一种具有电磁场增强性能的连续月牙型纳微结构及其制备方法与流程

本发明属于纳微结构制备技术领域，具体涉及一种具有电磁场增强性能的连续月牙型纳微结构及其制备方法。

背景方法

等离子体纳微结构吸引了众多的注意力，因为它能在纳米尺度上限域光，可以在表面增强光谱^[1-3]、生物传感器^[4-6]、非线性光学^[7-9]等应用中发挥巨大的作用。当纳微结构引入不对称性因素时，相比于对称结构会呈现出独特的光学性能^[10][11]。其中等离子体纳米月牙是一种典型的不对称纳微结构，已被广泛研究并表现出一系列有趣的光学性质和应用潜力。例如，等离子体纳米月牙结构的暗模等离子体共振在超材料^[12]、表面增强光谱^[3][13][14]、传感^[15]和光捕获^[16][17]等方面呈现巨大的应用潜力。同时，不对称纳米月牙结构中的多级法诺共振在非线性光学方面也有很大的潜在应用^[10][11]。

但是简单高效、低成本的大量制备连续月牙型纳微结构，尤其是具有对尖端和纳米间隙的连续对月牙型纳微结构还没有实现。亟需开发一种新型的纳米制备技术，制备不同形貌的连续月牙型纳微结构来满足更多的实际应用。其中一个特别的挑战就是制备同时具有对月牙尖端和间隙的连续对月牙型纳米间隙结构。对月牙尖端和纳米间隙的共振耦合作用，使电磁场显著增强，在表面增强拉曼散射，荧光增强和细胞成像等实际应用中发挥巨大的作用。

[1]chirumamilla,m.；toma,a.；gopalakrishnan,a.；das,g.；zaccaria,r.p.；krahne,r.；rondanina,e.；leoncini,m.；liberale,c.；deangelis,f.；difabrizio,e.advmater2014,26,2353.

[2]si,s.；liang,w.；sun,y.；huang,j.；ma,w.；liang,z.；bao,q.；jiang,l.advancedfunctionalmaterials2016,26,8137.

[3]jang,h.-j.；jung,i.；zhang,l.；yoo,s.；lee,s.；cho,s.；shuford,k.l.；park,s.chemistryofmaterials2017,29,5364.

[4]mayer,k.m.；hafner,j.h.chemrev2011,111,3828.

[5]gao,c.；lu,z.；liu,y.；zhang,q.；chi,m.；cheng,q.；yin,y.angewchemintedengl2012,51,5629.

[6]klinghammer,s.；uhlig,t.；patrovsky,f.；bohm,m.；schutt,j.；putz,n.；baraban,l.；eng,l.m.；cuniberti,g.acssens2018,3,1392.

[7]aouani,h.；rahmani,m.；navarro-cia,m.；maier,s.a.natnanotechnol2014,9,290.

[8]celebrano,m.；wu,x.；baselli,m.；grossmann,s.；biagioni,p.；locatelli,a.；deangelis,c.；cerullo,g.；osellame,r.；hecht,b.；duo,l.；ciccacci,f.；finazzi,m.natnanotechnol2015,10,412.

[9]davidson,r.b.；yanchenko,a.；ziegler,j.i.；avanesyan,s.m.；lawrie,b.j.；haglund,r.f.acsphotonics2016,3,1477.

[10]luk'yanchuk,b.；zheludev,n.i.；maier,s.a.；halas,n.j.；nordlander,p.；giessen,h.；chong,c.t.natmater2010,9,707.

[11]wang,q.；yu,l.；liu,c.；xu,x.epl(europhysicsletters)2017,118,64002.

[12]zhang,x.m.；han,j.j.；zhang,q.；qin,f.f.；xiao,j.j.opticscommunications2014,325,9.

[13]bukasov,r.；shumaker-parry,j.s.analchem2009,81,4531.

[14]cooper,c.t.；rodriguez,m.；blair,s.；shumaker-parry,j.s.thejournalofphysicalchemistryc2015,119,11826.

[15]zheng,c.；jia,t.；zhao,h.；xia,y.；zhang,s.；feng,d.；sun,z.plasmonics2017,13,1121.

