贴合晶片的加工方法与流程

本发明涉及贴合晶片的加工方法，该贴合晶片是通过接合层将在正面上具有器件区域以及围绕器件区域的外周剩余区域的第一晶片的正面与第二晶片贴合而成的，该器件区域形成有多个器件，该外周剩余区域在最外周形成有倒角部。

背景技术：

1、将由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有ic、lsi等多个器件的晶片利用切割装置分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片用于移动电话、个人计算机等电子设备。

2、另外，为了提高器件的性能，有时将通过表面活化法等而形成有图案的一方的晶片与另一方的晶片贴合，并对一方的晶片进行磨削而薄化。

3、但是，当对一方的晶片的背面进行磨削而薄化时，形成于晶片的外周的倒角部成为像刀刃那样锐利的形状，存在导致操作者受伤或裂纹从刀刃向晶片的内部伸展而损伤器件芯片的问题。

4、因此，提出了如下的技术：在要对背面进行磨削的晶片的外周定位切削刀具或磨削磨具而去除倒角部，抑制刀刃的产生(例如，参照专利文献1、2)。

5、专利文献1：日本特开2010-225976号公报

6、专利文献2：日本特开2016-096295号公报

7、但是，由切削刀具或磨削磨具进行倒角部的去除会花费相当的时间，存在生产率差的问题。

8、另外，当在贴合晶片的贴合面(接合层)的外周存在空隙时，存在去除倒角部时或进行磨削时贴合晶片发生损伤的问题。

技术实现思路

1、因此，本发明的目的在于提供贴合晶片的加工方法，能够在不损伤贴合晶片的情况下高效地去除倒角部。

2、根据本发明，提供贴合晶片的加工方法，该贴合晶片是通过接合层将在正面上具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域的第一晶片的该正面与第二晶片贴合而成的，该器件区域形成有多个器件，该外周剩余区域在最外周形成有倒角部，其中，该贴合晶片的加工方法具有如下的工序：改质层形成工序，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从该第一晶片的背面定位于该第一晶片的内部而向该第一晶片照射该激光光线从而形成改质层，并且形成从该改质层伸展并沿着该接合层向外周延伸的裂纹；以及磨削工序，在实施了该改质层形成工序之后，利用卡盘工作台对该第二晶片侧进行保持，将该第一晶片的背面磨削而薄化，在该改质层形成工序中，从该第一晶片的外周朝向内侧与该第一晶片的面平行地形成多个该改质层，使裂纹沿着该接合层朝向外周在该接合层中伸展而形成将该倒角部去除的起点。

3、优选多个该改质层的间隔在第一晶片的面方向上设定为450μm～800μm的范围。优选该激光光线的聚光点由多焦点构成，通过该多焦点而形成该改质层。

4、根据本发明，在改质层形成工序中，从第一晶片的外周朝向内侧与第一晶片的面平行地形成多个改质层，使裂纹沿着接合层朝向外周在接合层中伸展而形成将该倒角部去除的起点，因此与以往的方法相比能够高效地去除倒角部。

5、另外，根据本发明，即使在贴合晶片的贴合面中存在空隙，也能够将空隙与倒角部一起去除，因此不会使贴合晶片损伤。

技术特征：

1.一种贴合晶片的加工方法，该贴合晶片是通过接合层将在正面上具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域的第一晶片的该正面与第二晶片贴合而成的，该器件区域形成有多个器件，该外周剩余区域在最外周形成有倒角部，

2.根据权利要求1所述的贴合晶片的加工方法，其中，

3.根据权利要求1所述的贴合晶片的加工方法，其中，

技术总结本发明提供贴合晶片的加工方法，能够在不损伤贴合晶片的情况下高效地去除倒角部。贴合晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点从第一晶片的背面定位于第一晶片的内部而向第一晶片照射激光光线从而形成改质层，并且形成从改质层伸展并沿着接合层向外周延伸的裂纹；以及磨削工序，将第一晶片的背面磨削而薄化。在改质层形成工序中，从第一晶片的外周朝向内侧与第一晶片的面平行地形成多个改质层，使裂纹沿着接合层朝向外周在接合层中伸展而形成将倒角部去除的起点。技术研发人员：田中敬人,水谷彬受保护的技术使用者：株式会社迪思科技术研发日：技术公布日：2024/9/12