液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件的制作方法
- 国知局
- 2024-08-02 17:44:03
本发明涉及一种液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件。
背景技术:
1、液晶元件被广泛用于电视或移动设备、各种监视器等用途。在这些液晶元件中,为了对液晶单元中的液晶分子进行取向控制而使用液晶取向膜,所述液晶取向膜为具有液晶取向限制力的有机膜。作为获得液晶取向膜的方法,已知有:对有机膜进行摩擦的方法、对氧化硅进行斜向蒸镀的方法、形成具有长链烷基的单分子膜的方法、对感光性的有机膜进行光照射的方法(光取向法)等。
2、光取向法可一边抑制静电或尘埃的产生一边对感光性的有机膜赋予均匀的液晶取向能,而且也能够进行液晶取向方向的精密的控制,因此进行有各种研究(例如,参照专利文献1)。在专利文献1中公开有:对如下膜,即将含有具有肉桂酸酯结构或环丁烷环结构等光取向性结构的聚酰胺酸等的液晶取向剂涂布于基板上并煅烧而获得的膜照射偏光放射线来形成液晶取向膜。
3、[现有技术文献]
4、[专利文献]
5、[专利文献1]日本专利特开2014-063133号公报
技术实现思路
1、[发明所要解决的问题]
2、在通过光取向处理来获得液晶取向膜的情况下,与摩擦处理相比,液晶分子的取向限制力并不充分,有容易产生被称为交流(alternating current,ac)残像的烧痕的倾向。所述ac残像为由液晶的初始取向的方向因液晶元件的长时间驱动而从液晶元件的制造当初的方向偏离所引起的残像。对于为了满足近年来的进一步高性能化的要求的液晶元件,期望充分减低ac残像的产生。
3、近年来,液晶元件被应用于从大画面的液晶电视至智能手机或输入板个人计算机(personal computer,pc)等等小型显示装置的广范围的器件或用途中。伴随此种多用途化,设想液晶元件被载置或设置于如车内或室外那样可能成为高温的场所,或相较于以往会被长时间驱动,而在更严酷的热环境下被使用。因此,作为液晶元件,要求对热的可靠性较以往更优异。
4、本发明是鉴于所述情况而成的,其目的之一在于提供一种可获得液晶取向性优异、能充分减低ac残像的产生而且热可靠性优异的液晶元件的液晶取向剂。
5、[解决问题的技术手段]
6、本发明人等人进行努力研究,通过使用具有特定结构的聚合体来形成液晶取向膜,从而解决所述课题。根据本发明,可提供以下的手段。
7、〔1〕一种液晶取向剂,含有聚合体(p),所述聚合体(p)包含源自具有光取向性结构的二胺的结构单元u1与源自具有含氮芳香族杂环的二胺的结构单元u2(其中,具有光取向性结构的结构单元除外)。
8、〔2〕一种液晶取向膜,其是使用根据所述〔1〕所记载的液晶取向剂而形成。
9、〔3〕一种液晶元件,包括根据所述〔2〕所记载的液晶取向膜。
10、[发明的效果]
11、通过本发明的液晶取向剂,可获得液晶取向性优异、能充分减低ac残像的产生而且热可靠性优异的液晶元件。
技术特征:1.一种液晶取向剂,含有聚合体(p),所述聚合体(p)包含源自具有光取向性结构的二胺的结构单元u1与源自具有含氮芳香族杂环的二胺的结构单元u2,所述结构单元u2中,具有光取向性结构的结构单元除外。
2.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述聚合体(p)为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺及聚酰胺所组成的群组中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述结构单元u1具有包含光取向性结构的侧链(a1),在所述侧链(a1)的末端具有烷基或卤化烷基。
4.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述结构单元u2在侧链中具有含氮芳香族杂环。
5.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述结构单元u2在主链中具有含氮芳香族杂环。
6.根据权利要求5所述的液晶取向剂,其中,所述结构单元u2为源自具有含氮芳香族杂环与“-nr10-”所表示的基的二胺的结构单元,其中,r10为氢原子或一价热脱离性基。
7.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,所述结构单元u1为源自具有肉桂酸酯结构的二胺的结构单元。
8.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其中,相对于所述聚合体(p)中所含的源自二胺的结构单元的总量,所述结构单元u1的含量为15摩尔%~95摩尔%且所述结构单元u2的含量为5摩尔%~85摩尔%。
9.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其还含有不包含所述结构单元u1的聚合体(q)。
10.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其还含有交联剂。
11.一种液晶取向膜,其是使用如权利要求1至10中任一项所述的液晶取向剂而形成。
12.一种液晶元件,包括如权利要求11所述的液晶取向膜。
技术总结本发明提供一种可获得液晶取向性优异、能充分减低AC残像的产生而且热可靠性优异的液晶元件的液晶取向剂、液晶取向膜及液晶元件。液晶取向剂,含有聚合体(P),所述聚合体(P)包含源自具有光取向性结构的二胺的结构单元U1与源自具有含氮芳香族杂环的二胺的结构单元U2(其中,具有光取向性结构的结构单元除外)。技术研发人员:王道海,村上嘉崇受保护的技术使用者:JSR株式会社技术研发日:技术公布日:2024/6/26本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240718/257070.html
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 YYfuon@163.com 举报,一经查实,本站将立刻删除。
下一篇
返回列表