具有背面鳍状物修整隔离的集成电路器件的制作方法

背景技术：

1、集成电路(ic)制作往往包括两个阶段。第一阶段被称为前端制程(feol)。第二阶段被称为后端制程(beol)。在feol中，可以在晶圆上图案化出各个半导体器件部件(例如，晶体管、电容器、电阻器等)。可以使用电介质结构将相邻半导体器件的半导体结构隔开。这样的电介质结构可以被称为鳍状物修整(trim)隔离(fti)或扩散中断。在beol中，可以形成金属层、过孔和绝缘层，以使各个部件受到互连。beol往往开始于在晶圆上形成第一金属层。第一金属层经常被称为m0。可以在m0顶上形成更多金属层，并且这些金属层经常被称为m1、m2等等。

技术实现思路

技术特征：

1.一种集成电路(ic)器件，包括：

2.根据权利要求1所述的ic器件，其中，所述电介质结构包括：

3.根据权利要求2所述的ic器件，其中，所述第二电介质材料包括氮。

4.根据权利要求2或3所述的ic器件，其中，所述第二电介质材料包括碳。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的ic器件，其中，

6.根据权利要求5所述的ic器件，其中，所述半导体结构包括鳍状物。

7.根据权利要求5或6所述的ic器件，其中，所述半导体结构包括纳米带。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的ic器件，其中，所述电介质结构的至少部分被导电材料围绕。

9.根据权利要求1-3中任一项所述的ic器件，其中，所述源极接触部或所述漏极接触部电耦合到导电层，并且所述导电层相较于所述电介质结构的所述第二表面更接近所述电介质结构的所述第一表面。

10.一种集成电路(ic)器件，包括：

11.根据权利要求10所述的ic器件，其中，

12.根据权利要求11所述的ic器件，其中，所述电介质结构包括位于所述表面处的氮。

13.根据权利要求11或12所述的ic器件，其中，所述电介质结构包括位于所述表面处的碳。

14.根据权利要求10-12中任一项所述的ic器件，其中，所述半导体结构的第一部分是第一晶体管的源极区或漏极区，并且所述半导体结构的第二部分是第二晶体管的源极区或漏极区。

15.根据权利要求14所述的ic器件，其中，所述电介质结构在所述第一方向上位于所述第一部分和所述第二部分之间。

16.根据权利要求10-12中任一项所述的ic器件，其中，所述电介质结构的至少部分被导电材料围绕。

17.根据权利要求10-12中任一项所述的ic器件，其中，所述半导体结构电耦合到导电层，并且所述导电层相较于所述衬底的所述第二表面更接近所述衬底的所述第一表面。

18.一种用于形成集成电路(ic)器件的方法，包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述结构包括导电材料。

20.根据权利要求18或19所述的方法，其中，所述第一半导体区位于第一晶体管中，并且所述第二半导体区位于第二晶体管中。

21.根据权利要求18或19所述的方法，其中，所述第一电介质结构位于导电层和所述第二电介质结构之间。

22.根据权利要求21所述的方法，还包括：

23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述第二电介质结构位于所述第一电介质结构和所述附加导电层之间。

24.根据权利要求18或19所述的方法，其中，所述第一半导体区或所述第二半导体区是半导体结构的部分。

25.根据权利要求24所述的方法，其中：

技术总结公开了一种IC器件，其包括将第一晶体管与第二晶体管隔开的背面FTI。该FTI可以位于第一晶体管的源极区和第二晶体管的漏极区之间。第一晶体管的源极区和第二晶体管的漏极区可以是半导体结构(例如，鳍状物或纳米带)的不同部分。IC器件还可以包括正面金属层。半导体结构可以具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体结构的第一表面可以比半导体结构的第二表面更接近金属层并且更大。FTI可以具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。FTI的第一表面可以比FTI的第二表面更接近金属层，但小于FTI的第二表面。技术研发人员：许国伟,C-T·黄,R·赵,褚涛,张凤,Y·张,B·古哈,O·戈隆茨卡受保护的技术使用者：英特尔公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12