[16]fernandez-dominguez,a.i.；luo,y.；wiener,a.；pendry,j.b.；maier,s.a.nanolett2012,12,5946.

[17]yang,h.；li,b.q.；jiang,x.；yu,w.；liu,h.nanotechnology2017,28,505301.

技术实现要素：

本发明的目的是提供具有电磁场增强性能的连续月牙型纳微结构及其制备方法。

本发明采用纳米切割技术、物理气相沉积技术、胶体自组装技术以及等离子体刻蚀技术。整个过程操作简便，低耗清洁，可控性高。基于胶体刻蚀和纳米切割，可以制备不同形貌的连续月牙型纳微结构；同时结合多次金属沉积，控制沉积间隔层厚度，制备一系列不同间隙尺寸的连续月牙型纳米间隙结构；通过控制沉积的方向及沉积次数，从而实现连续对月牙型纳米线和连续对月牙型纳米间隙结构的制备。这种简单高效、低成本制备的连续月牙型纳微结构，具有更密集的热点，使电磁场显著增强，可以运用到新型的光学器件和电学器件等实际应用中。

本发明以实现制备连续月牙型纳微结构为例，实现具有电磁场增强性能的连续月牙型纳微结构的制备，具体步骤如下：

1)取亲水处理过的硅基底，水平放置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0～50°，在5×10^-4～1×10^-3pa的真空度下进行热蒸发沉积铬膜，沉积速度为沉积厚度为1～10nm；

2)用一次性注射器吸取0.1～0.5ml、直径0.3～5μm的疏水聚苯乙烯微球的乙醇和去离子水分散液(乙醇和去离子水体积比为1：1)，滴加到盛有去离子水的容器中，疏水聚苯乙烯微球在空气-去离子水的气液界面排列为单层，再加入50～200μl、浓度1～10wt％的十二烷基磺酸钠表面活性剂使聚苯乙烯微球彼此紧密排列；用沉积铬膜的硅基底从单层聚苯乙烯微球底部将紧密排列的疏水聚苯乙烯微球托起，放于斜面上自然干燥，从而在硅基底上得到二维有序的单层聚苯乙烯微球阵列；

3)将步骤2)得到的硅基底水平放置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0～50°，在5×10^-4～1×10^-3pa的真空度下进行热蒸发沉积金膜，沉积速度为沉积厚度为50～150nm；将环氧树脂预聚体和固化剂按体积比15：2～2.5混合后涂覆在沉积有金膜的聚苯乙烯微球表面，静置1～3h后再置于温度为60～100℃的烘箱中固化3～10h，揭起环氧树脂使金覆盖的聚苯乙烯微球阵列从硅基底上剥离，得到嵌入环氧树脂中的金覆盖聚苯乙烯微球阵列模板；

4)将步骤3)制得的模板垂直于聚苯乙烯微球阵列晶格方向切割成条状(微球阵列晶格方向是微球直线排列的方向，如图1中(d)所示；每个条状结构含有若干组聚苯乙烯微球阵列)条宽0.5～3mm，然后将切割后得到的条状模板再包埋在环氧树脂中，50～80℃条件下固化3～6h，沿垂直于条状的方向进行切片，切割速度为0.6～1.2mm/s，得到的超薄树脂片的厚度为80～200nm，长度为0.5～3mm；然后用镀有40～200nm金膜的基底进行收集，使超薄树脂片平铺在金膜上，再在50～80℃下加热5～30min，提高超薄树脂片与金膜的粘附力；

5)将步骤4)制得的样品置于反应性等离子体刻蚀机中，在刻蚀气压为5～10mtorr，刻蚀温度10～20℃，氧气流速10～50sccm，刻蚀功率200～300w的条件下刻蚀10～30min，以完全除去环氧树脂和聚苯乙烯微球，从而在镀有金膜的基底上得到连续月牙型的金纳米线结构；

