一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构的制作方法

本实用新型实施例涉及麦克风技术领域，尤其涉及一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构。

背景技术：

微机电系统(micro-electro-mechanicalsystem，mems)麦克风是基于微机电系统技术制造的麦克风，把语音信号转换成电信号，广泛应用于手机、电脑、照相机、摄像机、智能家居产品中。

微机电系统麦克风封装结构包括线路板，单颗微机电系统麦克风芯片和单颗专用集成电路(applicationspecificintegratedcircuit，asic)芯片之间通过金线实现电连接，且设置在线路板上，微机电系统麦克风芯片将声音信号转换的电信号传递给asic芯片，asic芯片将电信号进行处理并放大。

目前的微机电系统麦克风封装结构无法满足产品小型化的需求。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构，有效减小了产品尺寸。

本实用新型实施例提供了一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构，包括：

独立芯片，所述独立芯片包括第一晶圆和第二晶圆；

所述第一晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一晶圆内含专用集成电路芯片单元，所述第一晶圆的第一表面设置有多个第一焊盘，所述第一焊盘与所述专用集成电路芯片单元电连接；

所述第二晶圆位于所述第一晶圆之上，其中，所述第二晶圆具有第三表面以及与所述第三表面相对的第四表面，所述第二晶圆内含微机电系统麦克风芯片单元，所述第二晶圆的第三表面设置有多个第二焊盘，所述第二焊盘与所述微机电系统麦克风芯片单元电连接，所述第二晶圆内设置有多个导电通孔，一所述导电通孔暴露部分或全部位于所述第三表面的一所述第二焊盘一所述导电通孔覆盖一所述第一焊盘的部分或全部；

所述第一晶圆设置有多个第一通孔、第一绝缘层和布线层；所述第一通孔暴露部分或全部所述第一焊盘；所述第一绝缘层，设置在所述第一通孔的侧壁；所述布线层，设置在所述第一绝缘层上，所述布线层与所述第一焊盘电连接。

在本实施例中，独立芯片包括第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆包括集成电路芯片单元，第二晶圆包括微机电系统麦克风芯片单元，第二晶圆位于第一晶圆之上，微机电系统麦克风芯片单元与第二焊盘电连接，微机电系统麦克风芯片单元将声音信号转换的电信号传递给第二焊盘，导电通孔将第二焊盘的电信号传递给第一晶圆的第一表面设置的第一焊盘，第一焊盘将电信号传递至专用集成电路芯片单元进行信号处理放大，处理过的电信号由专用集成电路芯片单元传递至另一个第一焊盘，布线层将第一晶圆的第一表面设置的第一焊盘的电信号传递到第一晶圆的第二表面以便与外部电路电连接。相比现有技术的封装结构减小了水平方向的封装尺寸，且本实施例中的技术方案中通过导电通孔实现了微机电系统麦克风芯片单元和集成电路芯片单元之间的电连接，相比现有技术的封装结构使用金线连接，节省了成本，简化制备工艺的流程。且本实施例中的技术方案，采用第一晶圆和第二晶圆完成了集成电路芯片单元和微机电系统麦克风芯片单元的封装，称之为晶圆级封装，其中第一晶圆中可以包含多个集成电路芯片单元和第二晶圆可以包含多个微机电系统麦克风芯片单元，通过对第一晶圆和第二晶圆的切割，可以同时完成多个独立芯片的封装，相比现有技术独立的微机电系统麦克风芯片和独立的专用集成电路芯片平铺在线路板上，大大提高了封装效率。

附图说明

图1为现有技术中的微机电系统麦克风封装结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构的结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法的流程示意图；

图5-图15为本实用新型实施例还提供的一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法各步骤对应的剖面图；

图16为本实用新型实施例提供的另一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法的流程示意图；

图17为本实用新型实施例提供的又一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

正如上述背景中所述，目前的微机电系统麦克风封装结构无法满足产品小型化的需求。究其原因，参见图1，现有的微机电系统麦克风封装结构包括独立的微机电系统麦克风芯片10、独立的专用集成电路芯片11、外壳12和线路板13，独立的微机电系统麦克风芯片10和独立的专用集成电路芯片11之间采用金线14实现电连接，且平铺在线路板13上，导致该封装结构的在水平方向的尺寸很大，造成该封装结构的体积很大，无法满足产品小型化的需求。

