半导体器件、半导体器件的制造方法以及半导体器件的识别方法与流程

本公开涉及半导体器件、半导体器件的制造方法以及半导体器件的识别方法。

背景技术：

1、在一般的半导体激光器件的情况下，为了针对每个芯片识别晶片面内的坐标信息，有时打印数字或字母。这是为了通过针对每个芯片赋予识别信息来实现芯片可追溯性的提高。

2、专利文献1：日本特开2000-223382号公报

3、在以半导体激光器件为代表的全部半导体器件中，将通过晶片工艺加工而完成的晶片通过基于解理的分离工艺分离成棒，进而分离成芯片单元，然后向后续工序或客户发货。此时，存在难以将在晶片工艺中在怎样的制造条件下进行了加工这一情况对成为棒或芯片单元的产品建立关联的问题。

4、为了解决上述问题，例如在专利文献1所记载的微小标记方法中，使用转印工艺在晶片工艺时对各芯片形成识别图案。然而，在芯片上作为识别图案而形成规则图案的情况下，存在制造时期等芯片信息向外部流出的担忧。

5、另一方面，在芯片上作为识别图案而形成随机图案的情况下，需要针对每个批次准备不同的掩模图案，产生了制造工序复杂化的问题。

技术实现思路

1、本公开是为了解决上述问题点而完成的，其目的在于，获得一种不经由转印工艺而在各芯片形成随机的识别图案，而能够有效地利用于芯片识别的半导体器件及半导体器件的制造方法，另外，获得一种使用设置于半导体器件的随机的识别图案识别每个芯片的半导体器件的识别方法。

2、本公开所涉及的半导体器件具备：

3、半导体基板；

4、半导体层，形成在上述半导体基板之上；

5、识别图案区域，设置在上述半导体基板之上的预先设定的部位；以及

6、多个构造物，在上述识别图案区域内形成于随机的位置。

7、本公开所涉及的半导体器件的制造方法包括如下工序：

8、在第一导电型的inp基板之上使活性层及第二导电型的inp包层依次晶体生长；

9、通过对上述第一导电型的inp基板的一部分、上述活性层以及上述第二导电型的inp包层进行蚀刻，而形成条纹状的脊构造；

10、使埋入上述脊构造的两侧面的由fe掺杂半绝缘性inp第一电流阻挡层及fe掺杂半绝缘性inp第二电流阻挡层构成的脊埋入层晶体生长；

11、在上述脊构造的顶面及上述脊埋入层的表面使上述第二导电型的inp包层的剩余部分及第二导电型的接触层依次晶体生长；

12、通过蚀刻而在上述脊构造的两侧面形成从上述第二导电型的接触层到达上述fe掺杂半绝缘性inp第二电流阻挡层内的台面条带槽，同时在预定为识别图案区域的部位形成开口部；以及

13、通过蚀刻而一边除去上述开口部的上述fe掺杂半绝缘性inp第二电流阻挡层及上述fe掺杂半绝缘性inp第一电流阻挡层，一边形成针状构造物。

14、本公开所涉及的半导体器件的识别方法包括如下步骤：

15、从上述半导体器件的上面拍摄上述识别图案区域的图像；

16、将上述图像转换为二值化图；

17、对上述二值化图的各黑点，以面积为基准，按照面积越大位次越高的方式进行排序；以及

18、从排序后的各上述黑点中，按照位次从高到低的顺序选择预先设定个数的黑点。

19、根据本公开所涉及的半导体器件，由于在芯片内设置有由随机配置的构造物构成的识别图案区域，因此起到能够获得能够容易地识别每个芯片并且芯片制造信息被自动加密的半导体器件的效果。

20、根据本公开所涉及的半导体器件的制造方法，由于能够不经由转印工艺而在各芯片容易地形成由随机配置的构造物构成的识别图案区域，因此起到能够容易地制造能够容易地识别每个芯片并且芯片制造信息被自动加密的半导体器件的效果。

21、根据本公开所涉及的半导体器件的识别方法，由于使用具有随机配置的构造物的识别图案区域识别每个半导体器件，因此起到能够容易地实施芯片制造信息被自动加密的半导体器件的每个芯片的识别的效果。

技术特征：

1.一种半导体器件，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，

5.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，

6.根据权利要求2或3所述的半导体器件，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

12.根据权利要求10或11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

13.一种半导体器件的识别方法，其特征在于，

14.根据权利要求13所述的半导体器件的识别方法，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的半导体器件的识别方法，其特征在于，

16.根据权利要求15所述的半导体器件的识别方法，其特征在于，

技术总结本公开所涉及的半导体器件(100)具备：半导体基板(20)；半导体层(21、22、23、24、25、27)，形成在该半导体基板(20)之上；识别图案区域(15、16)，设置在该半导体基板(20)之上的预先设定的部位；以及针状构造物(40)或者该针状构造物(40)被由SiO<subgt;2</subgt;构成的绝缘膜(31)覆盖而成的穹顶状构造物(41)，在该识别图案区域(15、16)的区域内形成在随机的位置。技术研发人员：白泷穗高,尾上和之受保护的技术使用者：三菱电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/11/4