衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质与流程

本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。

背景技术：

1、作为半导体器件的制造工序之一，有在衬底的表面形成膜的工序(例如参见专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开2019/058608号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、在形成膜的工序中，有时成膜速度(成膜速率)会降低等。

3、本发明提供能够使成膜速率提高的技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本发明的一个方式，提供一种技术，其中，将

6、(a)向衬底供给包含第1元素和卤元素的第1气体的工序；

7、(b)向前述衬底供给包含与前述第1元素不同的第2元素的第2气体的工序；

8、(c)向前述衬底供给包含第3元素且具有还原性的第3气体的工序；和

9、(d)供给包含第4元素且具有还原性的第4气体的工序

10、以(a)和(d)连续地进行、(b)和(c)连续地进行的方式进行规定次数，从而在前述衬底上形成包含前述第1元素和前述第2元素的膜。

11、发明效果

12、根据本发明，能够使成膜速率提高。

技术特征：

1.衬底处理方法，其具有下述工序，该工序包括：

2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第3气体的分解温度比所述第4气体高。

3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述膜不含所述第3元素及/或所述第4元素。

4.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)和(c)的期间，维持所述第2气体及所述第3气体中的至少一者存在于所述衬底所存在的空间的状态。

5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)和(c)的期间，不进行所述衬底所存在的空间的吹扫。

6.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)和(c)的期间，不进行处于不进行气体向所述衬底的供给的状态的所述衬底所存在的空间的真空排气。

7.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(b)开始之后开始(c)。

8.如权利要求7所述的衬底处理方法，其中，在(b)结束的同时开始(c)。

9.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(c)开始之后开始(b)。

10.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，在(c)结束的同时开始(b)。

11.如权利要求9所述的衬底处理方法，其中，至少部分地同时进行(a)和(d)。

12.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第3气体是使在所述膜中沿规定的结晶面取向的晶粒的比例增加的改性气体。

13.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第4气体是使在所述膜中沿规定的结晶面取向的晶粒的比例增加的改性气体。

14.如权利要求1～11中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1元素是金属元素，所述膜是含金属元素膜。

15.如权利要求1～11中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第3元素是第13族元素、第14族元素、第15族元素中的任一种。

16.如权利要求1～11中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第4元素是第13族元素、第14族元素、第15族元素中的任一种。

17.半导体器件的制造方法，其具有下述工序，该工序包括：

18.衬底处理装置，其具有：

19.计算机可读取的记录介质，其记录有利用计算机使衬底处理装置执行下述步骤的程序，该步骤包括：

技术总结本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提供能使成膜速率提高的技术。包括下述工序：将(a)向衬底供给包含第1元素和卤元素的第1气体的工序；(b)向前述衬底供给包含与前述第1元素不同的第2元素的第2气体的工序；(c)向前述衬底供给包含第3元素且具有还原性的第3气体的工序；和(d)供给包含第4元素且具有还原性的第4气体的工序以(a)和(d)连续地进行、(b)和(c)连续地进行的方式进行规定次数，从而在前述衬底上形成包含前述第1元素和前述第2元素的膜的工序。技术研发人员：松野豊,清野笃郎,小川有人受保护的技术使用者：株式会社国际电气技术研发日：技术公布日：2024/10/10