针对上述技术问题，本实用新型实施例提供了如下技术方案：

图2为本实用新型实施例提供的一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构的结构示意图。参见图2，该微机电系统麦克风晶圆级封装结构包括：独立芯片20，独立芯片20包括第一晶圆21和第二晶圆22；第一晶圆21具有第一表面210a以及与第一表面210a相对的第二表面210b，第一晶圆21内含专用集成电路芯片单元21a，第一晶圆21的第一表面210a设置有多个第一焊盘211，第一焊盘211与专用集成电路芯片单元21a电连接；第二晶圆22位于第一晶圆21之上，其中，第二晶圆22具有第三表面220a以及与第三表面220a相对的第四表面220b，第二晶圆22内含微机电系统麦克风芯片单元22a，第二晶圆22的第三表面220a设置有多个第二焊盘221，第二焊盘221与微机电系统麦克风芯片单元22a电连接，第二晶圆内设置有多个导电通孔222，一导电通孔222暴露部分或全部位于第三表面220a的一第二焊盘221，一导电通孔222覆盖一第一焊盘211的部分或全部；第一晶圆21设置有多个第一通孔212、第一绝缘层213和布线层214；第一通孔212暴露部分或全部第一焊盘211；第一绝缘层213，设置在第一通孔212的侧壁；布线层214，设置在第一绝缘层213上，布线层214与第一焊盘211电连接。

在本实施例中，第二焊盘221相当于微机电系统麦克风芯片单元22a的引出电极，第二焊盘221与微机电系统麦克风芯片单元22a的两个电极电连接。

布线层214可以包括一层或多层金属。布线层214的制备工艺例如可以是磁控溅射工艺。微机电系统麦克风芯片单元22a将声音信号转换的电信号传递给第二焊盘221，导电通孔222将第二焊盘221的电信号传递给第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211，第一焊盘211将电信号传递至专用集成电路芯片单元21a进行信号处理放大，处理过的电信号由专用集成电路芯片单元21a传递至另一个第一焊盘211，布线层214将第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b以便与外部电路电连接。

需要说明的是，多层金属形成布线层214较一层金属形成布线层214可以更好的与第一焊盘211之间形成电连接。示例性地，在第一绝缘层213表面溅射金属钛，再通过磁控溅射在金属钛表面溅射一层金属铜，从而完成布线层214的制作。

在本实施例中，独立芯片20包括第一晶圆21和第二晶圆22；第一晶圆21包括集成电路芯片单元21a，第二晶圆22包括微机电系统麦克风芯片单元22a，第二晶圆22位于第一晶圆21之上，微机电系统麦克风芯片单元22a与第二焊盘221电连接，微机电系统麦克风芯片单元22a将声音信号转换的电信号传递给第二焊盘221，导电通孔222将第二焊盘221的电信号传递给第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211，第一焊盘211将电信号传递至专用集成电路芯片单元21a进行信号处理放大，处理过的电信号由专用集成电路芯片单元21a传递至另一个第一焊盘211，布线层214将第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b以便与外部电路电连接。相比现有技术的封装结构，独立的微机电系统麦克风芯片10和独立的专用集成电路芯片11平铺在线路板14上，减小了水平方向的封装尺寸，且本实施例中的技术方案中通过导电通孔222实现了微机电系统麦克风芯片单元22a和集成电路芯片单元21a之间的电连接，相比现有技术的封装结构使用金线连接，节省了成本，简化制备工艺的流程。且本实施例中的技术方案，采用第一晶圆21和第二晶圆22完成了集成电路芯片单元21a和微机电系统麦克风芯片单元22a的封装，称之为晶圆级封装，其中第一晶圆21中可以包含多个集成电路芯片单元21a和第二晶圆可以包含多个微机电系统麦克风芯片单元22a，通过对第一晶圆21和第二晶圆22的切割，可以同时完成多个独立芯片的封装，相比现有技术独立的微机电系统麦克风芯片10和独立的专用集成电路芯片11平铺在线路板14上，大大提高了封装效率。