6)将步骤2)制得的基底水平放置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0～50°，在5×10^-4～1×10^-3pa的真空度下热蒸发沉积金/间隔层/金三层膜结构，沉积速度为两层金的沉积厚度均为50～150nm，间隔层的沉积厚度为2～20nm；将环氧树脂预聚体和固化剂按体积比15：2～2.5混合后涂覆在沉积有金/间隔层/金三层膜的聚苯乙烯微球表面，静置1～3h后，置于温度为60～100℃的烘箱中固化3～10h，揭起环氧树脂使金/间隔层/金三层膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列从硅基底上剥离，得到嵌入环氧树脂中的金/间隔层/金三层膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列模板；

7)再将步骤6)得到的模板垂直聚苯乙烯微球阵列晶格方向切割成条状，条宽0.5～3mm，然后将条状模板包埋在环氧树脂中，50～80℃条件下固化3～6h，再沿垂直于条状的方向进行切片，切割速度为0.6～1.2mm/s，得到的超薄树脂片的厚度为80～200nm，长度为0.5～3mm；然后用镀有40～200nm金膜的基底进行收集，使超薄树脂片平铺在金膜上，再在50～80℃下加热5～30min，提高超薄树脂片与金膜的粘附力；

8)采用酸刻蚀或者反应性等离子体刻蚀的方法除掉间隔层材料，再将样品置于反应性等离子体刻蚀机中，在刻蚀气压为5～10mtorr，刻蚀温度10～20℃，氧气流速10～50sccm，刻蚀功率200～300w的条件下刻蚀10～30min，以完全除去环氧树脂和聚苯乙烯微球，从而在镀有金膜的基底上得到间隙尺寸为2～20nm的连续月牙型金纳米间隙结构；

9)用胶带揭起步骤3)制得的金覆盖的聚苯乙烯微球阵列基底，然后水平倒置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0～50°，在5×10^-4～1×10^-3pa的真空度下进行热蒸发沉积金，沉积速度为沉积厚度为50～150nm；将环氧树脂预聚体和固化剂按体积比15：2～2.5混合后涂覆在双面沉积有金膜的聚苯乙烯微球表面，静置1～3h后，置于温度为60～100℃的烘箱中固化3～10h，揭起环氧树脂使双面有金膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列从硅基底上剥离，得到嵌入环氧树脂中的双面有金膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列模板；

10)再将步骤9)得到的模板垂直聚苯乙烯微球阵列晶格方向切割成条状，条宽0.5～3mm，然后将条状模板包埋在环氧树脂中，50～80℃条件下固化3～6h，再沿垂直于条状的方向进行切片，切割速度为0.6～1.2mm/s，得到的超薄树脂片的厚度为80～200nm，长度为0.5～3mm；然后用镀有40～200nm金膜的基底进行收集，使超薄树脂片平铺在金膜上，再在50～80℃下加热5～30min，提高超薄树脂片与金膜的粘附力；

11)将样品置于反应性等离子体刻蚀机中，在刻蚀气压为5～10mtorr，刻蚀温度10～20℃，氧气流速10～50sccm，刻蚀功率200～300w的条件下刻蚀10～30min，以完全除去环氧树脂和聚苯乙烯微球，从而在镀有金膜的基底上得到连续对月牙型金纳米线结构；

12)用胶带揭起步骤6)制得的金/间隔层/金三层膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列基底，将其水平倒置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0～50°，在5×10^-4～1×10^-3pa的真空度下进行热蒸发沉积金/间隔层/金三层膜结构，沉积速度为两层金的沉积厚度均为50～150nm，间隔层的沉积厚度为2～20nm；将环氧树脂预聚体和固化剂按体积比15：2～2.5混合后涂覆在双面沉积有金/间隔层/金三层膜的样品表面，静置1～3h后，置于温度为60～100℃的烘箱中固化3～10h，揭起环氧树脂使双面有金/间隔层/金三层膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列从硅基底上剥离，得到嵌入环氧树脂中双面有金/间隔层/金三层膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列模板；

13)再将步骤12)得到的模板垂直聚苯乙烯微球阵列晶格方向切割成条状，条宽0.5～3mm，然后将条状模板包埋在环氧树脂中，50～80℃条件下固化3～6h，沿垂直于条状的方向进行切片，切割速度为0.6～1.2mm/s，得到的超薄树脂片的厚度为80～200nm，长度为0.5～3mm；然后用镀有40～200nm金膜的基底进行收集，使超薄树脂片平铺在金膜上，再在50～80℃下加热5～30min，提高超薄树脂片与金膜的粘附力；

