一种适用于微构件表面的减摩织构的制作方法
- 国知局
- 2024-07-27 12:31:13
本实用新型涉及一种适用于微构件表面的减摩织构。属于机械制造技术领域。
背景技术:
微电子机械系统(mems)或称微型机械是机械科学技术的前沿领域,具有体积小,质量轻,能耗低,集成度和智能化程度高等特点。但mems中的微型活动构件,如微型齿轮、轴、转子、叶片等,由于微型构件之间的间隙极小,往往处于微米级,纳米级,甚至更小。宏观的摩擦磨损理论已经不大适用于微型构件,其摩擦磨损严重,极大地影响了微型机械的使用寿命,从而影响微型构件各方面的使用性能。
目前,随着表面处理技术的快速发展,对mems表面减摩抗磨的研究取得了长足的进步。在硅基材料上构建具有一定几何形状的网络状织构,不仅能在微孔隙内形成气膜润滑,而且表面织构化能降低表面黏附力和真实接触面积,具有优异的减摩抗磨作用。这种具有良好抗磨减摩性能的改性表面在mems领域的应用具有广阔的前景,可以很大程度上解决限制mems发展的可靠性问题,降低微构件的使用成本。
技术实现要素:
本实用新型要解决的技术问题:在mems中微型构件接触面之间存在着较大的黏着力,导致构件摩擦磨损极为严重,极大地影响了微构件的使用寿命,限制mems的发展。为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种适用于微构件表面的减摩织构,其形状呈圆环或蜂窝状,且各织构通过连通槽接通,能够产生气体润滑效果,保证微构件具备相同工作性能同时,极大地降低其接触面的摩擦磨损,提高微构件的可靠性。
本实用新型技术方案如下:一种适用于微构件表面的减摩织构,所述适用于微构件表面的减摩织构凹坑呈圆环或蜂窝网络状,其特征在于:所述凹坑按照一定排列规律均匀分布在单晶硅表面上,且各凹坑通过连通槽接通。
进一步,所述圆环或蜂窝网络状织构凹坑的宽度为100纳米-800纳米,深度为100-200纳米。
进一步,所述在单晶硅表面相邻的两个凹坑的间距在200纳米-800纳米的范围内。
进一步,所述连通槽(1)的宽度为100-200纳米,深度为100-200纳米。
进一步,所述呈圆环网络状的凹坑的4条连通槽,两两之间夹角为90度。
进一步,所述呈蜂窝网络状的凹坑的6条连通槽,两两之间夹角为60度。
本实用新型的有益效果:本实用新型提供的一种适用于微构件表面的减摩织构,呈圆环或蜂窝网络状,能够保证微构件具备相同工作性能同时,极大地降低其接触面的摩擦磨损,提高微构件的可靠性。此外,各织构通过连通槽接通,有利于气体的流动,在微孔隙可以形成气膜润滑,不仅有效提高微型构件的使用寿命,而且有利于摩擦热的散发,便于将摩擦产生的热量带走,起到降温效果,进一步降低微构件表面由于摩擦磨损带来的负面效果。如图6所示,为本实用新型所述减摩织构在实验过程中,摩擦因数随时间的变化曲线图,可以看出具有减磨织构的表面具有良好的减摩效果。
附图说明
图1为本实用新型的圆环网络状织构示意图。
图2为本实用新型的蜂窝网络状织构示意图。
图3为本实用新型的圆环网络状织构俯视图。
图4为本实用新型的蜂窝网络状织构俯视图。
图5为本实用新型的网络状织构沿连通槽剖切的剖视图。
图6为本实用新型的有织构和无织构的摩擦因数变化曲线图。
其中;1-连通槽;2-凹坑;3-单晶硅。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作出简要说明。
如图1-5所示,一种适用于微构件表面的减摩织构,包括连通槽1,凹坑2和单晶硅3,所述单晶硅2表面按照一定规律均匀排列着呈圆环或蜂窝状的网状织构,且各织构通过连通槽1相互接通,所述圆环或蜂窝状织构凹坑2的宽度为10纳米-200纳米,深度为100-200纳米,在单晶硅3表面相邻的两个凹坑2的间距在200纳米-800纳米的范围内,连通槽1的宽度为100-200微米,深度为100-200微米,呈圆环网络状的凹坑2的4条连通槽1,两两之间夹角为90度,呈蜂窝网络状的凹坑2的6条连通槽1,两两之间夹角为60度。
本实用新型采用微织构技术对单晶硅表面进行加工,形成具有按照一定规律均匀分布在单晶硅表面的微细网络状纹路。这些呈圆环或蜂窝网络状的减摩织构既能储存润滑剂,为工作表面提供良好润滑;又能吸收微小磨粒,避免发生磨粒磨损。此外,各织构通过连通槽接通,有利于气体的流动,在微孔隙可以形成气膜润滑,不仅有效提高微型构件的使用寿命,而且有利于摩擦热的散发,还可将摩擦产生的热量带走,起到降温效果,进一步降低微构件表面由于摩擦磨损带来的负面效果,提高微构件的工作可靠性,降低使用成本。
本实用新型不局限于上述具体的实施方式,本实用新型可以有各种更改和变化。凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施方式所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围。
技术特征:1.一种适用于微构件表面的减摩织构,所述适用于微构件表面的减摩织构凹坑(2)呈圆环或蜂窝网络状,其特征在于:所述凹坑(2)按照一定排列规律均匀分布在单晶硅(3)表面上,且各凹坑通过连通槽(1)相互接通。
2.根据权利要求1所述的一种适用于微构件表面的减摩织构,其特征在于,所述圆环或蜂窝网络状织构凹坑(2)的宽度为100纳米-800纳米,深度为100-200纳米。
3.根据权利要求2所述的一种适用于微构件表面的减摩织构,其特征在于,在单晶硅(3)表面相邻的两个凹坑(2)的间距在200纳米-800纳米的范围内。
4.根据权利要求1所述的一种适用于微构件表面的减摩织构,其特征在于,所述连通槽(1)的宽度为100-200纳米,深度为100-200纳米。
5.根据权利要求4所述的一种适用于微构件表面的减摩织构,其特征在于,呈圆环网络状的凹坑(2)的4条连通槽(1),两两之间夹角为90度。
6.根据权利要求4所述的一种适用于微构件表面的减摩织构,其特征在于,呈蜂窝网络状的凹坑(2)的6条连通槽(1),两两之间夹角为60度。
技术总结本实用新型涉及一种适用于微构件表面的减摩织构,该表面网络状织构的凹坑呈圆环或蜂窝状,按照一定规律均匀分布在单晶硅表面。表面网络状织构既能与润滑剂相结合提供良好润滑,又能储存细小磨粒磨屑,避免磨粒磨损,此外,各织构通过连通槽接通,有利于气体的流动,在微孔隙可以形成气膜润滑,不仅有效提高微型构件的使用寿命,而且有利于摩擦热的散发。与传统无织构的微构件相比,能增强微构件综合性能,有效提高使用寿命的同时,降低使用成本。技术研发人员:陈龙;陈文刚;夏敏华;谢永;刘德春;宋文涛受保护的技术使用者:西南林业大学技术研发日:2020.04.26技术公布日:2020.12.25本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240726/122250.html
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