阵列基板、显示面板及显示设备的制作方法

本申请涉及液晶显示，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示设备。

背景技术：

1、goa(gate driver on array)技术是将栅极驱动器集成在玻璃基板上，形成对面板的扫描。goa技术是tft(thin film transistor，薄膜晶体管)器件的组合设计，实现移位寄存器的功能，制作时是将这种由tft器件组成的功能单元伴随阵列基板的制程工艺一同完成，用来代替传统的驱动芯片，在画面显示时完成逐行扫描的功能，goa技术可以省去横向排列扫描线(gate线)ic(integrated circuit，集成电路)的成本。

2、trd(triple rate driving，三倍速率驱动)技术能够使纵向延伸排列的数据线的数量变为原来的1/3，横向延伸的扫描线的数量变为原来的3倍，而由于扫描线采用goa技术，扫描线数量的增加不会增加gate ic的成本。所以trd技术可以通过减少数据线ic颗数、增加gate线数量来降低面板成本。为了防止gate走线附近液晶导向紊乱而导致画素漏光，gate走线处一般会设置能够覆盖gate走线范围的bm(black matrix，黑色矩阵)进行遮光，由于trd技术需要使用的gate线数量较多，需要设置大量bm区域用于遮光，使得trd画素开口率较低，穿透率降低，影响产品在市场的竞争力。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种阵列基板、显示面板及显示设备，旨在解决现有技术中trd画素开口率较低，影响面板穿透率，影响面板显示效果的技术问题。

2、为实现上述目的，本申请提出一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元、在行方向上延伸且平行的多条扫描线以及在列方向上延伸且平行的多条数据线，所述像素单元包括在列方向上依次排列的第一子像素、第二子像素以及第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素分别连接一条扫描线，每列像素单元连接一条数据线，所述像素单元中设有扫描线走线区域与金属遮光区域，所述扫描线走线区域位于所述像素单元中第一子像素、第二子像素以及第三子像素之间的任一个间隔区域内，所述像素单元连接的扫描线均位于所述像素单元的扫描线走线区域内，所述金属遮光区域位于所述像素单元中除所述扫描线走线区域外的间隔区域内。

3、可选的，所述像素单元还包括开关器件，所述开关器件设置在所述扫描线走线区域内，所述开关器件分别与所述像素单元对应的栅线扫描线和数据线连接，所述开关器件包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管。

4、可选的，所述扫描线走线区域设置在第一子像素与第二子像素之间的间隔区域内，所述第一薄膜晶体管朝向所述第一子像素，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管朝向所述第二子像素，所述第三子像素与所述第三薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道。

5、可选的，所述像素单元还包括开关器件，所述扫描线走线区域设置在第二子像素与第三子像素之间的间隔区域内，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管朝向所述第二子像素，所述第三薄膜晶体管朝向所述第三子像素，所述第一子像素与所述第一薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道。

6、可选的，所述扫描线走线区域设置在第一子像素上方的间隔区域内，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管朝向所述第一子像素，所述第二子像素与所述第二薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道，所述第三子像素与所述第三薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道。

7、可选的，所述扫描线走线区域设置在第三子像素下方的间隔区域内，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管朝向所述第三子像素，所述第一子像素与所述第一薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道，所述第二子像素与所述第二薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道。

8、可选地，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管分别位于所述扫描走线区域内的两侧，其中，所述第一薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管位于相同侧。

9、可选地，所述扫描线走线区域内的扫描线包括第一扫描线、第二扫描线以及第三扫描线，所述第一薄膜晶体管与所述第一扫描线连接，所述第二薄膜晶体管与所述第二扫描线连接，所述第三薄膜晶体管与所述第三扫描线连接，所述第一薄膜晶体管在所述第一扫描线输入高电平信号时开启，并将数据线的信号传输至所述第一子像素，所述第二薄膜晶体管在所述第二扫描线输入高电平信号时开启，并将数据线的信号传输至所述第二子像素，所述第三薄膜晶体管在所述第三扫描线输入高电平信号时开启，并将数据线的信号传输至所述第三子像素。

10、为实现上述目的，本申请还提出一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板和如上所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置，所述彩膜基板上设有黑色矩阵遮光区域。

11、为实现上述目的，本申请还提出一种显示设备，所述显示设备包括背光模组和如上述的显示面板，所述背光模组与所述显示面板对应设置，所述背光模组用于向所述显示面板提供背光光源。