14)采用酸刻蚀或者反应性等离子体刻蚀的方法除掉间隔层材料，再将样品置于反应性等离子体刻蚀机中，在刻蚀气压为5～10mtorr，刻蚀温度10～20℃，氧气流速10～50sccm，刻蚀功率200～300w的条件下刻蚀10～30min，以完全除去环氧树脂和聚苯乙烯微球，从而在镀有金膜的基底上得到间隔2～20nm的连续对月牙型金纳米间隙结构；

步骤6)和步骤12)中，间隔层材料可为铝、镍、铬等易被酸刻蚀的金属，或者一端带有巯基的直碳链单分子层(如十二烷基硫醇、十六烷基硫醇等分子，可通过反应性等离子体刻蚀除去)、二氧化硅(可通过氢氟酸除去)、三氧化二铝(可通过稀盐酸除去)等。

步骤4)、7)、10)、13)中收集超薄环氧树脂片的镀有金膜的基底可为硅片、玻璃片、铜箔等。

本发明各个步骤操作简单，可控性强，可以制备具有电磁场增强性能的不同形貌的连续月牙型纳微结构，可很好的应用在表面增强拉曼等领域。

附图说明

图1中线路i为制备连续月牙型纳米线结构的流程图；线路ii为制备连续对月牙型纳米线结构的流程图，图中标示了各种利用的材料和主要操作步骤。(a)在沉积有铬膜的硅基底上组装单层聚苯乙烯球；(b)垂直沉积金；(c)滴加环氧树脂固化剥离；(d)环氧树脂包埋固化；(e)纳米切割，环氧树脂薄片转移到载有金膜的硅基底上，等离子体刻蚀除去聚合物；(c’)胶带剥离沉积有金膜的聚苯乙烯球，倒置沉积金，滴加环氧树脂固化；(d’)剥离进行环氧树脂包埋固化；(e’)同(e)。其中，700nm聚苯乙烯微球1、铬膜2、硅基底3、金膜4、胶带5、环氧树脂6。

图2(a)为连续月牙型纳米线结构的扫描电子显微镜(sem)照片。(b)为连续月牙型纳米间隙结构的扫描电子显微镜(sem)照片。(c)为连续对月牙型纳米线结构的扫描电子显微镜(sem)照片。(d)为连续对月牙型纳米间隙结构的扫描电子显微镜(sem)照片。标尺为200nm。图2表明本发明成功制备了具有不同形貌的连续月牙型纳微结构。

图3为用高分辨激光拉曼光谱仪测得的连续月牙型纳微结构的拉曼光谱图。具有密集热点的连续月牙型纳微结构，拉曼强度显著增强。对月牙尖端和纳米间隙的共振耦合作用，使连续对月牙型纳米间隙结构拉曼增强性能最强。

具体实施方式

实施例1：亲水玻璃片的制备

所用硅片用玻璃刀裁至长为2.0cm，宽为2.0cm，放入浓硫酸与过氧化氢的混合溶液(体积比为7:3)中水浴加热至80℃，保持5小时，即得到亲水玻璃片；用去离子水反复洗涤(3～5次)玻璃片，并用氮气吹干，待用。

实施例2：六方紧密堆积的单层聚苯乙烯胶体晶体的制备

将亲水处理过的硅片水平放置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0°，在5×10^-4的真空度下进行热蒸发沉积金属铬，沉积速度为沉积厚度为3nm；用一次性注射器吸取0.2ml，直径为700nm的疏水聚苯乙烯微球的乙醇水分散液，缓慢滴到培养皿的空气-去离子水的界面上，静置片刻，沿着培养皿一侧加入50μl浓度为10wt％的十二烷基硫酸钠的水溶液，聚苯乙烯微球会随之形成六方紧密堆积的单层；以蒸镀有铬的硅片为基底，伸入到水面以下，从紧密的单层微球下方缓慢向上提起，置于斜面自然干燥，从而在基底上得到二维有序的单层聚苯乙烯微球阵列。

