一种偏析法产光箔氧化膜前处理方式的制作方法

本发明涉及腐蚀箔生产，尤其涉及一种偏析法产光箔氧化膜前处理方式。

背景技术：

1、目前，铝箔光箔生产主要有三层液电解法、有机溶剂法、区域熔炼法以及偏析法。前三种方法由于耗电量大，污染高等因素导致其成本高且限制了大规模生产。而偏析法由于其独特的分离杂质方式，使得其能够对杂质含量越高的铝矿进行精炼，耗电量低，污染小，从而成本大大降低，成为光箔主要选择。

2、但是，偏析法在固液分离过程中，液相杂质中的微量元素容易析出并渗入进光箔表面氧化膜中，再经过退火步骤，表面氧化膜的杂质容易分布不均一，从而在腐蚀过程中，形成的大量腐蚀微电池体系也不均一，造成发孔的均匀性降低。因此，改善表面氧化膜中杂质分布对腐蚀均匀性起到关键作用。

3、 专利技术文献cn202210199944.0 公开了一种制备中高压腐蚀箔的预处理方法及其应用，该发明的预处理方法通过以磷酸、硝酸和酒石酸混合作为前处理液并结合预布孔工艺处理；所述前处理液包含以下浓度的组分：磷酸质量分数40%-60%、硝酸质量分数20%-35%、酒石酸质量分数5%-20%。本发明的预处理方法在铝箔表面形成分布均匀的起始发孔缺陷位点，解决了后续电腐蚀表面蚀孔分部不均匀及并孔、出现色差以及隧道孔长度不一致的问题。采用该工艺后制得的腐蚀箔表面发孔均匀，并孔较少且不出现色差，隧道孔长度一致，同时腐蚀箔的比容较高，折弯性能较好。但是经过磷酸前处理的铝箔经过发孔处理后表面有色差出现，后续电解蚀孔分散性差，并孔严重，影响其成品腐蚀箔的机械性能不理想。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的目的在于提出一种偏析法产光箔氧化膜前处理方式，以达到提升隧道孔分布均匀度，提升残芯稳定性，从而进一步提高光箔容量与机械强度的目的。

2、基于上述目的，本发明提供了一种偏析法产光箔氧化膜前处理方式，包括以下步骤：

3、s1：将厚铝箔置于60-80℃的氢氧化钠溶液中，浸泡30s后取出，纯水洗涤；

4、s2：将s1中所得产物置于前处理液中，在40-60℃下，先以铝箔为阴极通过电流为8-30ma/cm2的电流，通电时长60-120s；随后，再以铝箔为阳极通过电流为5-20ma/cm2的电流，通电时长50-100s；

5、s3：将s2中所得产物置于一级腐蚀液中，在65-73℃下，施加变电流，变电流密度为1.5-2 a/cm2持续1-2s，0.8-1 a/cm2持续1-2s，0.5-0.7 a/cm2持续5-10s，0.2-0.3 a/cm2持续7-15s；

6、s4：将s3中所得产物置于二级腐蚀液中，在70-80℃下，施加恒电流，恒电流密度为0.1-0.2a/cm2，持续时间为16-25min；

7、s5：将s4中所得产物先在稀硝酸溶液中清洗，再用稀硫酸溶液清洗后，最后用纯水冲洗、烘干；

8、s6：将s5中所得产物进行化成处理后得到成品腐蚀箔；

9、所述前处理液为酒石酸、酒石酸钾纳和氨基氯苯酚缩醛-7-羟基-8香豆素醛的混合溶液。

10、所述氨基氯苯酚缩醛-7-羟基-8香豆素醛的制备步骤如下：

11、（1）将7-羟基香豆素，六次甲基四胺与醋酸混合均匀，在100-110℃下反应5-6h后，滴加浓盐酸后降温到60℃，反应0.5-1h，萃取，冷却浓缩获得产物1；

12、（2）将氨基氯苯酚与产物1溶解在无水乙醇中，70-75℃下恒温保持8-10h后，浓缩至50%后得到氨基氯苯酚缩醛-7-羟基-8香豆素醛溶液。

13、优选地，步骤s1中所述厚铝箔的厚度为130-135μm。

14、优选地，步骤s1中所述氢氧化钠溶液的物质的量浓度为0.05-0.1mol/l。

15、优选地，所述前处理液中酒石酸的物质的量浓度为0.01-0.02mol/l、酒石酸钾纳的物质的量浓度为0.03-0.05mol/l、achf的物质的量浓度为0.2-0.5ml/l。

