半导体器件的制作方法

背景技术：

1、本公开涉及一种半导体器件。

2、在此，下面列出了所公开的技术。

3、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2019-145625号

4、在半导体芯片安装在裸片焊盘上并且半导体芯片用密封体密封的半导体器件中，存在经由导线电连接半导体芯片和裸片焊盘的技术(专利文献1)。

技术实现思路

1、在一些情况下，导线用作导电构件，该导线电连接安装在裸片焊盘上的半导体芯片和布置在裸片焊盘周围的引线。从提高半导体器件的性能(例如,电性能)的观点来看，导线的长度优选较短。然而，当半导体芯片的尺寸相对于裸片焊盘的尺寸较小时，半导体芯片的电极与引线之间的距离可较长。

2、从本说明书和附图的描述中，其他目的和新颖特征将变得显而易见。

3、根据一个实施例的半导体器件包括：裸片焊盘，具有第一表面；半导体芯片；多个引线；以及多个导线。裸片焊盘的第一表面包括：第一区域，其中安装有半导体芯片；第二区域，在平面视图中围绕第一区域并且其中设置有第一金属膜；以及在平面视图中围绕第二区域并且其中设置有第二金属膜的第三区域。在此，在平面视图中，半导体芯片、第一金属膜和第二金属膜彼此间隔开。此外，多个导线包括：第一导线，被接合到多个电极的第一电极和第一金属膜中的每一者；以及第二导线，被接合到多个引线中的第一引线和第二金属膜的每一者。

4、根据上述实施例，可提高半导体器件的性能。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二金属膜沿着所述裸片焊盘的外边缘设置。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导线的总长度比所述第二导线的总长度小。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在平面视图中，所述第一金属膜与所述第二金属膜之间的距离比所述第一金属膜与所述半导体芯片之间的距离大。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在平面视图中，所述裸片焊盘的所述第一表面的面积等于或大于所述半导体芯片的所述第三表面的面积的8倍。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一引线用作向所述半导体芯片供应电源电势或参考电势的路径。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，

14.根据权利要求1所述的半导体器件，

15.根据权利要求14所述的半导体器件，

16.根据权利要求14所述的半导体器件，

17.根据权利要求14所述的半导体器件，

技术总结一种半导体器件包括：裸片焊盘，具有上表面；半导体芯片；多个引线；以及多个导线。上表面包括：其中安装半导体芯片的第一区域；在平面视图中围绕第一区域的第二区域；以及在平面视图中围绕第二区域的第三区域。此外，第一金属膜被设置在第二区域中。此外，第二金属膜被设置在第三区域中。在此，在平面视图中，半导体芯片、第一金属膜和第二金属膜彼此间隔开。此外，多个导线包括：第一导线，接合到多个电极的第一电极和第一金属膜中的每一者；以及第二导线，接合到多个引线中的第一引线和第二金属膜的每一者。技术研发人员：沼崎雅人,安部洋一,佃龙明受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12