具有光刻孔径和静电放电事件保护的VCSEL设备的制作方法

本公开总体上涉及具有esd保护的vcsel。

背景技术：

1、本公开的方面涉及具有集成esd保护的vcsel。具有esd保护的vcsel的常规解决方案可能存在各种问题。在这方面，用于具有esd保护的vcsel的常规系统和方法可能是昂贵的、笨重的和/或低效的。

2、常规系统和方法的限制和缺点对于本领域的技术人员来说将变得显而易见，通过将此类方法与本公开的其余部分中参照附图阐述的本方法和系统的一些方面进行比较。

技术实现思路

1、在至少一个附图中示出和/或结合至少一个附图描述，并且在权利要求中更完整地阐述的是具有esd保护的vcsel。

2、本公开的这些和其他优点、方面和新颖特征，以及其所示实施例的细节，将从下面的描述和附图中得到更充分的理解。

技术特征：

1.一种具有光刻孔径和静电放电事件保护的vcsel设备，所述vcsel设备包括：

2.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，所述保护二极管在正常操作期间处于反向模式，并且阻挡在所述光刻孔径的外部的区域中的电流流动。

3.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，所述保护二极管处于反向模式并且在静电放电事件期间击穿，并且允许电流在所述光刻孔径的区域外部的区域中流动。

4.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，所述光刻孔径由隧道结层限定。

5.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，所述多个层形成n-p-n结以形成所述保护二极管。

6.根据权利要求5所述的vcsel设备，其中，所述n-p-n结具有5伏至50伏之间、或3伏至100伏之间的反向击穿电压。

7.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，形成所述保护二极管的所述多个层中的p-n阻挡层具有高于5伏或高于3伏的反向击穿电压。

8.根据权利要求5所述的vcsel设备，其中，在隧道结上的所述n-p-n结的顶部n-dbr层是高导电性的，以在静电放电事件中热保护所述vcsel设备。

9.根据权利要求8所述的vcsel设备，其中，所述n-p-n结的所述顶部n-dbr层具有比p型腔更高的导电性。

10.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，所述光刻孔径由n-阻挡层中的开口限定。

11.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，所述多个层形成p-n-p结以形成所述保护二极管。

12.根据权利要求11所述的vcsel设备，其中，所述p-n-p结能够具有5伏至50伏之间或、3伏至100伏之间的反向击穿电压。

13.根据权利要求1所述的vcsel设备，其中，形成所述保护二极管的所述多个层中的n-阻挡层具有高于5伏或高于3伏的反向击穿电压。

技术总结具有光刻孔径和静电放电事件保护的VCSEL设备。VCSEL设备可以包括在光刻孔径区域外部形成保护二极管的多个层，其中，保护二极管的表面积大于所述光刻孔径的表面积。技术研发人员：迈克尔·莫泽,安托万·皮西,叶夫根尼·齐比克,伊丽莎白·科尔蒂受保护的技术使用者：贰陆特拉华股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12