一种单晶炉真空管道清洁装置的制作方法

本技术涉及管道清洁，具体涉及一种单晶炉真空管道清洁装置。

背景技术：

1、目前，采用直拉法拉制单晶时，硅高温熔化后会挥发出硅蒸汽，单晶炉通入的保护气体会将硅蒸汽和其它杂质一起经由导气筒和真空排气管道排至过滤罐。在排气的过程中，挥发的氧化物气体离开单晶炉内的高温环境进入真空管道内温度相对较低的环境内，极易受冷凝结在炉底板和真空管道的内壁上。大量氧化物凝结在真空管道内壁容易导致真空管道堵塞的现象，影响单晶炉的抽真空效率，从而影响拉晶质量。现有技术中，一般是根据石英坩埚的使用寿命以及单晶炉内的氧化情况，定期拆炉，采用电动手枪钻等工具清理真空管道内堵塞的氧化物。此种清洁方式需要停炉操作，且氧化物凝结量较多，凝结时间较长，导致清洁效率和洁净度都比较低，而且硅化物为有毒物质，人工清洁真空管道时会产生大量的硅化物粉尘，容易对清洁人员的身体造成伤害。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种单晶炉真空管道清洁装置，能够防止硅蒸汽于真空管道的内壁凝结成氧化物，从而避免真空管道堵塞，提高生产环境的洁净度。

2、为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案如下：一种单晶炉真空管道清洁装置，包括驱动件、转动件、清洁组件和连接件；所述连接件用于将所述驱动件固定连接于所述真空管道；所述转动件连接于所述驱动件的输出端，可在所述驱动件的驱动下进行转动；所述清洁组件连接于所述转动件的侧部，可在所述转动件的带动下转动并刮扫所述真空管道的内壁。

3、相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：本清洁装置可以通过连接件安装至真空管道，在单晶炉工作过程中，驱动件带动转动件不断地旋转，从而带动清洁组件在真空管道内不断旋转并刮扫真空管道的内壁，能够防止硅蒸汽于真空管道的内壁凝结成氧化物，从而避免真空管道堵塞，提高生产环境的洁净度。清洁时不需要停炉操作，能够提高清洁效率，且无需人工手动清洁，能够避免对工作人员的身体造成伤害。

4、上述的单晶炉真空管道清洁装置，所述清洁组件包括连接于所述转动件侧部的刮刀和刷条，所述刮刀用于刮扫所述真空管道的管口内壁，所述刷条用于扫刷所述真空管道的内部内壁。

5、上述的单晶炉真空管道清洁装置，所述刮刀和所述刷条连接于所述转动件的相对的两侧。

6、上述的单晶炉真空管道清洁装置，所述刮刀具有弧形刮面，所述刮刀的刀刃位于所述弧形刮面的侧部，所述弧形刮面能够贴合所述真空管道的管口内壁并沿所述管口内壁滑动，以使所述刮刀的刀刃刮落位于所述管口内壁上的氧化物。

7、上述的单晶炉真空管道清洁装置，所述连接件为带法兰的磁流体密封件，所述驱动件的输出轴通过所述磁流体密封件连接所述转动件。

8、上述的单晶炉真空管道清洁装置，所述转动件的靠近于所述磁流体密封件的那端套设有挡灰板。

9、上述的单晶炉真空管道清洁装置，所述磁流体密封件与所述真空管道之间连接有密封圈。

10、下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

技术特征：

1.一种单晶炉真空管道清洁装置，其特征在于，包括驱动件(300)、转动件(400)、清洁组件和连接件(600)；

2.根据权利要求1所述的单晶炉真空管道清洁装置，其特征在于，所述刮刀(510)具有弧形刮面(511)，所述刮刀(510)的刀刃(512)位于所述弧形刮面(511)的侧部，所述弧形刮面(511)能够贴合所述真空管道(100)的管口内壁并沿所述管口内壁滑动，以使所述刮刀(510)的刀刃(512)刮落位于所述管口内壁上的氧化物。

3.根据权利要求1所述的单晶炉真空管道清洁装置，其特征在于，所述连接件(600)为带法兰的磁流体密封件，所述驱动件(300)的输出轴通过所述磁流体密封件连接所述转动件(400)。

4.根据权利要求3所述的单晶炉真空管道清洁装置，其特征在于，所述转动件(400)的靠近于所述磁流体密封件的那端套设有挡灰板(700)。

5.根据权利要求3所述的单晶炉真空管道清洁装置，其特征在于，所述磁流体密封件与所述真空管道(100)之间连接有密封圈(800)。

技术总结本技术公开了一种单晶炉真空管道清洁装置，包括驱动件、转动件、清洁组件和连接件；连接件用于将驱动件固定连接于真空管道；转动件连接于驱动件的输出端，可在驱动件的驱动下进行转动；清洁组件连接于转动件的侧部，可在转动件的带动下转动并刮扫真空管道的内壁。本清洁装置可以通过连接件安装至真空管道，在单晶炉工作的过程中，驱动件带动转动件不断旋转，从而带动清洁组件在真空管道内不断旋转并刮扫真空管道的内壁，防止硅蒸汽于真空管道的内壁凝结成氧化物，从而避免真空管道堵塞，提高生产环境的洁净度。且清洁时不需要停炉操作，能够提高清洁效率，也无需人工手动清洁，能够避免对工作人员的身体造成伤害。技术研发人员：米家东,毕喜行,马腾飞,汪奇受保护的技术使用者：四川高景太阳能科技有限公司技术研发日：20230911技术公布日：2024/7/18