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一种适用于MEMS惯性传感器封装的陶瓷管壳的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-27 12:18:29

本实用新型属于微机电系统封装领域,具体是一种mems惯性传感器封装用陶瓷管壳。

背景技术:

mems技术开辟了微型化、集成化的新技术领域和产业,而其封装好坏关系到器件性能的优劣,同时封装成本过高也会降低mems器件的市场竞争力。mems中一些可动部分或悬空结构、硅杯空腔、梁、沟、槽、膜片,甚至是流体部件与有机部件,基本上是靠表面效应工作的。mems产品的封装技术大多数是借用半导体ic领域中现成的封装工艺,不过,由于各类产品的使用范围和应用环境的差异,其封装也没有统一的形式,应根据具体的使用情况选择适当的封装形式,对各种不同结构及用途的mems器件,导致其封装设计专用性很强。

目前mems惯性器件产品量较小,无标准工艺,传统的mems封装主要有金属封装、陶瓷封装和塑料封装三种形式。最近几年,mems封装技术取得了很大进展,出现了众多的mems封装技术,通常可将其分为3个封装层次:芯片级封装、圆片级封装、系统级封装。而对于mems惯性器件来讲,封装技术除了保护内部结构不受外部环境的干扰和破坏之外,还要保证器件具有良好的气密性,较好的绝缘性,以及足够的机械应力,保证形状稳定。这样大大增加了器件封装难度,导致mems封装技术成本高于一般电子元器件,制约着mems惯性器件的发展和普及应用。

针对mems惯性传感器的封装难点,mems惯性传感器采用陶瓷封装。陶瓷材料具有足够高的机械强度,绝缘电阻及绝缘破坏电压高;在温度高、湿度大的条件下性能稳定,确保可靠性。并且热导率高;热膨胀系数与si的热膨胀系数匹配,耐热性优良。

技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种适用于mems惯性传感器封装的陶瓷管壳,可实现深腔、体积小、高可靠性、高气密性,高集成度,满足mems惯性器件的封装要求。

本实用新型采用提供一种适用于mems惯性传感器封装的陶瓷管壳,采用陶瓷结构,陶瓷材料具有足够高的机械强度,绝缘电阻及绝缘破坏电压高;在温度高、湿度大的条件下性能稳定,确保可靠性。并且热导率高;热膨胀系数与si的热膨胀系数匹配,耐热性优良。

为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是,一种适用于mems惯性传感器封装的陶瓷管壳,其特征在于:包括可伐金属盖板(1),和带引脚的陶瓷管座,陶瓷管座顶部设有金属封口环(2),所述可伐金属盖板(1)通过所述金属封口环(2)将所述陶瓷管壳上端的开口封闭,金属封口环(2)烧结在陶瓷管座侧壁(3)上,陶瓷管座侧壁(3)固定在下方的带有金属埋线的台阶(4)上,带有金属埋线的台阶(4)与下方陶瓷台阶(5)固定,陶瓷台阶(5)固定在陶瓷管座底部的陶瓷基底上(6),在陶瓷管座四周布有金属引脚(7),金属引脚(7)通过内部走线与带有金属埋线的台阶(4)表面上的金属焊盘(8)相连。

进一步的技术方案,所述的陶瓷管座腔体采用左右不等高设计,陶瓷台阶(5)只布置在腔体左侧。

进一步的技术方案,所述的带有金属埋线的台阶(4)采用三面围绕设计,带有金属埋线的台阶(4)上布有数量不定的金属焊盘(8)。

进一步的技术方案,所述陶瓷管壳材料采用氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷或ltcc。

进一步的技术方案,金属封口环(2)与可伐金属盖板(1)之间通过平行封焊工艺进行焊接。

采用上述技术方案所产生的有益效果在于:

1)实现器件小型化,具有足够高的机械强度,热膨胀系数与mems惯性芯片的热膨胀系数匹配;

2)封装气密性高:气密性满足≤1×10-3pa·cm3/s;

3)与常规lcc或cqfp相比,本实用新型腔体深度大,左右采用不等高设计,可将asic与mems芯片摆放在腔体内,并使得两芯片表面高度一致,利于引线键合缩小金丝长度,提高了集成度和热传导速率。

附图说明

图1是本实用新型半剖结构示意图;

图2是本实用新型的俯视图;

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

本实用新型包括可伐金属盖板(1),和带引脚的陶瓷管座,陶瓷管座顶部设有金属封口环(2),所述可伐金属盖板(1)通过所述金属封口环(2)将所述陶瓷管壳上端的开口封闭,金属封口环(2)烧结在陶瓷管座侧壁(3)上,陶瓷管座侧壁(3)固定在下方的带有金属埋线的台阶(4)上,带有金属埋线的台阶(4)与下方陶瓷台阶(5)固定,陶瓷台阶(5)固定在陶瓷管座底部的陶瓷基底上(6),在陶瓷管座四周布有金属引脚(7),金属引脚(7)通过内部走线与带有金属埋线的台阶(4)表面上的金属焊盘(8)相连。

所述的陶瓷管座腔体采用陶瓷材料制成,陶瓷台阶(5)只布置在腔体左侧。带有金属埋线的台阶(4)采用三面围绕设计,金属埋线的台阶(4)上布有数量不定的金属焊盘。mems传感器表头一般较asic芯片更厚一些,本实用新型陶瓷管座内腔采用左右不等高设计解决了mems传感器表头与asic芯片高度不一致的问题。有利于后期缩短金属引线的长度,增加引线强度,以及热传导速率。

优选的,本实用新型管壳采用平行封焊封装,并对待封器件进行加热和抽真空处理,从而降低管腔内的湿度和氧分子的含量,封装后使得管腔内部的芯片不易被氧化、使芯片不受外界因素的影响而损坏和对芯片起到保护作用,不因外部条件变化而影响芯片的正常工作。在封焊过程中充以保护气体氮气,其压强与一个大气压相同,这样既利于在使用过程中内外压强的平衡,也利于人员操作,使得器件在长时间工作下,不因内外压强差而使管壳脱离。

本实用新型为一种适用于mems惯性传感器封装的陶瓷管壳,结合陶瓷烧结技术、芯片粘接技术和平行封焊技术有效提高了器件可靠性封装,以及气密性,提供了一种小型化,集成化,稳定可靠的惯性传感器封装管壳。

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