识别系统的制作方法

本申请涉及半导体结构，更具体地，涉及用于识别光子芯片的识别系统、制造方法和使用方法。

背景技术：

1、本申请可以通过电熔断器进行芯片识别。通过使用电熔断器，可以以电性方式对芯片进行探测，从而返回与给定晶片和晶片上的位置相对应的二进制代码。

2、然而，许多硅光子芯片不具有电性探测功能。因此，一旦这些管芯从晶片上切下，就不存在对这些管芯的跟踪方法。如果不进行任何探测，就无法识别这些芯片。

技术实现思路

1、在本申请的一个方面中，一种结构包括：至少一个波导结构和至少一个受损区域，所述受损区域以唯一图案(unique pattern)定位在所述至少一个波导结构上。

2、在本申请的一个方面中，一种结构包括：光栅耦合器；至少一个波导结构，光学耦合到所述光栅耦合器，所述至少一个波导结构包括脊(spine)、柱(post)、在所述脊和所述柱的过渡处的散射位点；以及至少一个受损区域，以唯一图案定位在所述至少一个波导结构上。

3、在本申请的一个方面中，一种方法包括对给定光子芯片以唯一图案损坏至少一个波导结构。

技术特征：

1.一种结构，其特征在于，包括至少一个波导结构和至少一个受损区域，所述受损区域以唯一图案定位在所述至少一个波导结构上。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述至少一个受损区域在光学光中是不可见的。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述至少一个受损区域在红外光谱中可见。

4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述至少一个受损区域包括在所述至少一个波导结构上的所述唯一图案中的多个受损区域。

5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述至少一个波导结构包括从光栅耦合器分路的多个波导结构。

6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，所述至少一个受损区域包括在所述多个波导结构上的所述唯一图案中的多个受损区域。

7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述至少一个波导结构包括脊。

8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，所述至少一个波导结构包括从所述脊过渡的柱。

9.根据权利要求8所述的结构，其特征在于，还包括在所述柱和所述脊间的过渡处的光散射位点。

10.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述至少一个波导结构包括si材料。

11.一种结构，其特征在于，包括：

12.根据权利要求11所述的结构，其特征在于，所述至少一个受损区域在光学光中是不可见的。

13.根据权利要求11所述的结构，其特征在于，所述至少一个受损区域在红外光谱中可见。

14.根据权利要求11所述的结构，其特征在于，所述至少一个受损区域包括所述唯一图案中的多个光散射位点。

15.根据权利要求11所述的结构，其特征在于，所述至少一个受损区域包括si材料的熔化部分。

16.一种方法，其特征在于，包括对给定光子芯片以唯一图案损坏至少一个波导结构。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述损坏包括熔化所述给定光子芯片上的多个波导结构上的特定位置。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述损坏由外部激光器提供。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述损坏是在红外光谱中可见的光散射位点。

20.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括通过用红外相机扫描所述唯一图案，并用解码器解码所述唯一图案的图像来识别所述给定光子芯片。

技术总结本申请涉及识别系统，更具体地，涉及识别系统、制造方法和使用方法。所述结构包括至少一个波导结构和至少一个受损区域，所述受损区域以唯一图案定位在所述至少一个波导结构上。技术研发人员：A·达斯古普塔,N·W·罗布森,D·莫伊受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/11