一种抛光组合物及其用途的制作方法

本发明涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种抛光组合物及其用途。

背景技术：

1、在制备芯片的过程中，浅沟槽隔离结构(sti)是最常见的一种，一般使用氮化硅和多晶硅作为停止层。需要在抛光的过程能快速的去除表面的氧化层，但氮化硅或者多晶硅层暴露出来后，能够保护住氮化硅或者多晶硅层，也就是说抛光液对于停止层几乎没有抛光速率。对于传统的sti的应用，需要尽量小的蝶形，以保证足够的过抛时间。但随着目前集成电路的设计趋于复杂以及多层结构，要求抛光液能够满足对不同的蝶形(dishing)大小的要求。例如，有一些新的设计结构，需要达到很高的碟形以满足后续的加工需要，为了满足这一需求，高的碟形的抛光液需求越来越多。

2、因此，本领域亟需一种能够有效调控抛光后晶圆表面碟形大小的抛光液，以满足不同的抛光需求。

技术实现思路

1、为了解决抛光后晶圆表面具有不同高低碟形的技术问题，本发明提供一种能够用于抛光氧化硅的抛光组合物，可以有效减少抛光后晶圆的表面形貌和抛光效果。

2、具体的，本发明提供一种抛光组合物，包括：

3、氧化铈研磨颗粒，阳离子型聚合物，阴离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂。

4、优选的，所述氧化铈研磨颗粒为胶体氧化铈颗粒。

5、优选的，所述阴离子型表面活性剂选自磷酸化合物或羧酸根阴离子聚合物。

6、优选的，所述磷酸化合物选自磷酸、磷酸钾，三磷酸氢二钾，氨基三甲叉膦酸中的一种或多种。

7、优选的，所述阴离子型聚合物为聚丙烯酸铵盐及其共聚物。

8、优选的，所述阳离子型聚合物为聚季铵盐。

9、优选的，所述阳离子型聚合物选自聚季铵盐2，聚季铵盐6，聚季铵盐7，聚季铵盐28，聚季铵盐37中的一种或多种。

10、优选的，所述非离子型表面活性剂为分子量小于10000的聚乙二醇。

11、优选的，所述抛光组合物的ph值为2-7.

12、本发明的另一方面，提供一种将以上任一所述的抛光组合物用于抛光氧化硅的用途。

13、与现有技术相比，本发明中的抛光组合物具有以下有益效果：

14、1.具有较稳定的抛光效果，易于抛光液的保存以及实际使用；

15、2.将本发明中的抛光组合物用于抛光图形晶圆时，可以通过调节添加不同的阴离子型表面活性剂，其中，在使用磷酸化合物作为阴离子型表面活性剂时，可以控制抛光得到较大的碟形，在使用羧酸根阴离子聚合物作为阴离子型表面活性剂时，可以控制得到较小的碟形；由此可以实现控制不同蝶形大小的目的，从而满足不同结构的实际应用要求。

技术特征：

1.一种抛光组合物，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，

3.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，

4.如权利要求3所述的抛光组合物，其特征在于，

5.如权利要求3所述的抛光组合物，其特征在于，

6.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，

7.如权利要求6所述的抛光组合物，其特征在于，

8.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，

9.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，

10.一种将权利要求1-9中任一所述的抛光组合物用于抛光氧化硅的用途。

技术总结本发明提供了一种抛光组合物，包括：氧化铈研磨颗粒，阴离子型表面活性剂，阳离子型聚合物和非离子型表面活性剂。本发明提供的抛光组合物，具有较好的稳定性，易于保存以及实际使用；并且可以通过调节添加不同的阴离子分子，从而达到控制不同蝶形大小的目的，从而满足不同结构的应用要求。技术研发人员：徐鹏宇,李守田,王兴平,贾长征受保护的技术使用者：安集微电子科技（上海）股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/18