在上述技术方案中，布线层214将第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b以便与外部电路电连接。实际情况中，部分布线层214与外部电路接触实现电连接，为了保护布线层214中不与外部电路接触的部分，本实用新型实施例提供了如下技术方案：图3为本实用新型实施例提供的另一种微机电系统麦克风晶圆级封装结构的结构示意图。参见图3，第一晶圆21还设置有第二绝缘层215，设置在布线层214上，第二绝缘层215包括至少一个第一开口结构215a，每一第一开口结构215a露出部分布线层214。

具体的，第二绝缘层215包括至少一个第一开口结构215a，每一第一开口结构215a露出部分布线层214与外部电路接触实现电连接，以保护布线层214中不与外部电路接触的部分。

可选地，参见图3，该微机电系统麦克风晶圆级封装结构还包括盖板30，设置在第二晶圆22的第三表面220a之上，盖板30包括第二开口结构31，第二开口结构31暴露出微机电系统麦克风芯片单元22a。

具体的，声音从第二开口结构31进入，微机电系统麦克风芯片单元22a将声音信号转换为电信号，通过第二焊盘221、导电通孔222传递给第一晶圆21中的集成电路芯片单元21a。布线层214将第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b，实现与外部电路电连接。

在上述技术方案中，导电通孔222将第二焊盘221的电信号传递给第一晶圆21中的集成电路芯片单元21a。可选地，参见图3，导电通孔222包括：第二通孔222a，设置在第二晶圆22内，一第二通孔222a暴露部分或全部位于第三表面220a的一第二焊盘221；第三绝缘层222b，设置在第二通孔222a的侧壁的表面；导电柱222c，设置在第三绝缘层222b远离第二通孔222a的侧壁一侧的表面，第二焊盘221覆盖导电柱。

具体的，第三绝缘层222b绝缘导电柱222c和第二晶圆22。导电柱222c、第三绝缘层222b以及第二晶圆22构成等效电容，其中，第二晶圆22为高阻硅材料，使得该等效电容的电容值比较低，对微机电系统麦克风芯片单元22a的干扰较小。导电柱222c与第二焊盘221电连接，以实现导电通孔222将第二焊盘221的电信号通过第一焊盘211传递给第一晶圆21中的集成电路芯片单元21a，又通过第一焊盘211传递给布线层214。布线层214将第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b，实现与外部电路电连接。

可选地，参见图3，第二晶圆22还包括与微机电系统麦克风芯片单元22a对应设置的凹槽22b，一微机电系统麦克风芯片单元22a悬空于一凹槽22b之上，其中，微机电系统麦克风芯片单元22a靠近第三表面220a，凹槽22b位于第四表面220b。

声音信号可以在凹槽22b内传播，且凹槽22b可以降低微机电系统麦克风芯片单元22a中的空气排出的阻尼，提高微机电系统麦克风芯片单元22a的信噪比。凹槽22b的体积越大，微机电系统麦克风芯片单元22a的信噪比就会越高，产品性能越好。

在上述技术方案中，微机电系统麦克风芯片单元22a将声音信号转换为电信号，通过通孔222将电信号传递给第一焊盘211，布线层214将电信号传给到第一晶圆21的第二表面210b，实现与外部电路的电连接。其中，微机电系统麦克风芯片单元22a可以是电容式麦克风，也可以是压电式麦克风。其中，微机电系统麦克风芯片单元22a为电容式麦克风类型时，微机电系统麦克风芯片单元22a包括振膜和背极板，振膜与一第二焊盘221电连接，背极板与另一第二焊盘221电连接。

具体原理如下：电容式麦克风芯片用于根据接收到的声音信号，改变振膜和背极板之间的距离，振膜和背极板的电容值发生改变，振膜和背极板之间输出对应的电信号。

微机电系统麦克风芯片单元22a为压电式麦克风时，微机电系统麦克风芯片单元包括压电模组，压电模组包括自下而上依次堆叠的第一电极、压电薄膜和第二电极，第一电极与一第二焊盘221电连接，第二电极与另一第二焊盘221电连接。

