极紫外光辐射设备和用于产生极紫外光的坩锅的制作方法

本技术涉及一种集成电路设备，且尤其涉及一种极紫外光辐射设备和坩锅。

背景技术：

1、极紫外线光(euv)光刻是一种用于半导体制造的不断发展的技术。euv采用扫描仪，使用电磁的辐射的euv光谱中的光，包括从大约1纳米(nm)至大约100nm的波长。许多euv扫描仪仍然使用投影打印，类似于各种早期的光学扫描仪，除了euv扫描仪使用反射式而不是折射式光学器件实现它，亦即使用反射镜而不是透镜。

2、euv光刻采用雷射产生的等离子体(lpp)，此等离子体可发射极紫外光。lpp是通过将来自二氧化碳(co2)雷射等的高功率激光束聚焦到金属目标(例如锡(sn))上，以便将其转变为高度电离的等离子体状态而产生的。该lpp发射极紫外光，峰值最大发射约为13.5nm或更小。然后，极紫外光由收集器收集并通过光学器件反射到光刻曝光对象，例如半导体晶圆。在此工艺中会产生锡屑，随着时间的推移会对euv设备的整体操作性能和效率产生不利影响。

技术实现思路

1、根据本发明一些实施例，一种极紫外光(euv)辐射设备，包括：旋转的坩锅、靶区以及凸起。所述旋转的坩锅，包括具有剖面实质上为圆形的壁。所述靶区，径向设置在壁内部的至少一部分周围。所述凸起，设置在所述靶区内，用于控制所述旋转的坩埚内的加热的金属的流动。

2、根据本发明一些实施例，一种用于产生极紫外光的坩锅，包括加热的靶区、凸起装置、凸檐以及碎屑捕集区。所述加热的靶区，设置在所述坩锅的壁的内部周围，用以预热金属。所述凸起装置，设置所述加热的靶区内。所述凸檐，设置在所述加热的靶区上方。碎屑捕集区，至少部分地设置在所述加热的靶区下方，并配置为收集金属碎屑，其中所述加热的靶区至少部分由所述碎屑捕集区收集的金属碎屑补充。

3、为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种极紫外光辐射设备，其特征在于包括：

2.根据权利要求1所述的极紫外光辐射设备，其特征在于中所述凸起单独形成并固定到所述旋转的坩埚的所述壁。

3.根据权利要求1所述的极紫外光辐射设备，其特征在于还包括径向地设置在所述壁的至少所述内部的部分周围并且至少部分地位于所述靶区下方的碎屑捕集区。

4.根据权利要求3所述的极紫外光辐射设备，其特征在于所述碎屑捕集区的底部部分包括收集从所述靶区移动的金属碎屑的入口，其中所述碎屑捕集区具有包括出口的中空内部区域，设置在所述入口上方，其中所述入口被配置为通过离心力提供从所述底部部分到所述中空内部区域的金属碎屑，并且所述出口被配置为通过离心力提供从所述中空内部区域到所述靶区的所述金属碎屑。

5.根据权利要求1所述的极紫外光辐射设备，其特征在于还包括被配置用以在所述靶区上沈积金属的回填料。

6.根据权利要求1所述的极紫外光辐射设备，其特征在于所述凸起是具有至少有两个相邻的凸起的一组凸块，其中所述至少两个凸起垂直对齐。

7.根据权利要求1所述的极紫外光辐射设备，其特征在于还包括檐口，设置在所述壁的所述内部的至少部分周围和所述凸起上方。

8.根据权利要求7所述的极紫外光辐射设备，其特征在于所述凸起和所述檐口由所述壁形成。

9.一种用于产生极紫外光的坩锅，其特征在于包括：

10.根据权利要求9所述的用于产生极紫外光的坩锅，其特征在于还包括盖体，配置成在操作期间包围所述坩锅的内部。

技术总结本技术为提高EUV发射的稳定性，在旋转的坩锅的内壁加上凸起和檐口，该旋转的坩锅通过使用雷射蒸发预热的金属(例如锡)来产生极紫外光。凸起和檐口可防止碎屑移动并控制液体金属流动，否则液体金属流动会随着坩锅旋转产生的离心力而随着时间分布。凸起和檐口通过将湍流的液体金属流改变为以层流为主的流动来稳定EUV发射。各种设计的锡收集器可用于收集和回收大部分的碎屑和未使用的液体金属。封闭的坩锅腔室设计缓解了加热不均匀的问题。技术研发人员：徐子正,涂志强,吕建兴,温志伟,曾信富,林世杰受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20230620技术公布日：2024/5/12