低电阻率的基于多晶体的衬底或晶片的制作方法

本公开涉及具有低电阻率和低翘曲度的基于碳化硅的衬底和晶片。背景技术：1、半导体行业一直对碳化硅(sic)表现出相当大的关注度，特别是用于制造电子器件或部件(例如，二极管、晶体管或其他相似功率应用)的碳......

2024-10-15 57

#多晶体#衬底#电阻率