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一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法
本发明属于半导体材料及器件，更具体地，涉及一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法。背景技术：1、随着集成电路的快速发展，根据摩尔定律的预测，作为其中最基本电子器件之一的场效应晶体管(......
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具有减小的输入电容的多沟道高电子迁移率晶体管的制作方法
本公开涉及半导体装置的领域，并且具体地涉及具有减小的输入电容的多沟道高电子迁移率晶体管。背景技术：1、hemt(高电子迁移率场效应晶体管)也被称为异质结构fet(hfet)以及调制掺杂fet(modf......
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基于ScAlN_GaN的P沟道异质结场效应晶体管及其制备方法
本发明属于半导体器件，更具体地说，涉及一种基于scaln_gan的p沟道异质结场效应晶体管及其制备方法。背景技术：1、新一代半导体材料氮化镓(gan)具有宽禁带(3.4ev)、高击穿电压(3.1mv/......
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一种P沟道器件及其集成电路
本发明涉及半导体器件，尤其是一种p沟道器件及其集成电路。背景技术：1、基于半导体材料技术在信息通讯、电力传输、光电器件等领域的广泛应用促进了交通、能源、制造、通讯等领域的革命性发展。在电力能源领域中，......
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一种高沟道迁移率碳化硅MOS管的制作方法
本技术涉及mos管，尤其涉及一种高沟道迁移率碳化硅mos管。背景技术：1、mos管是半导体元件器中的一种，而碳化硅mos管碳化硅（sic）mos管作为一种新型功率器件，相较于传统的硅基功率器件，具有高......
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一种垂直沟道三维堆叠器件及其制备方法
本公开涉及半导体，尤其涉及一种垂直沟道三维堆叠器件及其制备方法。背景技术：1、动态随机存储器(dram，dynamic random access memory)是业界应用最为广泛的随机存储器，其主流......
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一种基于增强型N沟道与增强型P沟道GaN基晶体管的SRAM存储单元电路结构
本发明属于sram电路，具体涉及一种基于增强型n沟道与增强型p沟道gan基晶体管的sram存储单元电路结构。背景技术：1、近年来，硅基器件正快速逼近其本征材料特性的理论极限，例如低饱和速度、低击穿电压......
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一种自对准垂直沟道晶体管结构及其制造方法与流程
本发明涉及半导体器件，尤其涉及一种自对准垂直沟道晶体管结构及其制造方法。背景技术：1、垂直结构晶体管相对于传统的平面结构场效应晶体管具有集成度高、低功耗、低延时、易于尺寸微缩化以及稳定性高等优势，然而......
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通过复制DVD光盘沟道在柔性基底定向生长纳米线的方法及纳米线阵和应用
本发明属于半导体纳米材料的生长领域，具体涉及一种通过复制dvd光盘沟道在柔性基底定向生长纳米线的方法及纳米线阵和应用。背景技术：1、光电器件薄膜材料有刚性材料和柔性材料两种，其中柔性材料主要为聚合物。......
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定向摩擦装置、构建纳米沟道的方法、定向生长纳米线阵的方法及纳米线阵和应用
本发明属涉及半导体纳米材料的生长领域，具体涉及一种定向摩擦装置、构建纳米沟道的方法，定向生长纳米线阵的方法及纳米线阵和应用。背景技术：1、定向纳米线是指利用不同的方法和机理，实现纳米线在平面或立体的衬......
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具有用于减小寄生电容的附加底部沟道的全环绕栅极(GAA)晶体管和制造方法与流程
具有用于减小寄生电容的附加底部沟道的全环绕栅极(gaa)晶体管和制造方法1.优先权要求2.本技术要求于2020年06月05日提交的、题目为“gate-all-around(gaa)transistor......
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用于制造纳米级沟道结构的方法与流程
用于制造纳米级沟道结构的方法1.本发明涉及制造纳米级沟道结构的方法。此外，本发明涉及执行该方法的每个步骤的计算机程序以及存储该计算机程序的机器可读存储介质。最后，本发明涉及被设置为执行该方法的电子控制......
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包括自由悬挂式或自立式微沟道的微机电系统部件或微流体部件的制作方法
1.本发明大体上涉及一种包括自由悬挂式或自立式微沟道的微机电系统(mems)部件或微流体部件，以及一种用于制造微沟道的方法，以及包括这种微机电系统部件的流量传感器，例如热流量传感器或科里奥利流量传感器......
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一种阵列纳米沟道的制备方法与蚕丝蛋白薄膜
1.本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种阵列纳米沟道的制备方法与蚕丝蛋白薄膜。背景技术：2.电子束光刻(electron-beam lithography，ebl)作为下一代光刻技术，以其分辨率高和......
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一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法与流程
本发明涉及电子通讯技术领域，特别涉及一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法。背景技术：近年来，随着微纳科技的迅速发展，纳米技术已经广泛的应用于材料和制备、集成电路过程和计算机技术、航......
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微沟道芯片-PDMS-纳结构芯片键合方法与流程
本发明属于微纳流控芯片的加工键合领域，具体涉及微沟道芯片-pdms-纳结构芯片键合方法。背景技术：目前的微纳流控芯片键合通常是选用玻璃微纳流控芯片进行键合，在键合时可采用一块玻璃直接进行键合的方式进行......
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一种沟道内作业用支护装置的制作方法
本技术涉及基础边沟或狭小竖井边缘的修砌或加固，具体地说是一种沟道内作业用支护装置。背景技术：1、在房屋建筑和市政基础设施工程施工中，通常需要挖设沟道，以使施工人员在沟道内进行施工。比如目前在全国范围内......
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一种用于城市排水的排水沟道机构的制作方法
本技术涉及市政工程施工设计，具体的，涉及一种用于城市排水的排水沟道机构。背景技术：1、目前，排水沟道机构是指城市排水系统中的一部分，由各种不同形状和结构的排水沟、管道、检查井、出水口等组成，旨在及时排......
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一种轴承沟道修整的摇摆机构的制作方法
本技术属于轴承加工，涉及一种轴承沟道修整的摇摆机构。背景技术：1、主轴作为数控加工机床的核心功能部件，在主轴的运转过程中，轴承作为支撑和旋转的关键部件，轴承的精度直接影响主轴的加工精度和主轴的使用寿命......
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