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一种高精度防腐耐油硅压传感器的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-27 12:31:21

本实用新型属于传感器技术领域,特别涉及一种硅压传感器。

背景技术:

采用mems工艺制作而成的硅压传感器具有结构简单、灵敏度高、高可靠性等特点,广泛用于各种环境下的压力监测和数据采集,根据市场应用,部分传感器长期工作在高酸或碱性环境,会被酸碱腐蚀导致电路消失形成功能失效。

目前常见的硅压传感器针对腐蚀改善有两种方案:

一是利用mems工艺将表面连接电路制作成金属金;

二是基于mems工艺的半成品,在后端封装过程中加入硅胶进行覆盖保护。

上述方案一由于制造成本昂贵,无法适应大众化的市场需求。而方案二由于硅胶的硬度特性,不同的量度变化会直接影响传感器的灵敏度。

技术实现要素:

为了解决上述上述问题,本实用新型提供的技术方案是:一种高精度防腐耐油硅压传感器,包括壳体,壳体内装有传感器芯片和电路芯片,壳体侧壁设有一圈台阶,传感器芯片的表面覆盖有硅胶a,壳体内灌装有硅胶b至硅胶b与台阶齐平,硅胶b包裹传感器芯片、电路芯片和连接电路。

进一步的,硅胶a的特性为超低硬度。

进一步的,硅胶b的特性为防腐耐油。

与现有技术相比,本实用新型的优点:本实用新型采用硅胶对硅压传感器内部内部器件进行保护,特点在于采用了两种硅胶,硅胶a覆盖在传感器芯片的表面,再由硅胶b对壳体内的全部内部器件进行覆盖保护,相对于现有技术中只采用以一种硅胶对全部内部器件进行保护的方案,在传感器芯片表面单独覆盖一种硅胶,可以改善传感器芯片的灵敏度。台阶可以作为硅胶b灌装的参考点,可以使罐装后的硅胶b表面平整,而且便于控制硅胶b的厚度,可以将本品制成超薄硅胶体。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解,这些实施例是用于说明本实用新型而不限于限制本实用新型的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整,未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。

如图1所示,一种高精度防腐耐油硅压传感器,包括壳体1,壳体1内装有传感器芯片2和电路芯片3,壳体1侧壁设有一圈台阶5,传感器芯片2的表面覆盖有硅胶a3,壳体1内灌装有硅胶b4至硅胶b4与台阶5齐平,硅胶b4包裹传感器芯片2、电路芯片3和连接电路。

本实用新型采用硅胶对硅压传感器内部内部器件进行保护,特点在于采用了两种硅胶,硅胶a3覆盖在传感器芯片2的表面,再由硅胶b4对壳体1内的全部内部器件进行覆盖保护,相对于现有技术中只采用以一种硅胶对全部内部器件进行保护的方案,在传感器芯片2表面单独覆盖一种硅胶,可以改善传感器芯片2的灵敏度。台阶5可以作为硅胶b4灌装的参考点,可以使罐装后的硅胶b4表面平整,而且便于控制硅胶b4的厚度,可以将本品制成超薄硅胶体。

优选的,硅胶a可以选用超低硬度参数特性的硅胶材料,改善传感器芯片2的灵敏度。

硅胶b可以选用防腐耐油的硅胶,保护内部器件不受酸碱腐蚀破坏。

上述实例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人员能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所做的等效变换或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

技术特征:

1.一种高精度防腐耐油硅压传感器,包括壳体,壳体内装有传感器芯片和电路芯片,其特征在于,所述壳体侧壁设有一圈台阶,所述传感器芯片的表面覆盖有硅胶a,壳体内灌装有硅胶b至硅胶b与台阶齐平,硅胶b包裹传感器芯片、电路芯片和连接电路。

2.根据权利要求1所述的高精度防腐耐油硅压传感器,其特征在于,所述硅胶a的特性为超低硬度。

3.根据权利要求1所述的高精度防腐耐油硅压传感器,其特征在于,所述硅胶b的特性为防腐耐油。

技术总结本实用新型公开了一种高精度防腐耐油硅压传感器,包括壳体,壳体内装有传感器芯片和电路芯片,壳体侧壁设有一圈台阶,传感器芯片的表面覆盖有硅胶A,壳体内灌装有硅胶B至硅胶B与台阶齐平,硅胶B包裹传感器芯片、电路芯片和连接电路。特点在于采用了两种硅胶,硅胶A覆盖在传感器芯片的表面,再由硅胶B对壳体内的全部内部器件进行覆盖保护,相对于现有技术中只采用以一种硅胶对全部内部器件进行保护的方案,在传感器芯片表面单独覆盖一种硅胶,可以改善传感器芯片的灵敏度。台阶可以作为硅胶B灌装的参考点,可以使罐装后的硅胶B表面平整,而且便于控制硅胶B的厚度,可以将本品制成超薄硅胶体。技术研发人员:李正;王东平受保护的技术使用者:苏州感芯微系统技术有限公司技术研发日:2019.12.31技术公布日:2020.12.29

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