配置用于布置在衬底处理设备的反应室内的注射器的制作方法

本发明涉及一种注射器，其配置用于布置在衬底处理设备的反应室内，以将气体注入反应室中。注射器可以沿着第一轴线大致伸长，并且配置有沿着第一轴线延伸的内部气体传导通道，并且设置有至少一个气体入口和至少一个气体出口。注射器可以具有沿着垂直于第一轴线的第二轴线延伸的宽度，该宽度基本大于注射器沿着垂直于第一和第二轴线的第三轴线延伸的深度。

背景技术：

1、一种用于处理衬底例如半导体晶片的衬底处理设备(比如立式炉)可以包括放置在钟罩形处理管周围的加热元件。处理管的上端可以是封闭的，例如通过圆顶形结构，而处理管的下端表面可以是开放的。

2、下端可以由凸缘部分地封闭。由管和凸缘界定的内部形成反应室，待处置的晶片可以在其中被处理。凸缘可以设置有入口开口，用于将承载晶片的晶片舟皿插入反应室。晶片舟皿可被放置在门上，该门被竖直可移动地布置并且配置成封闭凸缘中的入口开口。

3、凸缘可以支撑一个或多个注射器，以向反应室提供气体。为此目的，注射器可以配置有内部气体传导通道。此外，排气管可以设置在凸缘中。该排气装置可以连接到真空泵，用于从反应室中抽出气体。由反应室中的注射器提供的气体可以是用于晶片上沉积反应的反应(处理)气体。该反应气体也可以沉积在晶片以外的其他表面上，例如它可以沉积在内部气体传导通道中。这些沉积物形成的层可能会导致注射器堵塞和/或破裂。

技术实现思路

1、因此，可能需要一种改进的注射器。

2、在一实施例中，可以提供一种注射器，其配置用于布置在衬底处理设备的反应室内，以将气体注入反应室中，该注射器沿着第一轴线大致伸长，并且配置有沿着第一轴线延伸的内部气体传导通道，并且设置有至少一个气体入口和至少一个气体出口，并且注射器具有沿着垂直于第一轴线的第二轴线延伸的宽度，该宽度基本大于注射器沿着垂直于第一和第二轴线的第三轴线延伸的深度，其中注射器的壁具有变化的厚度。

3、本发明的各种实施例可以彼此分开应用或者可以组合应用。本发明的实施例将参考附图中所示的一些示例在详细描述中进一步阐明。

技术特征：

1.一种注射器，其包括：

2.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第二轴线具有变化的厚度。

3.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第三轴线具有变化的厚度。

4.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第二和第三轴线在其圆周上具有变化的厚度。

5.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器的壁沿着所述第一轴线具有变化的厚度。

6.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述内部气体传导通道具有基本上椭圆形的横截面，由此所述内部气体传导通道沿着第二轴线延伸基本大于内部气体传导通道沿着第三轴线延伸，其中所述基本椭圆形的横截面在第二方向的中间被具有增加厚度的壁局部夹缩。

7.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述内表面在所述壁的横截面中具有凸起部分和凹陷部分，在所述横截面，所述内部气体传导通道由所述壁围绕。

8.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述气体注射器的至少一个气体入口是在注射器的第一端的单个气体入口。

9.根据权利要求8所述的注射器，其中，所述气体注射器的至少一个气体出口是在与所述第一端相对的第二端的单个气体出口。

10.根据权利要求8所述的注射器，其中，所述注射器沿其长度在与所述第一端相对的第二端的方向上具有多个气体出口孔。

11.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述注射器在第三方向上的深度朝向第二端减小。

12.根据权利要求1所述的注射器，其中，所述内部气体传导通道在注射器内部的水平内横截面积在100和1500mm2之间。

13.一种衬底处理设备，包括：

14.根据权利要求13所述的衬底处理设备，其中，所述设备包括多个气体注射器，并且至少一个气体注射器具有不同的长度。

15.根据权利要求14所述的衬底处理设备，其中，所述多个注射器中的最长注射器在所述内部延伸，以靠近所述封闭衬套的顶部封闭件。

16.根据权利要求14所述的衬底处理设备，其中，所述多个注射器中的一个最长注射器具有单个气体出口孔。

17.根据权利要求14所述的衬底处理设备，其中，所述多个注射器中的一个最长注射器具有多个气体出口孔。

18.根据权利要求14所述的衬底处理设备，其中，所述多个注射器中的最短注射器具有多个气体出口孔。

19.根据权利要求13所述的衬底处理设备，其中，所述衬套支撑在凸缘上，并且排气口构造和布置在所述衬套和凸缘之间，用于将气体从所述衬套和管之间的圆周空间移除到所述排气管。

技术总结本发明涉及一种注射器，其配置用于布置在衬底处理设备的反应室内，以将气体注入反应室中。注射器可以沿着第一轴线伸长，并配置有沿着第一轴线延伸的内部气体传导通道，并设置有至少一个气体入口和至少一个气体出口。注射器可以具有沿着垂直于第一轴线的第二轴线延伸的宽度，该宽度基本大于注射器沿着垂直于第一和第二轴线的第三轴线延伸的深度。注射器的壁可以具有变化的厚度。技术研发人员：L·C·吉迪拉,C·G·M·德里德受保护的技术使用者：ASM IP私人控股有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/12