沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置与流程

本申请涉及半导体制造，具体涉及沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置。

背景技术：

1、沟槽肖特基二极管，作为高性能电力电子器件中的关键组件，以其低正向压降、高开关速度和出色的温度特性，在高频开关电路、电源管理以及逆变器等方面展现出优异的性能。目前常用的沟槽肖特基二极管能效分析方法主要包括经验模型法、实验测试法和简化仿真模型法。经验模型法依赖于历史数据和经验公式来估计能效，虽简便快捷，但往往缺乏精确性。实验测试法通过在不同条件下对二极管进行实际测试来评估其能效，能提供较准确的结果，但难以覆盖所有可能的应用场景且成本高。简化仿真模型法虽比经验模型精确，但无法捕捉到复杂的物理现象。

2、上述这些方法更倾向于在理想条件下分析器件的能效，往往简化了实际工作环境的复杂性，无法充分考虑不同应用场景对器件性能的影响。更重要的是，这些方法忽略了寄生参数（如寄生电容和电阻）对能效的负面影响，导致评估结果与实际应用存在较大偏差。这种理想化的分析方式虽易于操作，但却未能全面反映沟槽肖特基二极管在真实环境中的能效表现，限制了对其性能瓶颈的深入理解，阻碍了能效优化的精准实施。

技术实现思路

1、本申请提供了沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置，解决了现有能效分析方法侧重于理想条件和特定场景分析，难以捕捉不同应用场景差异和寄生效应对沟槽肖特基二极管能效的影响，导致能效分析不够全面和准确的技术问题，达到了提高能效分析的准确性与全面性，增强能效管理精准度的技术效果。

2、鉴于上述问题，一方面，本申请提供了沟槽肖特基二极管的能效分析方法，所述方法包括：建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，对所述应用场景集合进行能效关联参数的关键度分析，建立与应用场景集合映射的关键能效参数；配置沟槽肖特基二极管的理想仿真模型，通过应用场景集合进行理想仿真模型的模拟测试，根据关键能效参数进行模拟测试结果记录，建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现，所述理想能效表现与应用场景集合具有映射关系；利用应用场景集合搭建测试场景，并基于测试场景执行沟槽肖特基二极管的能效测试，建立场景能效测试结果；将场景能效测试结果和理想能效表现进行数据对齐后，利用理想能效表现和场景能效测试结果建立场景能效和寄生能效损失；根据所述场景能效和寄生能效损失进行沟槽肖特基二极管的应用场景能效管理。

3、另一方面，本申请还提供了沟槽肖特基二极管的能效分析装置，所述装置包括：关键能效参数分析模块，所述关键能效参数分析模块用于建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，对所述应用场景集合进行能效关联参数的关键度分析，建立与应用场景集合映射的关键能效参数；理想能效测试模块，所述理想能效测试模块用于配置沟槽肖特基二极管的理想仿真模型，通过应用场景集合进行理想仿真模型的模拟测试，根据关键能效参数进行模拟测试结果记录，建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现，所述理想能效表现与应用场景集合具有映射关系；场景能效测试模块，所述场景能效测试模块用于利用应用场景集合搭建测试场景，并基于测试场景执行沟槽肖特基二极管的能效测试，建立场景能效测试结果；能效损失确定模块，所述能效损失确定模块用于将场景能效测试结果和理想能效表现进行数据对齐后，利用理想能效表现和场景能效测试结果建立场景能效和寄生能效损失；应用场景能效管理模块，所述能效管理模块用于根据所述场景能效和寄生能效损失进行沟槽肖特基二极管的应用场景能效管理。

4、本申请中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

5、建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，对所述应用场景集合进行能效关联参数的关键度分析，建立与应用场景集合映射的关键能效参数。这一步通过系统地识别和分析沟槽肖特基二极管在各种可能应用场景下的关键能效参数，为后续的仿真和测试提供了重点和方向。配置沟槽肖特基二极管的理想仿真模型，通过应用场景集合进行理想仿真模型的模拟测试，根据关键能效参数进行模拟测试结果记录，建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现。这一步确定了理论上的最佳能效状态，为对比场景测试结果提供基准，同时建立关键能效参数与场景的映射，确保了仿真和测试结果可以直接关联到具体的应用场景，提高了分析的实用性和针对性。利用应用场景集合搭建测试场景，并基于测试场景执行沟槽肖特基二极管的能效测试，建立场景能效测试结果。这一步通过在实际环境中搭建测试场景，执行能效测试，收集真实条件下的性能数据，为后续对比分析和能效损失评估提供数据支持。将场景能效测试结果和理想能效表现进行数据对齐后，利用理想能效表现和场景能效测试结果建立场景能效和寄生能效损失。这一步量化了寄生能效损失，明确实际性能相对于理想模型的性能差距，从而识别出能效损失的具体来源。根据所述场景能效和寄生能效损失进行沟槽肖特基二极管的应用场景能效管理，优化沟槽肖特基二极管在不同场景下的性能表现。

6、综上所述，本申请通过仿真和场景测试的结合，全面评估沟槽肖特基二极管在不同应用场景下的能效表现，通过理想模型与场景测试结果的对比，明确能效损失的具体来源，进而依据场景能效和寄生能效损失进行应用场景能效管理，针对性地优化沟槽肖特基二极管性能，显著提高其能效水平和稳定性。总而言之，该技术方案提高了能效分析的准确性与全面性，为能效优化提供了实证数据与策略指导，增强了沟槽肖特基二极管在实际应用中的性能表现和可靠性。

7、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

技术特征：

1.沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述应用场景集合包括高频开关电源场景、太阳能逆变器场景、汽车电气系统场景、无线通信基站设备场景。

3.如权利要求2所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述对所述应用场景集合进行能效关联参数的关键度分析，建立与应用场景集合映射的关键能效参数，还包括：

4.如权利要求1所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述利用理想能效表现和场景能效测试结果建立场景能效和寄生能效损失，还包括：

5.如权利要求4所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述根据所述场景能效和寄生能效损失进行沟槽肖特基二极管的应用场景能效管理，还包括：

6.如权利要求1所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.如权利要求6所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述方法还包括

8.沟槽肖特基二极管的能效分析装置，其特征在于，所述装置用于执行权利要求1-7任一项所述的沟槽肖特基二极管的能效分析方法，所述装置包括：

技术总结本申请提供了沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置，涉及半导体制造技术领域，包括：建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，并进行能效关联参数的关键度分析，建立关键能效参数；配置理想仿真模型进行应用场景集合的模拟测试，记录模拟测试结果，建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现；利用应用场景集合搭建测试场景，执行沟槽肖特基二极管的能效测试，建立场景能效测试结果；对齐场景能效测试结果和理想能效表现，建立场景能效和寄生能效损失；根据场景能效和寄生能效损失进行应用场景能效管理。本申请解决了现有方法难以捕捉应用场景差异和寄生效应对能效的影响，导致能效分析不够全面和准确的技术问题，提高了能效分析的准确性与全面性。技术研发人员：谢刚,徐显修受保护的技术使用者：浙江广芯微电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/11/18