一种改善晶圆出刀TTV异常的加工方法与流程

本申请属于半导体硅片表面质量，尤其是涉及一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法。

背景技术：

1、由于半导体晶圆制造对于成本的诉求日益增高，而大尺寸硅片在单位产出芯片的数量和单位成本具有优势。因此半导体硅衬底片的尺寸也趋于大直径化，从最早的2英寸、3英寸发展到当今的8英寸、12英寸及研发中的18英寸，硅片面积日益增加。在切片过程中，如图1所示，钢线在晶体下压时表现出高度差，即h1与h2的差值，反应出在切割时回收线侧的钢线切割力不足。同时，还由于硅片的直径尺寸较大，钢线切割深度较深，尤其是在加工靠近硅棒根部的一段时，钢线在收线侧一端的切割力会随着其磨损量的增大而急速衰减，使得钢线在该端侧的切割力不足，稳定性变差，容易晃动，进而使得其切割后的硅片表面的ttv不符合要求，造成硅片在收线侧一端的成品率较低。

技术实现思路

1、本申请提供一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，尤其是适用于晶圆棒切片，解决了现有技术中由于在收线侧一端的钢线因其切割力不足导致切片后的硅片表面ttv不合格的技术问题。

2、为解决至少一个上述技术问题，本申请采用的技术方案是：

3、一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，在收刀切割过程中，以稳定切割时最终的晶体进给速度和钢线的新线用线量为基准，降低晶体进给速度，并提高钢线的新线用线量。

4、进一步的，收刀切割时的初始位置是距晶体根部20-30mm位置处。

5、进一步的，在收刀切割过程中，以降低后的晶体进给速度进行切割，并以提高后的钢线的新线用线量进行切割，直至收刀结束。

6、进一步的，所述降低晶体进给速度，包括：以稳定切割时最终的晶体进给速度为基准，降低后的晶体进给速度是稳定切割时最终的晶体进给速度的60-90％。

7、进一步的，所述提高钢线的新线用线量，包括：以稳定切割时钢线送线量与收线量为基准，至少包括降低收刀时收线量的长度。

8、进一步的，调整后钢线收线量是基准收线量的0.6-0.99倍。

9、进一步的，还包括提升调整后钢线送线量的长度。

10、进一步的，调整后钢线送线量的长度是基准送线量的1-2倍。

11、进一步的，切割液的温度为15-30℃，且切割液的流量为10-100l/min。

12、进一步的，用于切割的晶体直径为200-450mm。

13、采用本申请设计的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，通过降低晶体进给速度、以及增加钢线新线的用线量，可有效改善因钢线切割不足导致回收线侧晶体根部厚度差较大的问题，提高该侧晶圆片表面质量，使晶圆片出刀区的ttv从95um降低到6um，提高成品率。

技术特征：

1.一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，在收刀切割过程中，以稳定切割时最终的晶体进给速度和钢线的新线用线量为基准，降低晶体进给速度，并提高钢线的新线用线量。

2.根据权利要求1所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，收刀切割时的初始位置是距晶体根部20-30mm位置处。

3.根据权利要求1或2所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，在收刀切割过程中，以降低后的晶体进给速度进行切割，并以提高后的钢线的新线用线量进行切割，直至收刀结束。

4.根据权利要求3所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，所述降低晶体进给速度，包括：以稳定切割时最终的晶体进给速度为基准，降低后的晶体进给速度是稳定切割时最终的晶体进给速度的60-90％。

5.根据权利要求4所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，所述提高钢线的新线用线量，包括：以稳定切割时钢线送线量与收线量为基准，至少包括降低收刀时收线量的长度。

6.根据权利要求5所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，调整后钢线收线量是基准收线量的0.6-0.99倍。

7.根据权利要求5或6所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，还包括提升调整后钢线送线量的长度。

8.根据权利要求7所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，调整后钢线送线量的长度是基准送线量的1-2倍。

9.根据权利要求1-2、4-6、8任一项所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，切割液的温度为15-30℃，且切割液的流量为10-100l/min。

10.根据权利要求9所述的一种改善晶圆出刀ttv异常的加工方法，其特征在于，用于切割的晶体直径为200-450mm。

技术总结本申请提供一种改善晶圆出刀TTV异常的加工方法，在收刀切割过程中，以稳定切割时最终的晶体进给速度和钢线的新线用线量为基准，降低晶体进给速度，并提高钢线的新线用线量。本申请一种改善晶圆出刀TTV异常的加工方法，通过降低晶体进给速度、以及增加钢线新线的用线量，可有效改善因钢线切割不足导致回收线侧晶体根部厚度差较大的问题，提高该侧晶圆片表面质量，使晶圆片出刀区的TTV从95um降低到6um，提高成品率。技术研发人员：李晓宝,刘建伟,袁祥龙,刘姣龙,郭红慧受保护的技术使用者：中环领先半导体科技股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/5