12、本申请中，阵列分布的多个像素单元和在行方向上延伸且平行的多条扫描线，像素单元包括在列方向上依次排列的第一子像素、第二子像素以及第三子像素，第一子像素、第二子像素以及第三子像素分别连接一条扫描线，像素单元中设有扫描线走线区域与金属遮光区域，扫描线走线区域位于像素单元中第一子像素、第二子像素以及第三子像素之间的任一个间隔区域内，像素单元连接的扫描线均位于像素单元的扫描线走线区域内，金属遮光区域位于像素单元中除扫描线走线区域外的间隔区域内。由于trd技术需要使用的gate线数量较多，需要设置大量bm区域用于遮光，使得trd画素开口率较低，穿透率降低，本申请将扫描线集中设置，其他区域采用金属遮光，减小使用黑色矩阵进行遮光的范围，提高开口率，提升穿透率，以提高显示面板的显示效果，提升产品竞争力。

技术特征：

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列分布的多个像素单元、在行方向上延伸且平行的多条扫描线以及在列方向上延伸且平行的多条数据线，所述像素单元包括在列方向上依次排列的第一子像素、第二子像素以及第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素分别连接一条扫描线，每列像素单元连接一条数据线，其特征在于，所述像素单元中设有扫描线走线区域与金属遮光区域，所述扫描线走线区域位于所述像素单元中第一子像素、第二子像素以及第三子像素之间的任一个间隔区域内，所述像素单元连接的扫描线均位于所述像素单元的扫描线走线区域内，所述金属遮光区域位于所述像素单元中除所述扫描线走线区域外的间隔区域内。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括开关器件，所述开关器件设置在所述扫描线走线区域内，所述开关器件分别与所述像素单元对应的栅线扫描线和数据线连接，所述开关器件包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线走线区域设置在第一子像素与第二子像素之间的间隔区域内，所述第一薄膜晶体管朝向所述第一子像素，所述第二薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管朝向所述第二子像素，所述第三子像素与所述第三薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线走线区域设置在第二子像素与第三子像素之间的间隔区域内，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管朝向所述第二子像素，所述第三薄膜晶体管朝向所述第三子像素，所述第一子像素与所述第一薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道。

5.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线走线区域设置在第一子像素上方的间隔区域内，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管朝向所述第一子像素，所述第二子像素与所述第二薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道，所述第三子像素与所述第三薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道。

6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线走线区域设置在第三子像素下方的间隔区域内，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管朝向所述第三子像素，所述第一子像素与所述第一薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道，所述第二子像素与所述第二薄膜晶体管之间设有氧化铟锡通道。

7.如权利要求2至6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三薄膜晶体管分别位于所述扫描走线区域内的两侧，其中，所述第一薄膜晶体管与所述第三薄膜晶体管位于相同侧。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述扫描线走线区域内的扫描线包括第一扫描线、第二扫描线以及第三扫描线，所述第一薄膜晶体管与所述第一扫描线连接，所述第二薄膜晶体管与所述第二扫描线连接，所述第三薄膜晶体管与所述第三扫描线连接，所述第一薄膜晶体管在所述第一扫描线输入高电平信号时开启，并将数据线的信号传输至所述第一子像素，所述第二薄膜晶体管在所述第二扫描线输入高电平信号时开启，并将数据线的信号传输至所述第二子像素，所述第三薄膜晶体管在所述第三扫描线输入高电平信号时开启，并将数据线的信号传输至所述第三子像素。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板和如权利要求1至8任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置，所述彩膜基板上设有黑色矩阵遮光区域。

10.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括背光模组和如权利要求9所述的显示面板，所述背光模组与所述显示面板对应设置，所述背光模组用于向所述显示面板提供背光光源。

技术总结本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示设备，涉及显示技术领域。阵列分布的多个像素单元和在行方向上延伸且平行的多条扫描线，像素单元包括在列方向上依次排列的第一子像素、第二子像素以及第三子像素，第一子像素、第二子像素以及第三子像素分别连接一条扫描线，像素单元中设有扫描线走线区域与金属遮光区域，扫描线走线区域位于像素单元中第一子像素、第二子像素以及第三子像素之间的任一个间隔区域内，像素单元连接的扫描线均位于像素单元的扫描线走线区域内，金属遮光区域位于像素单元中除扫描线走线区域外的间隔区域内。将扫描线集中设置，能够减小需要使用黑色矩阵进行遮光的范围，提高开口率，提升穿透率。技术研发人员：杨艳娜,叶利丹受保护的技术使用者：惠科股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/16