具体原理如下：压电薄膜用于根据接收到的声音信号，发生形变，且第一表面和第二表面出现异号电荷，以使第一电极和第二电极之间形成电位差，作为对应的电信号。声音信号越强，电信号对应的电压值越大。

微机电系统麦克风芯片单元22a将声音信号转换为电信号，通过第二焊盘221、导电通孔222传递给第一晶圆21中的集成电路芯片单元21a。布线层214将第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b，实现与外部电路电连接。

基于同一构思，本实用新型实施例还提供了一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法。图4提供了一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法的流程图。图5-图15为本实用新型实施例还提供的一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法各步骤对应的剖面图。参见图4，该方法包括如下步骤：

步骤110、制备第一晶圆，第一晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一晶圆内含多个专用集成电路芯片单元，第一晶圆的第一表面设置有多个第一焊盘，第一焊盘与专用集成电路芯片单元电连接。

参见图5，制备第一晶圆21，第一晶圆21具有第一表面210a以及与第一表面210a相对的第二表面210b，第一晶圆21内含多个专用集成电路芯片单元21a，第一晶圆21的第一表面210a设置有多个第一焊盘211，第一焊盘211与专用集成电路芯片单元21a电连接。专用集成电路芯片单元21a例如是通过多次光刻、离子注入、刻蚀以及蒸镀等工艺在第一晶圆21形成具有特定功能的多层电子元件组成的电路结构。第一焊盘211相当于专用集成电路芯片单元21a的引出电极。

步骤120、制备第二晶圆，第二晶圆具有第三表面以及与第三表面相对的第四表面，第二晶圆内含多个微机电系统麦克风芯片单元，第二晶圆的第三表面设置有多个第二焊盘，第二焊盘与微机电系统麦克风芯片单元电连接，第二晶圆内设置有多个导电通孔，一导电通孔暴露部分或全部位于第三表面的一第二焊盘。

参见图6，制备第二晶圆22，第二晶圆22具有第三表面220a以及与第三表面220a相对的第四表面220b，第二晶圆22内含多个微机电系统麦克风芯片单元22a，第二晶圆22的第三表面220a设置有多个第二焊盘221，第二焊盘221与微机电系统麦克风芯片单元22a电连接，第二晶圆22内设置有多个导电通孔222，一导电通孔222暴露部分或全部位于第三表面220a的一第二焊盘221。第二焊盘221相当于微机电系统麦克风芯片单元22a的引出电极，第二焊盘221与微机电系统麦克风芯片单元22a的两个电极电连接。

步骤130、将第二晶圆设置在第一晶圆之上，其中，第二晶圆的第四表面设置在第一晶圆的第一表面之上，一所述导电通孔覆盖一所述第一焊盘的部分或全部。

参见图7，将第二晶圆22设置在第一晶圆21之上，其中，第二晶圆22的第四表面220b设置在第一晶圆21的第一表面210a之上，一导电通孔222覆盖一第一焊盘211的部分或全部。

可选地，步骤140在第一晶圆内形成至少一个第一通孔，第一通孔暴露部分或全部第一焊盘之前还包括：在第二晶圆的第三表面之上形成保护膜层。

参见图8，在第二晶圆22的第三表面220a之上形成保护膜层23。可选地，保护膜层23通过键合工艺形成在第二晶圆22的第三表面220a之上。保护膜层23和第二晶圆22的第三表面220a之间的膜层为键合层。保护膜层23是为了提高器件的机械性能，避免后续在第一晶圆21进行的操作损坏第一晶圆21和第二晶圆22。

步骤140、在第一晶圆形成至少一个第一通孔，第一通孔暴露部分或全部第一焊盘。

参见图9，在第一晶圆21形成至少一个第一通孔212，第一通孔212暴露部分或全部第一焊盘211。第一通孔212的形成可以是通过刻蚀工艺完成。

可选地，在第一晶圆21形成至少一个第一通孔212，第一通孔212暴露部分或全部第一焊盘211之前，可以将第一晶圆21减薄。减薄操作可以降低第一通孔212的形成难度。

