接合装置、接合系统以及接合方法与流程

本公开涉及一种接合装置、接合系统以及接合方法。

背景技术：

1、以往，已知一种使半导体晶圆等基板彼此接合的接合装置(参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2018-147944号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、本公开提供一种能够抑制在基板彼此接合时产生的接合不良的技术。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式的接合装置具备第一保持部、第二保持部、撞击件以及离子发生器。第一保持部从第一基板的上方吸附保持所述第一基板。第二保持部配置在比所述第一保持部靠下方的位置，从第二基板的下方吸附保持所述第二基板。撞击件按压所述第一基板的中心部来使该第一基板的中心部与所述第二基板接触。离子发生器配置在比所述第二保持部靠上方的位置。

5、发明的效果

6、根据本公开，能够抑制在基板彼此接合时产生的接合不良。

技术特征：

1.一种接合装置，具备：

2.根据权利要求1所述的接合装置，其中，

3.根据权利要求1所述的接合装置，其中，

4.根据权利要求1所述的接合装置，其中，

5.根据权利要求1所述的接合装置，其中，

6.根据权利要求1所述的接合装置，其中，

7.根据权利要求1所述的接合装置，还具备：

8.一种接合装置，具备：

9.根据权利要求8所述的接合装置，其中，

10.一种接合系统，具备：

11.一种接合系统，具备：

12.一种接合方法，包括以下工序：

13.一种接合方法，包括以下工序：

技术总结本发明提供一种接合装置、接合系统以及接合方法，能够抑制在基板彼此接合时产生的接合不良。本公开的一个方式的接合装置具备第一保持部、第二保持部、撞击件以及离子发生器。第一保持部从第一基板的上方吸附保持所述第一基板。第二保持部配置在比所述第一保持部靠下方的位置，从第二基板的下方吸附保持所述第二基板。撞击件按压所述第一基板的中心部来使该第一基板的中心部与所述第二基板接触。离子发生器配置在比所述第二保持部靠上方的位置。技术研发人员：菅川贤治,牧哲也受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/9/12