显示装置的制作方法

本发明涉及显示装置。

背景技术：

1、近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为“el”)元件的自发光型的有机el显示装置受到关注。在该有机el显示装置中，针对作为图像的最小单位的每个子像素设置有薄膜晶体管(thinfilm transistor，以下也称为“tft”)。在此，作为构成tft的半导体层，例如众所周知有由迀移率高的多晶硅构成的半导体层、由漏电流小的in-ga-zn-o等氧化物半导体构成的半导体层等。

2、例如，在专利文献1中，作为使用具备具有氧化物半导体层的tft的tft基板的显示装置，例示了有机el显示装置。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特许第6311900号公报

技术实现思路

1、本发明所要解决的技术问题

2、但是，在具备具有由氧化物半导体构成的半导体层的tft的高精细的显示装置中，由于制造工序中积蓄的静电放电所导致的绝缘膜的破坏、以及来自外部的水分侵入，使用氧化物半导体的tft的特性有可能降低。

3、本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，抑制使用由静电放电和水分侵入引起的氧化物半导体的薄膜晶体管的特性的降低。

4、用于解决技术问题的技术方案

5、为了达成上述目的，本发明的显示装置具备：基底基板；以及薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，并依次层叠有由多晶硅构成的第一半导体膜；由第一无机绝缘膜构成的第一栅极绝缘膜；第一金属膜；由第二无机绝缘膜构成的第一层间绝缘膜；由氧化物半导体构成的第二半导体膜；由第三无机绝缘膜构成的第二栅极绝缘膜；第二金属膜；由第四无机绝缘膜构成的第二层间绝缘膜；第三金属膜；以及由有机树脂材料构成的平坦化膜的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层具备：多条显示用布线，其以相互平行地延伸的方式由所述第二金属膜设置；多个像素内薄膜晶体管，其与构成显示区域的多个子像素对应地设置；以及多个像素外薄膜晶体管，其在所述显示区域的周围的边框区域作为周边电路设置，所述各像素内薄膜晶体管具有由所述第二半导体膜形成的第二半导体层，所述各像素外薄膜晶体管是具有由所述第一半导体膜形成的第一半导体层，所述显示装置的特征在于，在所述边框区域的所述周边电路的所述显示区域侧，沿着所述各显示用布线设置有保护元件，所述保护元件包括：第一导电层，其由所述第一半导体膜形成，且被导体化；第三半导体层，其在所述第一导电层上隔着第五无机绝缘膜并由所述第二半导体膜形成，并且所述第三半导体层中，以相互分离的方式规定有第一源极区域和第一漏极区域，在所述第一源极区域和所述第一漏极区域之间规定有第一沟道区域；第二导电层和第三导电层，所述第二导电层和所述第三导电层通过所述第三金属膜以相互分离的方式形成，且将所述第一导电层与所述第一源极区域和所述第一漏极区域电连接，所述第一沟道区域设置成与所述各显示用布线重叠。

6、有益效果

7、根据本发明，能够抑制使用由静电放电及水分侵入引起的氧化物半导体的薄膜晶体管的特性的降低。

技术特征：

1.一种显示装置，其具备：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的显示装置，其特征在于，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的显示装置，其特征在于，

10.根据权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，

技术总结在边框区域(F)的周边电路的显示区域侧，沿着各显示用布线(18g)设置有保护元件(Ga)，该保护元件(Ga)具备：第一导电层(12b)，其由由多晶硅构成的第一半导体膜形成；第三半导体层(16b)，其由隔着第五无机绝缘膜(13a)由氧化物半导体构成的第二半导体膜形成在第一导电层(12b)上；第二导电层(20h)和第三导电层(20i)，其由第三金属膜相互分离地形成，并将第一导电层(12b)与第一源极区域(16ba)和第一漏极区域(16bb)电连接。技术研发人员：宫本忠芳受保护的技术使用者：夏普显示科技株式会社技术研发日：技术公布日：2024/6/13