一种蚀刻组合物及其用途的制作方法

本发明涉及化学蚀刻领域，尤其涉及一种蚀刻组合物及其用途。

背景技术：

1、目前，存储设备受到了广泛的关注和应用。为了实现更高的存储性能效率，制造商已经研究了其他可以在存储设备中实现卓越性能的材料。特别是，许多制造商已经用钼取代了钨层。因此，制造商需要能够选择性地去除凹槽中的钼而不去除氧化硅和氧化铝等的其他成分的蚀刻剂组合物。特别令人感兴趣的是一种蚀刻剂组合物，其能够以一定的蚀刻速率选择性地去除钼，使得每个凹槽在受控蚀刻条件下实现基本相同的目标蚀刻深度。而目前，关于解决上述技术问题的蚀刻剂组合物，仍鲜少有公开和报道，因此需要一种高效的蚀刻剂组合物选择性的蚀刻钼或钼基合金，且在蚀刻过程中保持稳定的速率，使蚀刻过程更加稳定可控。本发明的公开提供了一种用于选择性去除钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)的蚀刻组合物，同时可以调整钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)的蚀刻选择比，并避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。

技术实现思路

1、本发明提供一种能够用于湿法蚀刻钼的蚀刻组合物，更具体地，涉及一种对钼选择性的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物能够解决如何有效刻蚀钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，扩大操作窗口等技术问题。具体的，所述蚀刻组合物包括氧化剂，羟胺化合物及其衍生物，络合剂，有机胺，腐蚀抑制剂和去离子水。

2、优选的，所述氧化剂选自过氧化氢、硝酸铁、硫酸铁、高碘酸、碘酸、硝酸、氯酸铵、碘酸铵、过硼酸铵、高氯酸铵、高碘酸铵、过硫酸铵、过氧乙酸、过氧苯甲酸、1,4-苯醌、n-甲基吗啉n-氧化物中的一种或多种。

3、优选的，所述氧化剂的质量百分比含量为0.1wt％-7wt％。

4、优选的，所述羟胺化合物及其衍生物选自二乙基羟胺、丙酮肟、水杨醛肟、乙酰氧肟酸、邻苄基羟胺、羟胺中的一种或多种。

5、优选的，所述羟胺化合物及其衍生物的质量百分比含量为0.1wt％-20wt％。

6、优选的，所述络合剂选自丁二胺四乙酸、二乙三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、三乙烯四胺六乙酸、环己二胺四乙酸、乙二胺二乙酸、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸、2-(羟乙基)亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、精氨酸、天冬氨酸、半胱氨酸、谷氨酸、组氨酸、赖氨酸、草酸、马来酸、苹果酸、丁二酸、邻苯二甲酸、乳酸、柠檬酸、柠檬酸铵、酒石酸中的一种或多种。

7、优选的，所述络合剂的质量百分比含量为0.01wt％-10wt％。

8、优选的，所述有机胺选自n,n-二甲基乙醇胺、丙醇胺、异丙醇胺、二甘醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二乙氨基乙氧基乙醇、n-甲基二乙醇胺、单乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丁醇、异丁醇胺、亚氨基二乙酸中的一种或多种。优选的，所述有机胺的质量百分比含量为0.01wt％-10wt％。

9、优选的，所述腐蚀抑制剂选自5-氨基四唑、1-羟基-苯并三唑、苯并咪唑、吡唑、苯并三唑、1,2,4-三唑、5-甲基-苯并三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噻唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、戊四唑、5-苯基-1h-四唑、3-氨基-5-甲硫基-1h-1,2,4-三唑、苯并噻唑、咪唑、吲唑、腺嘌呤、腺苷、咔唑中的一种或多种。

10、优选的，所述腐蚀抑制剂的质量百分比含量为0.01％-5wt％。

11、本发明的另一方面，提供一种将以上任一所述的蚀刻组合物用于湿法蚀刻钼的用途。

12、本发明的蚀刻组合物能够有效刻蚀钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。

技术特征：

1.一种蚀刻组合物，其特征在于，包括氧化剂，羟胺化合物及其衍生物，络合剂，有机胺，腐蚀抑制剂和去离子水。

2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

3.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

4.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

5.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

6.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

7.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

8.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

9.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

10.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

11.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

12.一种将权利要求1-11中任一所述的蚀刻组合物用于湿法蚀刻钼的用途。

技术总结本发明提供了一种蚀刻组合物及其用途，其中所述蚀刻组合物包括氧化剂，羟胺化合物及其衍生物，络合剂，有机胺，腐蚀抑制剂和去离子水。本发明的蚀刻组合物能够有效刻蚀钼或钼基材料以及氮化钛(或钛)，同时避免对氧化硅和氧化铝等的刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。技术研发人员：张文贝,刘兵,彭洪修受保护的技术使用者：宁波安集微电子科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/6/30