步骤150、在第一通孔的侧壁形成第一绝缘层。

参见图10，在第一通孔212的侧壁形成第一绝缘层213。第一绝缘层213示例性的，可以使氧化硅或者氮化硅等。

步骤160、在第一绝缘层上形成布线层，布线层与第一焊盘电连接。

参见图11，在第一绝缘层213上形成布线层214，布线层214与第一焊盘211电连接。具体的，微机电系统麦克风芯片单元22a将声音信号转换的电信号传递给第二焊盘221，导电通孔222将第二焊盘221的电信号传递给第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211，第一焊盘211将电信号传递至专用集成电路芯片单元21a进行信号处理放大，处理过的电信号由专用集成电路芯片单元21a传递至另一个第一焊盘211，布线层214将第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b以便与外部电路电连接。需要说明的是，多层金属形成布线层214较一层金属形成布线层214可以更好的与第一焊盘211之间形成电连接。示例性地，在第一绝缘层213表面溅射金属钛，再通过磁控溅射在金属钛表面溅射一层金属铜，从而完成布线层214的制作。

可选地，在第一绝缘层213上形成布线层214，布线层214与第一焊盘211电连接之后还包括：参见图12，在布线层214上形成第二绝缘层215，第二绝缘层215包括至少一个第一开口结构215a，每一第一开口结构215a露出部分布线层214。第二绝缘层215包括至少一个第一开口结构215a，每一第一开口结构215a露出部分布线层214与外部电路接触实现电连接，以保护布线层214中不与外部电路接触的部分。第二绝缘层215可以是氧化硅或者氮化硅。

可选地，在布线层214上形成第二绝缘层215，第二绝缘层215包括至少一个第一开口结构215a，每一第一开口结构215a露出部分布线层214之后还包括：

参见图13，去除保护膜层23。

参见图14，在第二晶22的第三表面220a之上形成盖板30，盖板30包括多个第二开口结构31，每一第二开口结构31暴露出一微机电系统麦克风芯片单元22a。具体的，声音从第二开口结构31进入，微机电系统麦克风芯片单元22a将声音信号转换为电信号，通过第二焊盘221、导电通孔222传递给第一晶圆21中的集成电路芯片单元21a。布线层214将第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b，实现与外部电路电连接。可以通过键合工艺在第二晶22的第三表面220a之上形成盖板30。

步骤170、沿第一通孔，切割多个微机电系统麦克风芯片单元和多个专用集成电路芯片单元形成多个独立芯片，每个独立芯片包括一微机电系统麦克风芯片单元和一专用集成电路芯片单元。

参见图15，沿第一通孔212，切割多个微机电系统麦克风芯片单元和多个专用集成电路芯片单元形成多个独立芯片20，每个独立芯片20包括一微机电系统麦克风芯片单元22a和一专用集成电路芯片单元21a。

在本实施例中，独立芯片20包括第一晶圆21和第二晶圆22；第一晶圆21包括集成电路芯片单元21a，第二晶圆22包括微机电系统麦克风芯片单元22a，第二晶圆22位于第一晶圆21之上，微机电系统麦克风芯片单元22a与第二焊盘221电连接，微机电系统麦克风芯片单元22a将声音信号转换的电信号传递给第二焊盘221，导电通孔222将第二焊盘221的电信号传递给第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211，第一焊盘211将电信号传递至专用集成电路芯片单元21a进行信号处理放大，处理过的电信号由专用集成电路芯片单元21a传递至另一个第一焊盘211，布线层214将第一晶圆21的第一表面210a设置的第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b以便与外部电路电连接。相比现有技术的封装结构，独立的微机电系统麦克风芯片10和独立的专用集成电路芯片11平铺在线路板14上，减小了水平方向的封装尺寸，且本实施例中的技术方案中通过导电通孔222实现了微机电系统麦克风芯片单元22a和集成电路芯片单元21a之间的电连接，相比现有技术的封装结构使用金线连接，节省了成本，简化制备工艺的流程。且本实施例中的技术方案，采用第一晶圆21和第二晶圆22完成了集成电路芯片单元21a和微机电系统麦克风芯片单元22a的封装，称之为晶圆级封装，其中第一晶圆21中可以包含多个集成电路芯片单元21a和第二晶圆可以包含多个微机电系统麦克风芯片单元22a，通过对第一晶圆21和第二晶圆22的切割，可以同时完成多个独立芯片的封装，相比现有技术独立的微机电系统麦克风芯片10和独立的专用集成电路芯片11平铺在线路板14上，大大提高了封装效率。

