一种用于半导体烘干的过滤装置的制作方法

本技术涉及气体过滤装置，特别涉及一种用于半导体晶圆烘干的气体过滤装置。

背景技术：

1、目前国内半导体及光伏领域正在高速发展，而硅片是光伏发电的主要材料，半导体硅材料是最主要的元素半导体材料，因此光伏属于泛半导体行业。在半导体制造领域，特别是芯片制造流程中，半导体清洗后的干燥是极其重要的步骤，由于晶圆在工艺处理过程中会受到污染，从而会导致晶圆良品率下降，器件质量变差，因此需要保持晶圆干进干出，烘干工艺需要持续热风进行干燥，目前尚无配套国内自主研发高端12英寸晶圆清洗后的干燥设备的开发，如采用传统的金属焊接制成的气体过滤装置，存在金属离子析出高、造价贵、过重不易安装的缺点，则晶圆在烘干工艺处理过程中会受到污染，为了配套国内自主研发12英寸晶圆清洗设备，急需相应的具有自主知识产权的烘干气体过滤装置。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是提供一种离子析出极低、制造成本较低且易安装的用于半导体烘干的过滤装置。

2、实现本实用新型目的的技术方案是提供一种用于半导体烘干的过滤装置，包括主体和连接在主体下方开口处的法兰连接框、设置于主体内的内置滤芯；

3、主体是包括从上至下依次连接的进气管道、上盖和主壳体的一体件，主壳体呈方框状；上盖呈四棱台状，上盖连接在主壳体的上方将主壳体上方封闭；进气管道的一端与上盖的上端面连接；

4、法兰连接框的外周大于主壳体的下端开口、内周小于主壳体的下端开口，法兰连接框通过紧固件连接在主壳体的下方开口处；

5、内置滤芯的大小与主壳体的内部空间对应，内置滤芯设置在主壳体内，上侧由上盖限位，下侧由法兰连接框限位。

6、进一步的，主体和法兰连接框均采用pvdf-uhp材料制成，内置滤芯采用聚四氟乙烯滤芯。

7、进一步的，主体的主壳体的周向四壁设置网格状加强筋，主壳体的周向四壁下部均均匀间隔设置螺母柱；

8、法兰连接框设有与螺母柱对应的第一连接孔，法兰连接框的框面外周还设有用于安装的第二连接孔；法兰连接框通过相应的螺丝穿过第一连接孔后旋合在主壳体的相应螺母柱内而与主壳体连接。

9、本实用新型具有积极的效果：本实用新型的用于半导体烘干的过滤装置的主体及法兰连接框均采用pvdf-uhp材料制成，可以耐受90-120度的温度，且无金属离子析出及重量较大的缺点，其材料本身也具备无离子析出的特性，使用时由进气管道与气源连接，通过法兰连接框安装在烘干设备上，气源提供90-120度的热风进入上盖内分散并经由内置滤芯过滤后进入后续烘干设备内对晶圆片进行烘干，安装使用翻边，由于主体采用整体式设计，不会泄露气体，制造成本远低于金属制的过滤装置，另外，通过拆装法兰连接框可以方便的更换内置滤芯，使用方便。

技术特征：

1.一种用于半导体烘干的过滤装置，其特征在于：包括主体和连接在主体下方开口处的法兰连接框（4）、设置于主体内的内置滤芯（5）；

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体烘干的过滤装置，其特征在于：主体和法兰连接框（4）均采用pvdf-uhp材料制成，内置滤芯（5）采用聚四氟乙烯滤芯。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体烘干的过滤装置，其特征在于：主体的主壳体（3）的周向四壁设置网格状加强筋，主壳体（3）的周向四壁下部均均匀间隔设置螺母柱（31）；

技术总结本技术涉及一种用于半导体烘干的过滤装置，包括主体和连接在主体下方开口处的法兰连接框、设置于主体内的内置滤芯；主体是包括从上至下依次连接的进气管道、上盖和主壳体的一体件，主壳体呈方框状；上盖呈四棱台状，上盖连接在主壳体的上方将主壳体上方封闭；进气管道的一端与上盖的上端面连接；法兰连接框的外周大于主壳体的下端开口、内周小于主壳体的下端开口，法兰连接框通过紧固件连接在主壳体的下方开口处；内置滤芯的大小与主壳体的内部空间对应，内置滤芯设置在主壳体内，上侧由上盖限位，下侧由法兰连接框限位。该用于半导体烘干的过滤装置离子析出极低且制造成本较低。技术研发人员：季红生,叶品华,韩涧希受保护的技术使用者：海普瑞（常州）洁净系统科技有限公司技术研发日：20231116技术公布日：2024/7/9