实施例3：嵌入环氧树脂中金覆盖聚苯乙烯微球阵列模板的制备

将上述制得的聚苯乙烯微球阵列水平放置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0°，在5×10^-4pa的真空度下进行热蒸发沉积金，沉积速度为沉积厚度为110nm，制备金覆盖聚苯乙烯微球阵列模板；将环氧树脂预聚体和固化剂按体积比15:2涂覆在金覆盖聚苯乙烯微球阵列模板表面，静置2h后，置于温度为60℃的烘箱中，固化6h后，揭起环氧树脂使金覆盖的聚苯乙烯微球阵列从硅基底上剥离，得到嵌入环氧树脂中的金覆盖聚苯乙烯微球阵列模板。

实施例4：样品的粗切与包埋

用手锯对实施例3中的模板进行粗切(切割方向垂直聚苯乙烯微球阵列晶格方向)，得到条状环氧树脂模板，条宽2mm，将条状模板包埋在环氧树脂中，60℃条件下固化6h。

实施例5：利用超薄切片机进行纳米切割

将实施例4粗切后的样品固定在超薄切片机的样品座上，沿垂直于条状的方向进行切片，切割速度为0.6mm/s，得到的超薄树脂片的厚度为100nm；然后用镀有90nm金膜的基底进行收集，使超薄树脂片平铺在金膜上，再在60℃下加热10min，提高超薄树脂片与金膜的粘附力。

实施例6：环氧树脂和聚苯乙烯微球的刻蚀

将实施例5中制备的样品置于反应性等离子体刻蚀机中，在刻蚀气压为10mtorr，刻蚀温度10℃，氧气流速50sccm，刻蚀功率200w的条件下刻蚀15min，以完全除去聚苯乙烯微球和环氧树脂，从而在镀有金膜的基底上得到连续月牙型的金纳米线结构。

实施例7：金属金/铝/金的蒸镀方法

将实施例2制得的聚苯乙烯微球阵列水平放置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0°，在5×10^-4pa的真空度下进行热蒸发沉积金，沉积速度为沉积厚度为110nm，在5×10^-4pa的真空度下进行热蒸发沉积铝，沉积速度为沉积厚度为4nm，在5×10^-4pa的真空度下进行热蒸发沉积金，沉积速度为沉积厚度为110nm，制备金/铝/金三层金属覆盖的聚苯乙烯微球阵列模板。

实施例8：嵌入环氧树脂中金/铝/金覆盖聚苯乙烯微球阵列模板的制备

将环氧树脂预聚体和固化剂按体积比15:2涂覆在沉积有金/铝/金三层金属的聚苯乙烯纳米球阵列表面，静置2h后，置于温度为60℃的烘箱中，固化6h，揭起环氧树脂使金/铝/金覆盖的聚苯乙烯微球阵列从硅基底上剥离，得到嵌入环氧树脂中的金/铝/金覆盖的聚苯乙烯微球阵列模板。

实施例9：样品的粗切与包埋

用手锯对实施例8中的模板进行粗切(切割方向垂直聚苯乙烯微球阵列晶格方向)，得到条状环氧树脂模板，条宽2mm，将条状模板包埋在环氧树脂中，60℃条件下固化6h。

实施例10：利用超薄切片机进行纳米切割

将实施例9粗切后的样品固定在超薄切片机的样品座上，沿垂直于条状的方向进行切片，切割速度为0.6mm/s，得到的超薄树脂片的厚度为100nm；然后用镀有90nm金膜的基底进行收集，使超薄树脂片平铺在金膜上，再在60℃下加热10min，提高超薄树脂片与金膜的粘附力。

实施例11：环氧树脂、聚苯乙烯微球及间隔层的刻蚀

将实施例10中制备的样品置于2mol/l盐酸溶液中，浸泡2h，以完全除去间隔层铝，将盐酸溶液倒入废液瓶中，得到的样品用去离子水反复冲洗3～5次，并用氮气吹干；再将样品置于反应性等离子体刻蚀机中，在刻蚀气压为10mtorr，刻蚀温度10℃，氧气流速50sccm，刻蚀功率200w的条件下刻蚀15min，以完全除去聚苯乙烯微球和环氧树脂，从而在镀有金膜的基底上得到间隙4nm的连续月牙型纳米间隙结构。