图16为本实用新型实施例提供的另一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法的流程示意图。可选地，参见图16，步骤120制备第二晶圆包括：

步骤1201、提供第二晶圆，第二晶圆具有第三表面以及与第三表面相对的第四表面。

以图3为例进行说明，提供第二晶圆22，第二晶圆22具有第三表面220a以及与第三表面相对的第四表面220b。

步骤1202、采用微机电工艺在第二晶圆内形成多个凹槽以及多个微机电系统麦克风芯片单元，一微机电系统麦克风芯片单元悬空于一凹槽之上，其中，微机电系统麦克风芯片单元靠近第三表面，凹槽位于第四表面。

以图3为例进行说明，采用微机电工艺在第二晶圆22内形成多个凹槽22b以及多个微机电系统麦克风芯片单元22a，一微机电系统麦克风芯片单元22a悬空于一凹槽22b之上，其中，微机电系统麦克风芯片单元22a靠近第三表面220a，凹槽22b位于第四表面220b。具体的，声音信号可以在凹槽22b内传播，且凹槽22b可以降低微机电系统麦克风芯片单元22a中的空气排出的阻尼，提高微机电系统麦克风芯片单元22a的信噪比。凹槽22b的体积越大，微机电系统麦克风芯片单元22a的信噪比就会越高，产品性能越好。

步骤1203、在第二晶圆的第三表面形成多个第二焊盘，第二焊盘与微机电系统麦克风芯片单元电连接。

以图3为例进行说明，在第二晶圆22的第三表面220a形成多个第二焊盘221，第二焊盘221与微机电系统麦克风芯片单元22a电连接。

步骤1204、在第二晶圆形成多个导电通孔，一导电通孔暴露部分或全部位于第三表面的一第二焊盘。

以图3为例进行说明，在第二晶圆22形成多个导电通孔222，一导电通孔222暴露部分或全部位于第三表面220a的一第二焊盘221。

图17为本实用新型实施例提供的另一种微机电系统麦克风晶圆级封装方法的流程示意图。可选地，参见图17，步骤1204在第二晶圆形成多个导电通孔，一导电通孔暴露部分或全部位于第三表面的一第二焊盘包括：

步骤12041、在第二晶圆形成多个第二通孔，一第二通孔暴露部分或全部位于第三表面的一第二焊盘。

以图3为例进行说明，在第二晶圆形成多个第二通孔222a，一第二通孔222a暴露部分或全部位于第三表面220a的一第二焊盘221。

步骤12042、在第二通孔的侧壁形成第三绝缘层。

以图3为例进行说明，在第二通孔222a的侧壁形成第三绝缘层222b。

步骤12043、在第三绝缘层远离第二通孔的侧壁一侧的表面形成导电柱，第二焊盘覆盖导电柱。

以图3为例进行说明，在第三绝缘层222b远离第二通孔222a的侧壁一侧的表面形成导电柱222c，第二焊盘221覆盖导电柱222c。

具体的，第三绝缘层222b绝缘导电柱222c和第二晶圆22。导电柱222c、第三绝缘层222b以及第二晶圆22构成等效电容，其中，第二晶圆22为高阻硅材料，使得该等效电容的电容值比较低，对微机电系统麦克风芯片单元22a的干扰较小。导电柱222c与第二焊盘221电连接，以实现导电通孔222将第二焊盘221的电信号通过第一焊盘211传递给第一晶圆21中的集成电路芯片单元21a，又通过第一焊盘211传递给布线层214。布线层214将第一焊盘211的电信号传递到第一晶圆21的第二表面210b，实现与外部电路电连接。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。