16、优选地，步骤s3中所述一级腐蚀液为盐酸和硫酸的混合溶液。

17、优选地，所述一级腐蚀液中盐酸的物质的量浓度为0.8-1.2mol/l、硫酸的物质的量浓度为3-3.6mol/l。

18、优选地，步骤s4中所述二级腐蚀液为硝酸、磷酸和聚苯乙烯磺酸钠的混合溶液。

19、优选地，所述二级腐蚀液中硝酸的物质的量浓度为1.1-1.5mol/l、磷酸的物质的量浓度为0.1-0.5ml/l、聚苯乙烯磺酸钠的物质的量浓度为0.01-0.02ml/l。

20、优选地，步骤s5中所述稀硝酸溶液的物质的量的浓度为0.1-0.2mol/l、稀硫酸溶液的物质的量的浓度为0.1-0.2mol/l。

21、优选地，步骤s5中采用稀硝酸溶液进行清洗时，清洗温度为60-80℃、清洗时间为1-3min。

22、优选地，步骤s5中采用稀硫酸溶液进行清洗时，清洗温度为60-80℃、清洗时间为1-3min。

23、优选地，步骤s5中采用纯水进行冲洗时，冲洗时间为5-8min。

24、优选地，步骤s5中所述烘干的温度为270-400℃。

25、优选地，步骤（1）中所述7-羟基香豆素、六次甲基四胺、醋酸、浓盐酸的重量比为1:2:10:10。

26、优选地，步骤（2）中所述氨基氯苯酚与产物1的重量比为1:1。

27、本发明的有益效果：

28、本发明的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，通过在前处理液中加入氨基氯苯酚缩醛-7-羟基-8香豆素醛，其能够在铝箔表面构建稳定的网络，限制了溶液中杂质离子的快速富集，使得其使得重新形成的氧化膜杂质分布相对均匀。

29、本发明的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，通过该方式处理得到的成品腐蚀箔表面无效并孔减少，隧道孔分布更加均匀，从而使得无效生长残芯变少，整体残芯层均匀有序，能够有效提升成品腐蚀箔的机械强度。

技术特征：

1.一种偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，步骤s1中所述氢氧化钠溶液的物质的量浓度为0.05-0.1mol/l。

3.根据权利要求1所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，所述前处理液中酒石酸的物质的量浓度为0.01-0.02mol/l、酒石酸钾纳的物质的量浓度为0.03-0.05mol/l、achf的物质的量浓度为0.2-0.5ml/l。

4.根据权利要求1所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，步骤s3中所述一级腐蚀液为盐酸和硫酸的混合溶液。

5.根据权利要求4所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，所述一级腐蚀液中盐酸的物质的量浓度为0.8-1.2mol/l、硫酸的物质的量浓度为3-3.6mol/l。

6.根据权利要求1所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，步骤s4中所述二级腐蚀液为硝酸、磷酸和聚苯乙烯磺酸钠的混合溶液。

7.根据权利要求6所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，所述二级腐蚀液中硝酸的物质的量浓度为1.1-1.5mol/l、磷酸的物质的量浓度为0.1-0.5ml/l、聚苯乙烯磺酸钠的物质的量浓度为0.01-0.02ml/l。

8.根据权利要求1所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，步骤s5中所述稀硝酸溶液的物质的量的浓度为0.1-0.2mol/l、稀硫酸溶液的物质的量的浓度为0.1-0.2mol/l。

9.根据权利要求1所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，步骤（1）中所述7-羟基香豆素、六次甲基四胺、醋酸、浓盐酸的重量比为1:2:10:10。

10.根据权利要求1所述的偏析法产光箔氧化膜前处理方式，其特征在于，步骤（2）中所述氨基氯苯酚与产物1的重量比为1:1。

技术总结本发明涉及腐蚀箔生产技术领域，具体涉及一种偏析法产光箔氧化膜前处理方式。本发明的偏析法产光箔氧化膜前处理方式通过将氨基氯苯酚缩醛‑7‑羟基‑8香豆素醛加入到前处理液中，使得铝箔表面形成分布均匀的起始发孔缺陷位点，解决了后续电腐蚀表面蚀孔分部不均匀、出现色差以及隧道孔长度不一致的问题、使得成品腐蚀箔的表面无效并孔减少成品腐蚀箔，隧道孔分布更加均匀，从而使得无效生长残芯变少。本发明的偏析法产光箔氧化膜前处理方式在腐蚀箔生产技术领域，具有广泛的应用前景。技术研发人员：冒慧敏,严李,李姜红,朱伟晨,徐中均,王建中受保护的技术使用者：南通海星电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/16