在高NAEUV曝光的拼合区域引入明场成像的方法和系统与流程

本公开涉及在高na euv曝光的拼合区域引入明场成像的方法和系统。

背景技术：

1、对包括智能电话、平板计算机、台式计算机、笔记本计算机和许多其他类型的电子设备在内的电子设备的计算能力提高的需求持续存在。集成电路为这些电子设备提供了计算能力。在集成电路中提高计算能力的一种方法是增加半导体衬底的给定面积中包含的晶体管和其他集成电路特征的数量。

2、集成电路中的特征部分地借助于光刻来产生。传统的光刻技术包括生成描绘将在集成电路管芯上形成的特征图案的掩模。光刻光源经由掩模照射集成电路管芯。能够经由对集成电路管芯的光刻而产生的特征的尺寸在下限处部分地受限于由光刻光源产生的光的波长。较短波长的光可以产生较小的特征尺寸。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，提供了一种用于形成集成电路的方法，包括：在衬底上形成一组反射层；在所述一组反射层组上沉积吸收材料；通过图案化所述吸收材料来图案化所述衬底、所述一组反射层和所述吸收材料以形成明场双重曝光euv掩模板的主图案，所述掩模板包括所述衬底、所述一组反射层、和所述吸收材料；以及蚀刻所述吸收材料和所述一组反射层以形成所述明场双重曝光euv掩模板的黑色边界区域并暴露所述衬底，其中，所述吸收材料的吸收区域位于所述主图案和所述黑色边界区域之间。

2、根据本公开的另一实施例，提供了一种用于形成集成电路的方法，包括：在晶圆上沉积光致抗蚀剂层；经由第一明场掩模板将所述光致抗蚀剂层暴露于euv辐射，所述第一明场掩模板具有第一衬底、所述第一衬底上的第一组反射层、所述第一组反射层上的吸收材料的第一主图案、第一黑色边界区域、以及第一黑色边界与所述第一主图案之间的所述吸收材料的第一吸收区域；以及经由第二明场掩模板将所述光致抗蚀剂层暴露于euv辐射，所述第二明场掩模板具有第二衬底、所述第二衬底上的第二组反射层、所述第二组反射层上的吸收材料的第二主图案、第二黑色边界区域、以及黑色边界与所述第二主图案之间的所述吸收材料的第二附加吸收区域。

3、根据本公开的又一实施例，提供了一种明场euv掩模板，包括：衬底；一组反射层，位于所述衬底上；缓冲层，位于所述一组反射层上；吸收材料的主图案，位于所述缓冲层上；黑色边界区域，暴露所述衬底；以及所述吸收材料的吸收区域，位于所述主图案和所述黑色边界区域之间，并且在所述黑色边界区域处具有与所述缓冲层的侧壁基本上共面的侧壁。

技术特征：

1.一种用于形成集成电路的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，包括：在沉积所述吸收材料之前在所述一组反射层上形成缓冲层，其中：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述黑色边界区域包括：底切所述吸收区域下方的所述一组反射层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，图案化所述吸收材料包括：形成与所述吸收区域和所述主图案之间的沟槽相对应的亚分辨率辅助特征。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述沟槽的宽度小于实现所述掩模板的euv光刻系统的分辨率极限。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述吸收区域的顶表面基本上是矩形的。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述吸收区域的第一边缘沿着所述黑色边界区域基本上是直的，其中，邻近所述主图案的所述吸收区域的第二边缘具有阶梯形状。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述主图案包括：与所述吸收材料的第二边缘接触的所述吸收材料的第一条带。

9.一种用于形成集成电路的方法，包括：

10.一种明场euv掩模板，包括：

技术总结本公开涉及在高NA EUV曝光的拼合区域引入明场成像的方法和系统。第一明场掩模板和第二明场掩模板用于双重曝光EUV光刻工艺，其中，第一和第二掩模板的曝光区域重叠。第一和第二掩模板各自分别包括：衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的吸收材料的主图案、黑色边界区域、以及黑色边界与主图案之间的吸收材料的附加吸收区域。技术研发人员：王圣闵,谢艮轩,费安彦,赖昱泽受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/29