实施例12：连续对月牙型纳米线的制备

将用胶带揭起的金覆盖的聚苯乙烯微球阵列基底倒置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0°，在5×10^-4pa的真空度下进行热蒸发沉积金，沉积速度为沉积厚度为110nm；将环氧树脂预聚体和固化剂按体积比15:2涂覆在双面沉积有金膜的聚苯乙烯微球表面，静置2h后，置于温度为60℃的烘箱中，固化6h后，揭起环氧树脂使双面有金膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列从硅基底上剥离，得到嵌入环氧树脂中的双面有金膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列模板；用手锯对双面有金膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列模板进行粗切(切割方向垂直聚苯乙烯微球阵列晶格方向)，得到条状环氧树脂模板，条宽2mm，将条状模板包埋在环氧树脂中，60℃条件下固化6h；将粗切后的样品固定在超薄切片机的样品座上，沿垂直于条状的方向进行切片，切割速度为0.6mm/s，得到的超薄树脂片的厚度为100nm；然后用镀有90nm金膜的基底进行收集，使超薄树脂片平铺在金膜上，再在60℃下加热10min，提高超薄树脂片与金膜的粘附力；将样品置于反应性等离子体刻蚀机中，在刻蚀气压为10mtorr，刻蚀温度10℃，氧气流速50sccm，刻蚀功率200w的条件下刻蚀15min，以完全除去聚苯乙烯微球和环氧树脂，从而在镀有金膜的基底上得到连续对月牙型纳米线结构。

实施例13：连续对月牙型纳米间隙的制备

将用胶带揭起的金/间隔层/金三层膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列基底倒置在真空蒸发镀膜设备的样品台上，样品法线与沉积方向的夹角(即入射角)为0°，在5×10^-4pa的真空度下进行热蒸发沉积金，沉积速度为沉积厚度为110nm，在5×10^-4pa的真空度下进行热蒸发沉积铝，沉积速度为沉积厚度为4nm，在5×10^-4pa的真空度下进行热蒸发沉积金，沉积速度为沉积厚度为110nm；将环氧树脂预聚体和固化剂按体积比15:2涂覆在双面沉积有金/铝/金三层膜的聚苯乙烯微球表面，静置2h后，置于温度为60℃的烘箱中，固化6h后，揭起环氧树脂使双面有金/铝/金三层膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列从硅基底上剥离，得到嵌入环氧树脂中双面有金/铝/金三层膜覆盖的聚苯乙烯微球阵列模板；用手锯对双面沉积有金/铝/金的聚苯乙烯微球阵列模板进行粗切(切割方向垂直聚苯乙烯微球阵列晶格方向)，得到条状环氧树脂模板，条宽2mm，将条状模板包埋在环氧树脂中，60℃条件下固化6h；将粗切后的样品固定在超薄切片机的样品座上，沿垂直于条状的方向进行切片，切割速度为0.6mm/s，得到的超薄树脂片的厚度为100nm；然后用镀有90nm金膜的基底进行收集，使超薄树脂片平铺在金膜上，再在60℃下加热10min，提高超薄树脂片与金膜的粘附力；将制备的样品置于2mol/l盐酸溶液中，浸泡2h，以完全除去间隔层铝，将盐酸溶液倒入废液瓶中，得到的样品用去离子水反复冲洗3～5次，并用氮气吹干；再将样品置于反应性等离子体刻蚀机中，在刻蚀气压为10mtorr，刻蚀温度10℃，氧气流速50sccm，刻蚀功率200w的条件下刻蚀15min，以完全除去聚苯乙烯微球和环氧树脂，从而在镀有金膜的基底上得到间隔4nm的连续对月牙型纳米间隙结构。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的方法方案作任何形式上的限制。凡是依据本发明的方法实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同改变与修饰，均落入本发明的保护范围内。