光阻剥离液及其用途的制作方法

本发明涉及半导体工艺的，尤其涉及应用于剥离光阻的一种光阻剥离液。

背景技术：

1、熟悉集成电路工艺技术的电子工程师必然知道，微影蚀刻(photolithography)用于将预设计在光罩之上的图案层(patterned layer)转印在一基板之上，从而该基板的上覆有该图案层。更进一步地说明，在该图案层的制造材料为一特定材料的情况下，其为一功能层。另一方面，若该图案层的制造材料为金属，则其为一线路层。

2、图1显示利用微影蚀刻工艺在一基板制作出一线路层的示意性制造流程图。如图1之中的流程(a)所示，制造流程是先于一基板10a上依序形成一金属层11a与一光阻层12a。接着，如图1之中的流程(b)所示，将具有一预设计图案层的光罩置于该光阻层12a上方处，而后通过该光罩对该光阻层12a进行曝光(exposure)，使该光阻层12a具有一反应部120a。继续地，如图1之中的流程(c)所示，对该光阻层12a进行显影(development)，从而将该光阻层12a加工成一图案化(patterned)光阻层121a。之后，如图1之中的流程(d)所示，对该金属层11a未受到所述图案化光阻层121a所覆盖的部分进行蚀刻(etch)，从而将该金属层11a加工为一图案化金属层111a。最后，如图1之中的流程(e)所示，使用一光阻剥离液(photoresist stripping solution)将该图案化光阻层121a自该图案化金属层111a之上剥离，即完成在该基板10a上的一线路层1ca的制作。

3、实务经验指出，使用单一溶剂并无法作为所述光阻剥离液从而干净地将该图案化光阻层121a自该图案化金属层111a之上剥离。因此，为了达成快速溶解清洗所述图案化光阻层121a的效果，现有的光阻剥离液通常包含至少一种溶剂、酸性溶液、及/或碱性溶液。可惜的是，在使用含有酸性溶液及/或碱性溶液的光阻剥离液执行光阻剥离工艺的过程中，酸性溶液(碱性溶液)同时也会腐蚀该图案化金属层111a。应可理解，严重腐蚀会造成线路层1ca短路或断路。

4、综上所述，现有的光阻剥离液显然存在需要加以改善的空间。有鉴于此，本发明提供一种光阻剥离液及其用途。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于提供一种光阻剥离液，其具有优秀的光阻剥除能力以及抑制腐蚀能力，是以非常适合被应用在半导体工艺之中，从而将预设计在光罩之上的图案层转印在一基板之上，从而该基板之上覆有该图案层以作为一功能层或一线路层。

2、为达成上述目的，本发明提出所述光阻剥离液的一第一实施例，其包括：

3、浓度范围介于50％至90％之间的非质子溶剂(aprotic solvent)；

4、浓度范围介于0.5％至20％之间的有机碱，其包括选自于由一级胺、二级胺和三级胺所组成群组之中的至少一者；

5、浓度范围介于0.5％至20％之间的芳香醇，其中，所述芳香醇含有一个羟基；以及

6、浓度范围小于或等于20％的去离子水。

7、并且，本发明还提出所述干膜剥离液的一第二实施例，其包括：

8、浓度范围介于50％至90％之间的非质子溶剂(aprotic solvent)；

9、浓度范围介于0.5％至20％之间的有机碱，其包括选自于由一级胺、二级胺和三级胺所组成群组之中的至少一者；

10、浓度范围介于0.5％至20％之间的含有一个羟基的芳香醇；

11、浓度范围介于1ppm至1000ppm之间的腐蚀抑制剂；以及

12、浓度范围小于或等于20％的去离子水。

13、并且，本发明同时提出一种光阻剥离液的用途，其用于在一微影蚀刻之中以将一光阻层自一基板上剥除。

14、以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

技术特征：

1.一种光阻剥离液，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光阻剥离液，其特征在于，所述非质子溶剂包含选自于由醇醚类溶剂、酰胺类溶剂、砜类溶剂、亚砜类溶剂、呋喃类溶剂、和酮类溶剂所组成群组的中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的光阻剥离液，其特征在于，所述有机碱包括选自于由一级胺、二级胺和三级胺所组成群组之中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的光阻剥离液，其特征在于，所述含有一个羟基的芳香醇包括选自于由苯甲醇、苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯氧乙醇、苯氧丙醇、苯氧丁醇、苯基环氧乙烷、二苯基甲醇、三苯基甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、邻氨基苯甲醇、对氨基苯甲醇、间甲氧基苯甲醇、对甲氧基苯甲醇、苄氧基苯甲醇、和二苄氧基苯甲醇所组成群组之中的至少一者。

5.一种根据权利要求1至4中任一项所述的光阻剥离液的用途，其用于在一微影蚀刻中将一光阻层自一基板上剥除。

6.一种光阻剥离液，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的光阻剥离液，其特征在于，所述非质子溶剂包含选自于由醇醚类溶剂、酰胺类溶剂、砜类溶剂、亚砜类溶剂、呋喃类溶剂、和酮类溶剂所组成群组之中的至少一者。

8.根据权利要求6所述的光阻剥离液，其特征在于，所述有机碱包括选自于由一级胺、二级胺和三级胺所组成群组之中的至少一者。

9.根据权利要求6所述的光阻剥离液，其特征在于，所述含有一个羟基的芳香醇包括选自于由苯甲醇、苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯氧乙醇、苯氧丙醇、苯氧丁醇、苯基环氧乙烷、二苯基甲醇、三苯基甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、邻氨基苯甲醇、对氨基苯甲醇、间甲氧基苯甲醇、对甲氧基苯甲醇、苄氧基苯甲醇、和二苄氧基苯甲醇所组成群组之中的至少一者。

10.根据权利要求6所述的光阻剥离液，其特征在于，所述腐蚀抑制剂包含选自于由酚基化合物、巯基类化合物和三唑类化合物所组成群组之中的至少一者。

11.一种如权利要求6至10中任一项所述的光阻剥离液的用途，其用于在一微影蚀刻中将一光阻层自一基板上剥除。

技术总结本发明主要揭示一种光阻剥离液及其用途，光阻剥离液应用于在一微影蚀刻之中以将一光阻层自一基板上剥除，且其组成包括：非质子溶剂、非四级胺的有机碱、含有一个羟基的芳香醇、以及去离子水。实验数据证实，在含有浓度范围介于0.5％至20％的非四级胺以及少量去离子水的情况下，所述光阻剥离液显示出优秀的光阻剥除能力，同时可以提高金属的抗腐蚀力，且对于有机层(PI)具有选择性。技术研发人员：蔡政颖,魏郡萩,王尊武受保护的技术使用者：芝普企业股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/2