宽频范围内的声学衰减结构的制作方法

本发明涉及声学衰减结构的一般领域，更具体地，涉及用于减少飞机发动机以及燃气涡轮机或其排气装置中产生的噪声的声学衰减结构。

背景技术：

1、声学衰减结构典型地由可透过待衰减声波的声学表面板或外皮和称为“封闭板”的固体反射板或外皮组成，单元体设置在这两个壁之间。单元格本体通常由例如呈蜂窝形状的一组隔板组成。以众所周知的方式，这样的结构形成亥姆霍兹型谐振器，其使得可以衰减特定频率范围内的声波。在文献us 5 912442和gb 2 314526中具体描述了这种类型的声学衰减结构。然而，先前描述的声学衰减结构仅使得可以吸收非常有限的频率范围。

2、希望产生声学衰减结构，其在很大程度上处理低频，同时在中频和高频中具有令人满意的性能，例如，在产生低频和谐波的低速风扇发动机的风扇的情况下。此外，声学衰减结构的体积和质量必须优选地受到限制，例如，当其安装在飞机上时。

3、为了扩大吸收频率的范围，已知叠置两个单元格本体，优选地，每个单元格本体具有不同尺寸的蜂窝结构以处理不同的频率。然而，这种解决方案在低频的处理方面具有局限性。事实上，为了降低最低频率，需要使用非常厚的单元格本体。因此，包括堆叠以处理低频和高频二者的两个蜂窝体的声学衰减结构会相当庞大。

技术实现思路

1、因此，本发明的主要目的是提出一种声学衰减结构，使得可以处理宽频范围，同时保持减小的质量和体积。

2、根据本发明，由于一种声学衰减结构实现这个目的，所述声学衰减结构包括下部多单元结构和上部多单元结构，上部多单元结构的至少一部分单元格至少部分地通到下部多单元结构的一个或几个单元格中，所述声学衰减结构的特点是，在下部多单元结构的至少部分单元格中的每个单元格中存在具有在基部与顶部之间逐渐变细的形状的中空声学元件。

3、因此，在多单元声学结构中的一个中使用复杂的中空声学元件使得可以以有限的体积处理低频。第二声学衰减结构的使用同时允许处理较高的频率。

4、根据本发明的一个特定特征，中空声学元件的基部位于下部多单元结构的单元格的端部处，所述端部定位为面对上部多单元结构。

5、因此，由于复杂的中空声学元件的基部不位于声学衰减结构的端部，而是位于中间高度处，因此可以处理低频、中频和高频。

6、根据本发明的另一个特定特征，中间声学外皮存在于上部多单元结构的单元格的端部处，所述端部定位为面对具有中空声学元件的下部多单元结构的单元格。

7、根据本发明的另一个特定特征，中间声学外皮与下部多单元结构的单元格中存在的中空声学元件的基部接触。

8、根据本发明的另一个特定特征，声学衰减结构进一步包括中间多单元结构，使得中间多单元结构的至少一部分单元格至少部分地通往下部多单元结构的一个或几个单元格，并且至少部分地通往上部多单元结构的一个或几个单元格。

9、根据本发明的另一个特定特征，每个中空声学元件包括从所述声学元件的基部延伸到中间声学外皮的延伸壁。

10、根据本发明的另一个特定特征，下部多单元结构的单元格具有与上部多单元结构的单元格的几何形状相同的几何形状。

11、根据本发明的另一个特定特征，下部多单元结构的单元格具有与上部多单元结构的单元格的截面的面积不同的面积截面。

12、根据本发明的另一个特定特征，下部多单元结构的单元格的高度与上部多单元结构的单元格的高度不同。

13、根据本发明的另一个特定特征，下部多单元结构的单元格沿着第一方向延伸，上部多单元结构的单元格沿着第二方向延伸，第一方向和第二方向是交叉的(secant)。

技术特征：

1.一种声学衰减结构(100)，包括下部多单元结构(130)和上部多单元结构(110)，所述上部多单元结构(110)的至少一部分单元格(112)至少部分地通到所述下部多单元结构(130)的一个或几个单元格(132)中，

2.根据权利要求1所述的声学衰减结构，其中，所述中空声学元件(151)的基部(151a)存在于所述下部多单元结构(130)的单元格(132)的端部处，所述端部定位为面对所述上部多单元结构(110)。

3.根据权利要求1或2所述的声学衰减结构，其中，在所述上部多单元结构(110)的单元格(112)的定位为面对所述下部多单元结构(130)的具有中空声学元件(151)的单元格(132)的端部处具有中间声学外皮(102)。

4.根据当从属于权利要求2时的权利要求3所述的声学衰减结构，其中，所述中间声学外皮(102)与位于所述下部多单元结构(130)的单元格(132)中的中空声学元件(151)的基部(151a)接触。

5.根据当从属于权利要求2时的权利要求3所述的声学衰减结构，其中，每个中空声学元件(751)包括延伸壁(753)，所述延伸壁从所述声学元件(751)的基部(751a)延伸到所述中间声学外皮(102)。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的声学衰减结构，进一步包括中间多单元结构(120)，使得所述中间多单元结构(120)的至少一部分单元格(122)至少部分地通到所述下部多单元结构(130)的一个或几个单元格(132)中，并且至少部分地通到所述上部多单元结构(110)的一个或几个单元格(112)中。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的声学衰减结构，其中，所述下部多单元结构(130)的单元格(132)具有与所述上部多单元结构(110)的单元格(112)的几何形状相同的几何形状。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的声学衰减结构(300；400)，其中，所述下部多单元结构(130)的单元格(132)具有与所述上部多单元结构(310；410)的单元格(312；412)的截面的面积不同的截面面积。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的声学衰减结构(100)，其中，所述下部多单元结构(130)的单元格(132)的高度与所述上部多单元结构(110)的单元格(112)的高度不同。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的声学衰减结构(400)，其中，所述下部多单元结构(130)的单元格(132)沿着第一方向延伸，并且所述上部多单元结构(410)的单元格(412)沿着第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向是交叉的。

技术总结本发明涉及一种声学衰减结构(100)，其包括下部多单元结构(130)和上部多单元结构(110)，上部多单元结构(110)的至少一些单元格(112)至少部分地通到下部多单元结构(130)的一个或几个单元格(132)中，声学衰减结构(100)的特点是，在下部多单元结构(130)的至少部分的每个单元格(132)中存在其形状在基部与顶点之间逐渐变窄的中空声学元件(151)。技术研发人员：尼古拉斯·皮埃尔·兰凡特,杰克·诺维·马尔卓诺,胡格斯·劳伦特·阿尔及利亚,马克·维尔萨维尔,帕特里克·邓利维受保护的技术使用者：赛峰集团技术研发日：技术公布日：2024/7/11