：

11、（1）使用显微镜找出颗粒及异物的大致位置；

12、（2）使用等离子风枪对颗粒异物进行吹扫。

13、进一步，所述dhf清洗的具体步骤如下：

14、（1）使用dhf溶液（hf:h2o=1:30）对晶圆浸泡30s；

15、（2）使用n2烘干晶圆表面。

16、本发明的有益效果：在光刻时对晶圆边缘及步进标记位置进行涂胶保护，可以有效的避免因晶圆崩边或标记腔内有硅针等所引入颗粒。在刻蚀后使用等离子风对晶圆表面进行吹扫可以很大程度上的去除结构刻蚀时带来的颗粒，最后使用dhf溶液对晶圆表面进行清洗，不仅可以去除颗粒，还能够有效的避免结构的吸合。

技术特征：

1.一种去除mems器件上颗粒及异物的方法，包括晶圆光刻工艺、湿法工艺，其特征在于：在晶圆光刻前进行清洗，光刻时对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护，刻蚀后对晶圆表面进行等离子风吹扫以及dhf清洗。

2.根据权利要求1所述一种去除mems器件上颗粒及异物的方法，其特征在于：所述晶圆光刻前进行清洗的具体步骤如下：

3.根据权利要求1所述一种去除mems器件上颗粒及异物的方法，其特征在于：所述对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护的具体步骤如下：

4.根据权利要求1所述一种去除mems器件上颗粒及异物的方法，其特征在于：所述对晶圆表面进行等离子风吹扫的具体步骤如下：

5.根据权利要求1所述一种去除mems器件上颗粒及异物的方法，其特征在于：所述dhf清洗的具体步骤如下：

技术总结本发明涉及一种去除MEMS器件上颗粒及异物的方法，包括晶圆光刻工艺、湿法工艺，其特征在于：在晶圆光刻前进行清洗，光刻时对晶圆边缘及步进标记进行涂胶保护，刻蚀后对晶圆表面进行等离子风吹扫以及DHF清洗。本发明优点：在光刻时对晶圆边缘及步进标记位置进行涂胶保护，可以有效的避免因晶圆崩边或标记腔内有硅针等所引入颗粒。在刻蚀后使用等离子风对晶圆表面进行吹扫可以很大程度上的去除结构刻蚀时带来的颗粒，最后使用DHF溶液对晶圆表面进行清洗，不仅可以去除颗粒，还能够有效的避免结构的吸合。技术研发人员：赵井宇,周宁,马鑫,彭坤受保护的技术使用者：华东光电集成器件研究所技术研发日：技术公布日：2024/11/18