用于晶体管源极/漏极的背侧接触部的在腔体间隔物形成之前的背侧接触部蚀刻的制作方法

背景技术：

1、集成电路(ic)的更高性能、更低成本、提高的小型化和更大密度是电子工业正在追求的目标。例如，为了维持晶体管密度增加的速度，器件尺寸必须继续缩小和/或需要新的器件结构。特别地，为了提高的性能，全环绕栅极(gate-all-around，gaa)或纳米带晶体管提供了围绕沟道区的栅极材料。更进一步地，背侧功率输送，或者更一般地，至晶体管源极和漏极结构的背侧接触部可以降低电阻并提供其他优点。然而，gaa或纳米带晶体管和背侧接触部的部署面临许多困难，包括接触栅极短路。正是关于这些和其他考虑，已经需要目前的改进。随着部署先进晶体管结构的期望变得甚至更加普遍，这样的改进可能变得至关重要。

技术实现思路

技术特征：

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述间隔物材料包括与栅极结构、背侧接触金属的一部分以及源极结构或漏极结构中的至少一个的一部分接触的连续单片材料部分。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述间隔物材料包括与第二栅极结构、背侧接触金属的第二部分以及源极结构或漏极结构中的至少一个的第二部分接触的第二连续单片材料部分。

4.根据权利要求2所述的装置，其中所述间隔物材料包括与栅极结构和源极结构或漏极结构中的至少一个的第二部分接触的第二连续单片材料部分，其中所述第二连续单片材料部分与所述连续单片材料部分垂直对准。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述间隔物材料包括硅以及氧、氮和碳中的一个或多个。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述背侧接触金属包括钛或钨之一。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述背侧接触金属与源极结构接触，所述装置进一步包括与漏极结构接触的正侧接触金属。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述一个或多个半导体结构包括多个垂直对准的纳米带或纳米片。

9.一种系统，包括：

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述间隔物材料包括与栅极结构、背侧接触部的部分以及源极或漏极的部分接触的连续材料部分。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述间隔物材料包括与第二栅极结构、背侧接触部的第二部分以及源极或漏极的第二部分接触的第二连续材料部分。

12.根据权利要求10所述的系统，其中所述间隔物材料包括与栅极结构和源极或漏极的第二部分接触的第二连续材料部分，其中所述第二连续材料部分与所述连续材料部分垂直对准。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的系统，其中所述间隔物材料包括硅以及氧、氮和碳中的一个或多个。

14.根据权利要求9至12中任一项所述的系统，其中所述背侧接触部包括钛或钨之一。

15.根据权利要求9至12中任一项所述的系统，其中所述背侧接触部与源极接触，晶体管进一步包括与漏极接触的正侧接触部。

16.根据权利要求9至12中任一项所述的系统，其中纳米带的堆叠是垂直对准的。

17.一种方法，包括：

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中间隔物材料的一部分与接触金属的一部分和源极结构或漏极结构的一部分接触并且在接触金属的一部分和源极结构或漏极结构的一部分之间。

20.根据权利要求18所述的方法，其中所述接触金属包括钛或钨之一。

21.根据权利要求17至20中任一项所述的方法，进一步包括：

22.根据权利要求17至20中任一项所述的方法，其中所述间隔物材料包括硅以及氧、氮和碳中的一个或多个。

技术总结本文中描述的器件、晶体管结构、系统和技术涉及场效应晶体管的背侧接触部，所述背侧接触部在腔体间隔物形成之前使用背侧接触部蚀刻形成。晶体管包括半导体结构，诸如在源极和漏极之间延伸的纳米带。间隔物材料在栅极和源极/漏极之间，作为腔体间隔物填充物。间隔物材料也在背侧接触部的一部分和源极/漏极的一部分之间，以消除背侧接触部和栅极之间的短路。技术研发人员：S·米尔斯,E·曼内巴赫,M·科布林斯基,张凯伦,M·A·艾尔卡德尔受保护的技术使用者：英特尔公司技术研发日：技术公布日：2024/10/10